전자기사
(2003-03-16 기출문제)
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1. 1. 변위전류와 가장 관계가 깊은 것은?
1.
반도체
2.
유전체
3.
자성체
4.
도체
정답: 2번
2. 2. (일정)이란 전기력선 방정식이 성립할 수 있는 조건 중 틀린 것은?
1.
점전하 Qi가 일직선상에 있어야 한다.
2.
점전하 Qi가 시간적으로 불변이어야 한다.
3.
상수 C는 주위 매질에 관계없이 일정하다.
4.
점전하의 주위공간은 유전률이 같아야 한다.
정답: 3번
3. 3. 쌍극자 모멘트가 M[C.m]인 전기쌍극자에 의한 임의의 점 P의 전계의 크기는 전기쌍극자의 중심에서 축방향과 점 P를 잇는 선분사이의 각이 얼마일 때 최대가 되는가?
2.
π/2
3.
π/3
4.
π/4
정답: 1번
4. 4. 공간 도체내의 한점에 있어서 자속이 시간적으로 변화하는 경우에 성립하는 식은?
1.
Curl
2.
Curl
3.
Curl
4.
Curl
정답: 4번
5. 5. 자계의 세기 H[AT/m], 자속밀도 B[Wb/m2], 투자율 μ[H/m]인 곳의 자계의 에너지 밀도는 몇 Ｊ/m3 인가?
1.
BH
정답: 4번
6. 6. 자유공간 중에서 전위 V=xyz[V]일 때 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 입방체에 존재하는 정전에너지는 몇 Ｊ 인가?
정답: 1번
7. 7. 원통좌표계에서 전류밀도 ｊ = Kr2az [A/m2]일 때 암페어의 법칙을 사용하여 자계의 세기 H 를 구하면? (단, K는 상수이다.)
정답: 2번
8. 8. 단면적 S, 평균반지름 r, 권회수 N인 토로이드코일에 누설자속이 없는 경우, 자기인덕턴스의 크기는?
1.
권선수의 자승에 비례하고 단면적에 반비례한다.
2.
권선수 및 단면적에 비례한다.
3.
권선수의 자승 및 단면적에 비례한다.
4.
권선수의 자승 및 평균 반지름에 비례한다.
정답: 3번
9. 9. 철심이 들어있는 환상코일에서 1차코일의 권수가100회일 때 자기인덕턴스는 0.01H이었다. 이 철심에 2차코일을 2000회 감았을 때 2차코일의 자기인덕턴스와 상호인덕턴스는 각각 몇 H 인가?
1.
자기인덕턴스: 0.02, 상호인덕턴스: 0.01
2.
자기인덕턴스: 0.01, 상호인덕턴스: 0.02
3.
자기인덕턴스: 0.04, 상호인덕턴스: 0.02
4.
자기인덕턴스: 0.02. 상호인덕턴스: 0.04
정답: 3번
10. 10. 분극 중 온도의 영향을 받는 분극은?
1.
전자분극(electronic polarization)
2.
이온분극(ionic polarization)
3.
배향분극(orientational polarization)
4.
전자분극과 이온분극
정답: 3번
11. 11. 그림과 같은 자기회로에서 R1, R2, R3는 각 회로의 자기 저항이고 Φ1, Φ2, Φ3는 각각 R1, R2, R3 에 투과되는 자속이라 하면 Φ3 의 값은? (단, R1⇒ , R2⇒ , R3⇒이다.)
3.
(N2I2-N1I1)R1R2
정답: 4번
12. 12. 내원통의 반지름 a, 외원통의 반지름 b인 동축원통 콘덴서의 내외 원통사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 Co이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 하고 공기대신 비유전률 9 인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량은?
3.
Co
4.
9Co
정답: 4번
13. 13. 내압이 1㎸이고 용량이 각각 0.01㎌, 0.02㎌, 0.04㎌인 콘덴서를 직렬로 연결했을 때 전체 콘덴서의 내압은 몇 V 인가?
1.
1750
2.
2000
3.
3500
4.
4000
정답: 1번
14. 14. 그림에서 ℓ =100cm, S=10cm2, μs=100, N=1000회인 회로에 전류 Ｉ=10A를 흘렸을 때 저축되는 에너지는 몇 Ｊ 인가?
1.
2πx10-1
2.
2πx10-2
3.
2πx10-3
4.
2π
정답: 4번
15. 15. 반지름 a[m]의 원판형 전기 2중층의 중심축상 x[m]의 거리에 있는 점 P(+전하측)의 전위는 몇 V 인가? (단, 2중층의 세기는 M[C/m]이다.)
정답: 2번
16. 16. 반지름 a인 원형코일의 중심축상 r[m]의 거리에 있는 점 P의 자위는 몇 A 인가? (단, 점 P에 대한 원의 입체각을 ω, 전류를 Ｉ[A]라 한다.)
2.
4πωＩ
정답: 4번
17. 17. 한변의 길이가 ℓ인 정사각형 도체에 전류 Ｉ[A]가 흐르고 있을 때 중심점 P의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
1.
16πℓ Ｉ
2.
4πℓ Ｉ
정답: 4번
18. 18. 유전체 역률(tanδ)과 무관한 것은?
1.
주파수
2.
정전용량
3.
인가전압
4.
누설저항
정답: 3번
19. 19. 자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
자기회로의 길이에 반비례한다.
2.
자기회로의 단면적에 비례한다.
3.
비투자율에 반비례한다.
4.
길이의 제곱에 비례하고 단면적에 반비례한다.
정답: 3번
20. 20. 다음 사항 중 옳은 것은?
1.
텔레비젼(TV)은 전자를 발생시키는 전자총과, 전계를 걸어 전자의 방향을 구부러지게 하는 편향코일과 전자가 면에 부디치면 특정한 색깔을 내는 금속이 칠해져 있는 브라운관을 구비하고 있다.
