9급 국가직 공무원 전자공학개론 필기 기출문제복원 (2008-04-12)

1. 1. 논리식 을 간소화 한 것으로 옳은 것은?

2. 2. 다음 회로는 제너전압이 5 [V]인 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로이다. 저항 1 [kΩ]에 흐르는 전류 IR [mA]의 근사값 중 가장 옳은 것은? (단, 트랜지스터의 β＝200이고, 순방향 바이어스된 베이스－이미터간 전압 VBE＝0.6 [V]이다)

1. 10

2. 5

3. 3

4. 1

3. 3. 다음 그림과 같은 첨두치 전압(peak－to－peak voltage)이 20 [V]인 60 [Hz]의 정현파가 20 [Ω] 저항기에 인가되었다면, 저항기에서 소비되는 평균전력[W]은?

1. 2.5

2. 5

3. 20

4. 400

4. 4. RLC 직렬 공진회로와 RLC 병렬 공진회로의 특징을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

1. 직렬 공진회로의 경우에 용량성(capacitive) 리액턴스가 유도성(inductive) 리액턴스보다 크면 전체 리액턴스 성분의 값은 음(－)이 된다.

2. 전압원으로 구동되는 직렬 공진회로의 경우에 공진 주파수에서 전류가 최대가 된다.

3. 전류원으로 구동되는 병렬 공진회로의 경우에 공진 주파수에서 어드미턴스가 최대가 된다.

4. 공진회로의 대역폭이 넓을수록 양호도(Q : quality factor)는 작아진다.

5. 5. 내부 저항이 10 [Ω]인 10 [V]의 직류전압원이 있다. 이 전원에 적절한 부하를 연결하여 부하에 최대전력을 전달하고자 할 때, 전달할 수 있는 최대전력값과 최대전력이 전달될 때의 전력전달효율은? (단, 전력전달효율＝부하전력/전원의 공급전력)

1. 최대전력값 2.5 [W], 전달효율 50%

2. 최대전력값 2.5 [W], 전달효율 75%

3. 최대전력값 2.5 [W], 전달효율 100%

4. 최대전력값 5 [W], 전달효율 100%

6. 6. 이상적인 연산증폭기(operational amplifier)를 이용하여 구성한 다음의 회로에서 정현파 신호가 Vi에 인가되고 출력전압을 Vo라 할 때, 회로의 동작은?

1. 대수증폭기

2. 반파정류기

3. 전파정류기

4. 피크검출기

7. 7. 디지털 TV 화면을 전송하려고 한다. 한 화면을 나타내기 위해 400 × 500 화소(pixel)를 사용하는데, 각 화소는 6개의 세기 값 중 하나를 갖는다고 하자. 초당 10화면을 전송하는 경우 화면의 손상 없이 디지털화한 모든 데이터를 전송하기 위한 송신측에서의 최소 데이터 전송률은?

1. 200 kbps

2. 12Mbps

3. 600 kbps

4. 6Mbps

8. 8. 이상적인 연산증폭기(operational amplifier)를 이용한 다음 회로에서 Vo＝－50 Vi가 되기 위한 저항 R[kΩ]의 값은?

1. 10/18

2. 10/28

3. 10/38

4. 10/48

9. 9. 다음 트랜지스터 회로에서 Ic＝0.4 [mA]로 하려면 저항 R[MΩ]의 근사값 중 가장 옳은 것은? (단, VBE＝0.6 [V], 트랜지스터의 β는 200으로 한다)

1. 0.54

2. 0.27

3. 5.4

4. 2.7

10. 10. 논리회로 출력과 논리식의 결과가 동일하지 않은 것은?

11. 11. 다음 회로가 정상상태에 도달하였을 때, 2 [Ω]의 저항을 통해 흐르는 전류 I [A]는?

1. 1

2. 2

3. 3

4. 4

12. 12. NAND 게이트를 이용해 구성한 다음의 논리회로 중 NOR 게이트에 해당하는 것은?

13. 13. 저항의 크기가 20 [Ω]인 아래와 같은 원기둥 모양의 저항이 있다. 이 저항의 끝을 잡고 길이를 2배로 늘이면 저항값[Ω]은? (단, 저항을 늘이더라도 부피는 일정하게 유지되며, 늘어난 후에도 원기둥 모양이 되고, 재질의 성질은 변하지 않는다고 가정한다)

1. 80

2. 40

3. 20

4. 10

14. 14. 공통이미터(common emitter)회로에 사용되는 실리콘(Si) 확산형 npn BJT(bipolar junction transistor)의 동작에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

1. 차단영역(cutoff region)은 베이스 － 이미터 접합과 베이스 - 컬렉터 접합이 모두 역방향 바이어스 상태이며, 베이스 전류 및 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않는 영역을 말한다.

2. 활성영역(active region)은 선형증폭기로 동작할 때 중요한 영역으로, 최대전류이득을 얻기 위해서는 베이스－이미터 접합은 역방향 바이어스, 베이스 － 컬렉터 접합은 순방향 바이어스를 걸어 주는 영역을 말한다.

3. 포화영역(saturation region)은 베이스 － 이미터 접합과 베이스 － 컬렉터 접합이 모두 순방향 바이어스 상태이며, 스위치로 동작할 때 중요한 영역이다.

4. 베이스 － 이미터 간 전압 VBE와 베이스 전류 IB의 특성은 pn 다이오드의 전압－전류 특성과 유사하다.

15. 15. 저항값이 6 [Ω]인 세 개의 저항들을 남김없이 모두 사용하여 여러가지의 합성저항 값을 얻고자 한다. 직렬연결과 병렬연결 방법을 여러 가지로 조합해 보면 모두 네 가지의 합성 저항값을 얻을 수 있다. 이 방법으로 얻을 수 없는 저항값[Ω]은?

1. 2

2. 4

3. 9

4. 12

16. 16. 다음 회로는 이상적인 연산증폭기(operational amplifier)를 이용한 필터(filter) 회로이다. V1과 V2에 직류(DC) 전압이 인가될 때 출력 Vo는?

17. 17. 다음 그림은 1차 RC 고역통과필터(high－pass filter)에 인가한 입력 펄스 파형과 그 때 얻어진 출력 파형을 그린 것이다. 필터의 차단주파수 fc와 인가한 펄스 파형의 주기(T)의 관계로 옳은 것은?

1. 1/2πfc≪T

2. 1/2πfc≈T

3. 1/2πfc≫T

4. 관계가 없다.

18. 18. 이상적인 다이오드를 사용하여 다음과 같이 구성한 회로에 구형파 펄스전압 Vi(t)를 인가할 때, 회로의 출력전압 파형 Vo(t)은? (단, V1＝V/3 이고 커패시터의 방전시간은 입력전압 파형의 주기보다 충분히 크다)

19. 19. 다음 회로에서 t < 0일 때 스위치가 ‘a’ 위치에서 정상상태에 도달한 후 t＝0일 때 스위치를 ‘b’의 위치로 움직인다면, t >0일 때 회로에 흐르는 전류 i(t)는? (단, τ는 회로의 시상수(time constant)이다)

20. 20. 다음 CMOS 회로의 입력단자 A와 B에 5 [V](로직레벨 ‘1’) 혹은 0 [V](로직레벨 ‘0’)의 전압이 인가된다. 이 논리회로의 이름은?

1. OR 게이트

2. AND 게이트

3. NOR 게이트

4. NAND 게이트

9급 국가직 공무원 전자공학개론