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(2003-03-16 기출문제 - 하나씩 풀이)1. 변위전류와 가장 관계가 깊은 것은?
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2. (일정)이란 전기력선 방정식이 성립할 수 있는 조건 중 틀린 것은?
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3. 쌍극자 모멘트가 M[C.m]인 전기쌍극자에 의한 임의의 점 P의 전계의 크기는 전기쌍극자의 중심에서 축방향과 점 P를 잇는 선분사이의 각이 얼마일 때 최대가 되는가?
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4. 공간 도체내의 한점에 있어서 자속이 시간적으로 변화하는 경우에 성립하는 식은?
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5. 자계의 세기 H[AT/m], 자속밀도 B[Wb/m2], 투자율 μ[H/m]인 곳의 자계의 에너지 밀도는 몇 J/m3 인가?
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6. 자유공간 중에서 전위 V=xyz[V]일 때 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 입방체에 존재하는 정전에너지는 몇 J 인가?
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7. 원통좌표계에서 전류밀도 j = Kr2az [A/m2]일 때 암페어의 법칙을 사용하여 자계의 세기 H 를 구하면? (단, K는 상수이다.)
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8. 단면적 S, 평균반지름 r, 권회수 N인 토로이드코일에 누설자속이 없는 경우, 자기인덕턴스의 크기는?
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9. 철심이 들어있는 환상코일에서 1차코일의 권수가100회일 때 자기인덕턴스는 0.01H이었다. 이 철심에 2차코일을 2000회 감았을 때 2차코일의 자기인덕턴스와 상호인덕턴스는 각각 몇 H 인가?
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10. 분극 중 온도의 영향을 받는 분극은?
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11. 그림과 같은 자기회로에서 R1, R2, R3는 각 회로의 자기 저항이고 Φ1, Φ2, Φ3는 각각 R1, R2, R3 에 투과되는 자속이라 하면 Φ3 의 값은? (단, R1⇒ , R2⇒ , R3⇒이다.)
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12. 내원통의 반지름 a, 외원통의 반지름 b인 동축원통 콘덴서의 내외 원통사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 Co이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 하고 공기대신 비유전률 9 인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량은?
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13. 내압이 1㎸이고 용량이 각각 0.01㎌, 0.02㎌, 0.04㎌인 콘덴서를 직렬로 연결했을 때 전체 콘덴서의 내압은 몇 V 인가?
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14. 그림에서 ℓ =100cm, S=10cm2, μs=100, N=1000회인 회로에 전류 I=10A를 흘렸을 때 저축되는 에너지는 몇 J 인가?
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15. 반지름 a[m]의 원판형 전기 2중층의 중심축상 x[m]의 거리에 있는 점 P(+전하측)의 전위는 몇 V 인가? (단, 2중층의 세기는 M[C/m]이다.)
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16. 반지름 a인 원형코일의 중심축상 r[m]의 거리에 있는 점 P의 자위는 몇 A 인가? (단, 점 P에 대한 원의 입체각을 ω, 전류를 I[A]라 한다.)
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17. 한변의 길이가 ℓ인 정사각형 도체에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심점 P의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
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18. 유전체 역률(tanδ)과 무관한 것은?
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19. 자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?
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20. 다음 사항 중 옳은 것은?
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21. α { f(t)} = F(S)일 때 는?
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22. 대칭 4단자 회로망의 영상 임피던스는?
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23. 다음 회로망은 T형 회로 및 π 형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 잘못 구하여 진것은?
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24. 단위 계단함수 U(t)와 지수 e-t의 컨볼루션 적분은?
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25. 상수 1의 라플라스 역변환은?
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26. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
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27. 페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?
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28. 다음 그림과 같은 4단자 회로의 어드미턴스 파라미터의 Y22는?
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29. R = 100 Ω , L = 25.3 mH, C = 100 μ F 인 R-L-C 회로에 V=100√2 sinω t인 전압을 인가할 때 위상각은? (단,f=100Hz)
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30. 컷 셋(cut-set)의 구성 요소는?
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31. 그림에 표시한 회로의 임피던스가 R이 되기 위한 조건은?
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32. 두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
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33. 선형 회로망에 가장 관계가 있는 것은?
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34. 이상 변압기의 권선비는?
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35. S-평면상에 영점(0)과 극(x)이 그림과 같이 표현되는 함수는?
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36. R-L-C 직렬회로에 t=0 인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분방정식은?
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37. 다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?
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38. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?
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39. 저항 3Ω과 리액턴스 4Ω을 병렬 연결한 회로의 역률은?
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40. 다음 회로에 중첩의 정리를 써서 2[Ω ]의 저항에 흐르는 전류 i를 구하면?
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41. 다음과 같은 이득이 A인 연산증폭기 회로에서 출력전압 Vo를 나타내는 것은?(단, Vi는 입력 신호 전압이다.)
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42. 다음 회로에서 Ico에 대한 Ic의 안정계수는?
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43. 다음 회로에서 C1, C2, C3의 리액턴스가 신호 주파수에서 매우 적은 경우 콘덴서 C3를 제거 한다면?
