9급 국가직 공무원 전자공학개론
(2014-04-19 기출문제)
1 / 20
1. 1. 수와 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
2진수 10.001을 10진수로 변환하면 2.125이다.
2.
8진수 64를 16진수로 변환하면 34이다.
3.
10진수 124를 BCD 코드로 변환하면 0001 0010 0100이다.
4.
음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 －203이다.
정답: 4번
2. 2. 그림 ㉠∼㉣ 회로에 정현파 vi=10sin 500t[Ⅴ]가 각각 입력되었을 때, 출력전압 VP-P[V]값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다.) (순서대로 회로, VP-P[V])
1.
㉠, 0
2.
㉡, 20
3.
㉢, 20
4.
㉣, 0
정답: 3번
3. 3. ㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)
1.
포화영역(saturation region), 트라이오드 영역(triode region)
2.
포화영역(saturation region), 포화영역(saturation region)
3.
트라이오드영역(triode region), 트라이오드 영역(triode region)
4.
트라이오드영역(triode region), 포화영역(saturation region)
정답: 1번
4. 4. 다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 2πf0L≫R이다.)
1.
L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다.
2.
공진시 공진주파수는 1/2π√LC에 가깝다.
3.
공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다.
4.
R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한다.
정답: 3번
5. 5. 다음 회로에서 부하저항 RL이 최대전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때 부하저항 RL에서 소비되는 최대전력[Ｗ]은?
1.
8.25
2.
9.25
3.
10.25
4.
11.25
정답: 4번
6. 6. 다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프(pinch-off) 전압 VP[V]와 드레인－소스 전압이 10 [V]일 때의 순방향 전달 컨덕턴스 gm[mS]에 가장 가까운 값은? (순서대로 VP[V], gm[mS])
1.
2, 2
2.
2, 5
3.
8, 2
4.
8, 5
정답: 2번
7. 7. ㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)
1.
앙상블(ensemble) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
2.
앙상블(ensemble) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
3.
에일리어싱(aliasing) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
4.
에일리어싱(aliasing) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
정답: 4번
8. 8. 다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압 VUTP[V]와 하측 트리거 기준 전압 VLTP[V]는? (단, +Vout(max)=+4V, -Vout(max)=-4V, 3RA=RB이다.) (순서대로 VUTP][V], VLTP[V])
1.
＋1, －1
2.
＋1, －3
3.
＋3, －1
4.
＋3, －3
정답: 1번
9. 9. 다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D－플립플롭으로 설계할 때, D－플립플롭 A의 입력 DA에 대한 논리식은? (단, 정의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다)
1.
DA =X＋B
2.
DA =A'X＋A'B＋BX
3.
DA =A'X＋AB＋AB'X
4.
DA =X＋AB'
정답: 1번
10. 10. 다음 회로의 출력전압 Vout[V]은?
1.
－27
2.
9
3.
18
4.
27
정답: 2번
11. 11. 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다.
2.
터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다.
3.
쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스위칭타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다.
4.
PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽(potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정류작용에 사용된다.
정답: 1번
12. 12. 출력 Y가 나머지 셋과 다른 것은?
정답: 2번
13. 13. 다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
영역 I에서 전자는 (＋)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한다.
2.
영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다.
3.
영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다.
4.
영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상이 전류를 주도한다.
정답: 3번
14. 14. 페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
절대온도 0Ｋ에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이다.
2.
온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다.
3.
진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다.
4.
온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이다.
정답: 4번
15. 15. 다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V1과 V2의 값 [V]은? (순서대로 V1, V2)
1.
7, 6
2.
7, 10
3.
8, 6
4.
8, 10
정답: 1번
16. 16. 다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가장 가까운 값은? (단, VBE=0.7V, βDC=150, r′e=25mV/IE이다.)
1.
1.5
2.
2
3.
2.5
4.
3
정답: 2번
17. 17. 다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps＝1,000 bps이며, 오디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다.)
1.
20
2.
40
3.
60
4.
80
정답: 4번
18. 18. 논리식 A′B(D′＋C′D)＋B(A＋A′CD)와 동일한 것은?
1.
AB
2.
B
3.
AB＋C′
4.
A＋BC′
정답: 2번
19. 19. 다음 신호 f(t)를 푸리에 변환한 F(ω)는?
정답: 3번
20. 20. 다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값은 모두 0이라고 가정한다)
1.
0 3 7 1 3 7 1 3
2.
0 5 6 1 4 3 5 6
3.
0 6 5 3 2 4 6 5
4.
0 6 5 2 4 3 6 5
정답: 4번