9급 국가직 공무원 전자공학개론 필기 기출문제복원 (2021-04-17)

1. 1. 부울 대수식 F를 다음과 같이 등가변환할 때, 괄호에 들어갈 내용으로 옳은 것은?

1. Z

3. 1

2. 2. 2의 보수를 활용한 2진수의 뺄셈 연산 수행 과정을 나타낸 다음의 식에서 A, B의 값으로 옳은 것은?

1. ①

2. ②

3. ③

4. ④

3. 3. 다음 증폭기 회로의 주파수 응답 특성 곡선으로 옳은 것은? (단, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)

4. 4. 3×8 디코더를 사용하는 ROM이 다음과 같을 때, 입력 데이터 A2A1A0가 011로 주어지는 경우 출력 데이터 D3D2D1D0로 옳은 것은? (단, A2가 MSB이고, A0는 LSB이다)

1. 0001

2. 1000

3. 0000

4. 1111

5. 5. 다음 회로에서 전구에 최대 전력을 전달하기 위한 저항 R[Ω]은?

1. 1.0

2. 1.6

3. 2.5

4. 10.0

6. 6. 입력신호 is(t) = 120sin(106t)[A]를 인가하여 부하 임피던스 ZL에 최대 전력이 전달되도록 다음과 같은 회로를 구성할 때, 옳지 않은 것은? (단, R = 1/3[Ω], C = 4[μF]이다)

1. i1(t)와 i2(t)의 위상이 서로 다르다.

2. 회로가 테브닌(Thevenin) 등가회로로 표현될 때, ZL이 테브닌 임피던스의 켤레복소수와 같으면 최대 전력이 전달된다.

3. [Ω]이다.

4. ZL에 전달되는 최대 평균전력은 300[W]이다.

7. 7. 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. 윈 브릿지 발진기는 부귀환회로와 정귀환회로를 모두 포함한다.

2. 콜피츠 발진기와 하틀리 발진기는 모두 정귀환회로를 포함한다.

3. 하틀리 발진기의 귀환율은 용량성(C) 소자에 의해 결정된다.

4. 수정 발진기는 다른 발진기에 비해 Q값이 상대적으로 크다.

8. 8. 다음 발진회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, L = 5[μH], C1=C2=1[nF], R = 1[kΩ]이고, 트랜지스터의 내부 커패시터 용량과 입력저항은 무시한다)

1. 콜피츠 발진기이다.

2. 발진 주파수는 이다.

3. 발진 주파수에서 발진을 지속하기 위해 필요한 트랜지스터의 전달컨덕턴스(gm)는 1[mA/V]이다.

4. 발진 조건을 만족하는 전달컨덕턴스(gm)는 저항(R)이 커질수록 작아진다.

9. 9. FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. 비동기 복조(non-coherent demodulation) 방식을 사용할 수 있어 PSK(Phase Shift Keying)보다 수신기 구현이 간단하다.

2. FSK는 진폭이 일정한 변조 방식이므로 채널에 의한 진폭 변화에 둔감하다.

3. 동기 복조(coherent demodulation) 방식을 사용할 때, FSK의 비트오율(BER)이 PSK의 비트오율보다 낮다.

4. 동일한 정보 신호를 전송할 때, AM(Amplitude Modulation)보다 넓은 주파수 대역폭을 점유한다.

10. 10. 다음 블록도를 갖는 위상동기회로(PLL, Phase-Locked Loop)에 대한 설명으로 옳은 것은?

1. 위상동기회로에 의해 발생되는 주파수 fo는 수정 발진기(crystal reference oscillator) 주파수 fR과 동일하다.

2. 주파수가 fo인 신호가 N분주의 주파수 분주기에 입력되면 주파수가 Nfo로 높아진 신호로 출력된다.

3. 위상비교기(phase comparator)는 주파수 분주기의 출력신호와 수정 발진기 기준신호의 크기와 위상을 비교하여 두 신호의 크기와 위상이 같을 때만 신호를 출력한다.

4. 전압제어발진기(VCO)의 발진주파수 fo는 저역통과필터에서 출력되는 전압에 의해 결정되며, 발진기의 위상잡음이 작을수록 안정된 발진주파수를 얻을 수 있다.