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44. 다음 회로에서 전압 이득을 구하면? (hie = 1[㏀], β = hfe = 50, VBE = 0.7V)
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45. computer가 외부와 교류하여 상호 정보교환을 하는 데는 interrupt, polling, DMA, I/O등이 있다. 이들의 총칭은?
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46. 트랜지스터의 밀러(Miller)입력 저항 성분은 주파수가 0에서 fH까지 증가함에 따라 어떻게 되는가? (단, fH:High 3㏈ 주파수)
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47. 궤환 회로를 포함한 직렬형 정전압 회로의 특징을 잘못 기술한 것은?
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48. 궤환증폭회로에서 전압증폭도 라 할 때 부궤환의 조건은?(단, A는 부궤환시의 증폭도이다.)
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49. 궤환 발진기의 바크하우젠(Barkhausen)의 발진 조건은?
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50. PN접합 다이오드의 온도와 역포화 전류와의 관계를 올바르게 나타낸 것은?
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51. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
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52. 다음과 같은 comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?
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53. 저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V] 제2 및 제3 고조파 전압이 각 각 4[V]와 3[V]라면 이 경우의 왜율은?
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54. 부궤환 증폭기의 특성으로 옳지 않은 것은?
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55. 그림회로에서 V2에 해당되는 출력 전압을 나타낸 식은?
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56. 그림의 논리 다이어그램이 나타내는 논리식은?
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57. 710을 그레이 코드(gray code)로 변환하면?
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58. ECL 회로의 특징을 설명한 것 중 옳지 않은 것은?
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59. 부궤환 증폭기에서 궤환이 없을 때 전압이득이 60[dB]이고, 궤환율이 0.01일 때 증폭기의 이득은?
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60. 다음 게이트 중 출력을 직접 연결하여 OR 게이트로 연결된 것처럼 쓸 수 있는 출력 방식은?
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61. 발광 다이오드(LED)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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62. 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 P와 전자 밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명 중 옳은 것은?
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63. 정지하고 있는 전자를 V[V]의 전위차로 가속 시킬 때의 속도를 구하는 식은?
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64. 전자 볼트(electron volt)에 대한 설명으로 옳은 것은?
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65. 다음의 방전 중에서 비교적 낮은 전압 강하로 큰 전류를 얻는 것은?
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66. 진성 반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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67. 고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?
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68. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가르키는 것은?
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69. Si 결정에서의 전자 이동도는 T=300[K]에서 0.12[m2/Volt-sec] 이다. 상온에서 전자의 확산계수는? (단, 볼쯔만 상수 k=8.63×10-5[eV/K]이다.)
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70. 열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
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71. 2중 베이스 다이오드라고도 불리어지는 소자는?
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72. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?
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73. 절대온도 00K 에서 진성 반도체는 어느 것과 같은가?
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74. 300[° K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?
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75. 드브로이(de Broglie) 물질파의 개념에서 볼 때 전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는?
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76. 전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?
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77. 다음 레이저(LASER)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
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78. PN 접합 다이오드의 용량에는 확산용량 Cd와 접합용량 Ct가 있다. 다음 중 옳은 것은?
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79. 온도가 상승하면 N형 반도체의 Fermi 준위는 어디에 위치하게 되는가?
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80. Pn 접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가 할 때 나타나는 현상을 바르게 설명한 것은?(단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)
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81. 가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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82. 보통의 마이크로프로세서 코드에서 오퍼랜드가 될 수 없는 것은?
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83. 마이크로 프로그램을 이용한 제어장치를 사용하는 컴퓨터의 특성이 아닌 것은?
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84. 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
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85. 다음의 자료처리에 큐(queue)의 사용이 적당하지 않은 것은?
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86. 마이크로 프로그램의 설명 중 가장 적당한 것은?
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87. 1024 x 16비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?
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88. 다음 보기의 주소지정방식은?
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89. 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?
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90. 분산처리시스템은 마이크로프로세서의 발달과 마이크로 컴퓨터의 대량 보급으로 더욱 확산되고 있다. 이러한 분산처리시스템의 장점이 아닌 것은?
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91. 다음 번지지정방식 중에서 OP 코드 자신이 특정 레지스터의 동작을 지정하여 주는 것은?
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92. 다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(Accumulator) 에서 이루어지는 형식은?
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93. 순서도의 사용에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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94. 마이크로프로세서의 control signal에 대한 설명 중 옳은 것은?
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95. 컴퓨터 시스템에서 입·출력 속도를 높이기 위해서 마이크로프로세서의 제어를 받지 않고 직접 메모리를 Access하는 방법은?
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96. CPU는 처리 속도가 빠르고, 주변장치는 늦기 때문에 CPU를 효율적으로 사용하기 위한 방안으로 주변장치에서 요청이 있을 때만 Service를 해주고 그 외에는 CPU가 다른 일을 하는 방식은?
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97. 고급 언어로 작성된 프로그램을 컴퓨터가 이해할 수 있는 기계어로 번역해 주는 프로그램을 무엇이라고 하는가?
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98. 다음에 실행할 명령이 기억되어 있는 주기억장치의 주소를 가지고 있는 레지스터는?
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99. 다음 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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100. CPU가 입·출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?
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문제 목록
문제 정보
강의: 전자기사
연도: 2003-03-16
총 문제: 100문제
현재 문제: 1번