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1. 다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은?

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1. A'B'C' ＋ ABD ＋ B'CD'

2. A'B'C' ＋ BD ＋ B'D'

3. A'B'C'D ＋ A'BD ＋ B'D'

4. A'B'C'D ＋ AB'D' ＋ BD

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2. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)

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1. MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.

2. MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.

3. MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.

4. MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.

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3. 테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)

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1. 2.5 20/3

2. 2.5 10

3. 5 20/3

4. 5 10

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4. 면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?

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1. 두 금속판 사이의 거리(d)를 2배로 늘려준다.

2. 두 금속판의 면적(A)을 2배로 늘려준다.

3. 두 금속판 사이에 유전율(ℇ)이 1/2인 물질로 채운다.

4. 두 금속판의 면적과 두 판 사이의 거리를 동시에 2배로 늘려준다.

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5. 펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은?

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1. 32

2. 9.6

3. 64

4. 50

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6. 다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10V일 때, 20KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)

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1. 0.05

2. 0.1

3. 0.5

4. 1

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7. 다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는?

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8. 논리식 (A＋B)(A＋B')(A'＋B)(A'＋B')을 간단히 한 결과는?

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1. AB'＋A'B

2. AB＋A'B'

4. 1

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9. 발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은?

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1. ㄱ, ㄴ

2. ㄴ, ㄷ

3. ㄷ, ㄹ

4. ㄱ, ㄷ

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10. 다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다) (순서대로 m, R)

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1. 0.8, 2/m2+2

2. 1.6, 2/m2+2

3. 0.8, m2/m2+2

4. 1.6, m2/m2+2

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11. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

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1. ASK 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.

2. FSK 방식의 일종이다.

3. ASK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.

4. FSK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.

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12. 다음 발진기의 명칭은?

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1. 클랩 발진기

2. 콜핏츠 발진기

3. 하틀리 발진기

4. 이완 발진기

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13. 다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE＝0.7 V, IC≃IE 이다)

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1. 4

2. 5

3. 6

4. 7

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14. 다음 회로에서 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

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2. 5

3. －10

4. 15

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15. 다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는?

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1. 부츠트랩 회로

2. 블로킹 발진기

3. 슈미트 트리거

4. LC동조회로

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16. 다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

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1. －2

2. －4

3. 2

4. 4

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17. D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L"이며, IN에 입력되는 논리값 시간 간격은 CLK 신호주기와 같다고 가정한다)

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1. "L"→"H"→"L"→"L"→"H"→"L"

2. "L"→"L"→"H"→"H"→"L"→"L"

3. "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"

4. "L"→"L"→"L"→"L"→"H"→"L"

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18. 다음회로에서출력전압Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다)

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1. 4

2. 8

3. 10

4. 12

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19. 다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

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1. －VREF/2

2. －VREF

3. －2 VREF

4. －4 VREF

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20. 다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β＝100, VBE＝0.7V, RB＝200 KΩ, C1＝C2＝10㎌, VCC＝10.7 V 이다)

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1. 0.8

2. 1.2

3. 3.3

4. 3.5

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9급 국가직 공무원 전자공학개론

1. 다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은?

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2. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)

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3. 테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)

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4. 면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?

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5. 펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은?

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6. 다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10V일 때, 20KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)

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7. 다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는?

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8. 논리식 (A＋B)(A＋B')(A'＋B)(A'＋B')을 간단히 한 결과는?

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9. 발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은?

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11. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

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12. 다음 발진기의 명칭은?

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13. 다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE＝0.7 V, IC≃IE 이다)

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14. 다음 회로에서 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

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15. 다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는?

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16. 다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

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18. 다음회로에서출력전압Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다)

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19. 다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

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20. 다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β＝100, VBE＝0.7V, RB＝200 KΩ, C1＝C2＝10㎌, VCC＝10.7 V 이다)

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