11. 11. 다음 회로에서 제너다이오드에 흐르는 전류 IZ[mA]는? (단, 제너전압은 20[V]이다)

1. 0.01

2. 0.09

3. 10

4. 90

12. 12. 포화 영역에서 정상적으로 동작하는 MOSFET 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

1. 공통 소스 증폭기는 소신호 입력 저항이 작기 때문에 전압 증폭기로 사용하기에 적합하지 않다.

2. 공통 드레인 증폭기는 소신호 전압 이득이 크기 때문에 전압 증폭기로 사용하기에 적합하다.

3. 동일한 바이어스 전류를 사용하는 공통 드레인 증폭기의 소신호 입력 저항은 공통 게이트 증폭기의 소신호 입력 저항보다 크다.

4. 동일한 바이어스 전류를 사용하는 공통 소스 증폭기의 소신호 출력 저항은 공통 드레인 증폭기의 소신호 출력 저항보다 작다.

13. 13. 패킷교환망(packet-switched network)의 두 방식인 데이터그램망(datagram network)과 가상회선망(virtual circuit network)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. 데이터그램망에 의해서 전달되는 패킷들이 최종 목적지에 도착하는 순서는 송신된 패킷의 순서와 다를 수 있다.

2. 가상회선망에서는 모든 패킷이 동일한 경로를 따라 전달되므로 최종 목적지에 도착하는 순서가 송신되는 순서와 동일하다.

3. 데이터그램망의 교환기는 고정된 경로지정표(routing table)를 이용하여 경로를 선택한다.

4. 인터넷 기반 음성전화 서비스를 위해서는 가상회선망이 데이터그램망보다 적합하다.

14. 14. BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. BJT 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 것이 핀치-오프(pinch-off) 현상이다.

2. BJT 컬렉터-이미터 전압크기가 증가함에 따라 실효 베이스 폭이 감소하고 컬렉터 전류가 증가하는 것이 얼리(Early) 효과이다.

3. MOSFET의 드레인 전압을 계속 증가시키면 드레인 공핍영역이 소스 공핍영역과 닿는 것이 펀치-스루(punch-through) 현상이다.

4. MOSFET의 펀치-스루(punch-through) 현상이 발생하면 드레인 전류는 급격히 증가한다.

15. 15. n채널 증가형 MOSFET에서 드레인에 흐르는 전류를 ID라고 할 때, 채널 길이를 0.5배로 줄이고 채널 폭을 2배로 늘리면 드레인에 흐르는 전류는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하고, 산화층 정전용량, 전자 이동도, 문턱 전압, 게이트-소스 간 전압은 변하지 않는다고 가정한다)

1. 0.25 ID

2. 0.5 ID

3. 2 ID

4. 4 ID

16. 16. D 플립플롭을 이용한 다음 디지털 논리 회로의 진리표로 옳은 것은? (단, Q(t)와 Q(t+1)은 각각 플립플롭의 현재 상태와 한 클록 에지 후의 상태를 나타낸다)

17. 17. 다음 회로에서 다이오드 D1에 흐르는 전류 I[mA]는? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다)

2. 0.6

3. 0.9

4. 1.2

18. 18. 증폭기 회로와 전압이득 특성 곡선이 다음과 같을 때 옳지 않은 것은?

1. VCC＝5[V]이다.

2. C지점에서 가장 큰 전압이득(절댓값 기준)을 얻을 수 있다.

3. D지점보다 B지점에서 더 큰 전압이득(절댓값 기준)을 얻을 수 있다.

4. D지점은 포화영역, 활성화영역, 차단영역 중 차단영역에 해당한다.

19. 19. 다음 회로에서 세 입력전압 v1, v2, v3에 대한 출력전압 vo를 vo = Av1 + Bv2 + Cv3와 같이 표현할 때 A, B, C의 값으로 옳은 것은? (단, Ra = 4[kΩ], Rb = 5[kΩ], Rc = 10[kΩ], R1 = 1[kΩ], R2 = 2[kΩ], R3 = 2[kΩ]이고, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)