2.
자석을 영어로 마그넷트(magnet)라고 하는 이유는 고대 희랍의 마그네시아라고 불리워지는 지방에서 철을 흡인하는 돌이 취해졌기 때문이다.
3.
모피(毛皮)로 호박(amber, 琥珀)을 마찰하면 그 에너지를 받아 모피에서 음전기를 띤 자유전자가 호박으로 옮겨져, 모피는 음(-)전기를 띠고 호박은 양전기(+)를 띤다.
4.
쿨롱은 전계와 자계의 세기 및 음극선의 구부러지는 정도에서 전자의 비전하(전하량/질량)를 계산하였다.
정답: 2번
21. 21. α { f(t)} = F(S)일 때 는?
정답: 4번
22. 22. 대칭 4단자 회로망의 영상 임피던스는?
정답: 3번
23. 23. 다음 회로망은 T형 회로 및 π 형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 잘못 구하여 진것은?
1.
A = 7
2.
B = 48
3.
C = 6
4.
D = 7
정답: 3번
24. 24. 단위 계단함수 U(t)와 지수 e-t의 컨볼루션 적분은?
1.
e-t
2.
1 / e-t
3.
1 - e-t
4.
1 + e-t
정답: 3번
25. 25. 상수 1의 라플라스 역변환은?
1.
μ (t)
2.
t
3.
δ (t)
4.
r(t)
정답: 3번
26. 26. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
1.
20 [K Var]
2.
40 [K Var]
3.
60 [K Var]
4.
80 [K Var]
정답: 3번
27. 27. 페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?
1.
12.9 + j48.3
2.
-25 + j43.3
3.
25 + j43.3
4.
2.8 + j2.8
정답: 1번
28. 28. 다음 그림과 같은 4단자 회로의 어드미턴스 파라미터의 Y22는?
1.
Y1+Y2
2.
Y2+Y3
3.
Y3
4.
Y2
정답: 2번
29. 29. R = 100 Ω , L = 25.3 mH, C = 100 μ F 인 R-L-C 회로에 V=100√2 sinω t인 전압을 인가할 때 위상각은? (단,f=100Hz)
1.
-30°
2.
0°
3.
30°
4.
60°
정답: 2번
30. 30. 컷 셋(cut-set)의 구성 요소는?
1.
하나의 나무가지(tree branch)와 링크(link)들
2.
루프(loop)와 분기((branch)
3.
접속점(node)과 루프
4.
링크(link)와 루프
정답: 1번
31. 31. 그림에 표시한 회로의 임피던스가 R이 되기 위한 조건은?
3.
Z1Z2=R2
4.
Z1Z2=R
정답: 3번
32. 32. 두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
1.
K· V· L → K· C· L
2.
테브낭 정리 → 노튼 정리
3.
전압원 → 전류원
4.
폐로전류 → 절점전류
정답: 4번
33. 33. 선형 회로망에 가장 관계가 있는 것은?
1.
키르히호프의 법칙
2.
테브난의 정리
3.
중첩의 정리
4.
보상의 정리
정답: 3번
34. 34. 이상 변압기의 권선비는?
정답: 2번
35. 35. S-평면상에 영점(0)과 극(x)이 그림과 같이 표현되는 함수는?
1.
단위계단 함수
2.
sin ω t
3.
e-α tsinω t
4.
e-α tcosω t
정답: 4번
36. 36. R-L-C 직렬회로에 t＝0 인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분방정식은?
정답: 2번
37. 37. 다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?
정답: 2번
38. 38. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?
정답: 4번
39. 39. 저항 3Ω과 리액턴스 4Ω을 병렬 연결한 회로의 역률은?
1.
0.2
2.
0.4
3.
0.6
4.
0.8
정답: 4번
40. 40. 다음 회로에 중첩의 정리를 써서 2[Ω ]의 저항에 흐르는 전류 i를 구하면?
1.
2[A]
2.
-0.6[A]
3.
1.4[A]
4.
-1.4[A]
정답: 3번
41. 41. 다음과 같은 이득이 A인 연산증폭기 회로에서 출력전압 Vo를 나타내는 것은?(단, Vi는 입력 신호 전압이다.)
1.
RCVi
정답: 2번
42. 42. 다음 회로에서 Ico에 대한 Ic의 안정계수는?
1.
β
2.
β + 1
3.
β Rb
4.
β Rc/Rb
정답: 2번
43. 43. 다음 회로에서 C1, C2, C3의 리액턴스가 신호 주파수에서 매우 적은 경우 콘덴서 C3를 제거 한다면?
1.
이득증가
2.
이득감소
3.
발진한다.
4.
변동없다.
정답: 2번
44. 44. 다음 회로에서 전압 이득을 구하면? (hie = 1[㏀], β = hfe = 50, VBE = 0.7V)
1.
Av = 4.8
2.
Av = -3.3
3.
Av = -4.8
4.
Av = 3.3
정답: 3번
45. 45. computer가 외부와 교류하여 상호 정보교환을 하는 데는 interrupt, polling, DMA, I/O등이 있다. 이들의 총칭은?
1.
Arithmetics
2.
Interface
3.
Halt
4.
Control
정답: 2번
46. 46. 트랜지스터의 밀러(Miller)입력 저항 성분은 주파수가 0에서 fH까지 증가함에 따라 어떻게 되는가? (단, fH:High 3㏈ 주파수)
1.
줄어든다.
2.
증가한다.
3.
변화하지 않는다.
4.
감소하다 증가한다.
정답: 1번
47. 47. 궤환 회로를 포함한 직렬형 정전압 회로의 특징을 잘못 기술한 것은?
1.
부하가 가벼울 때의 효율은 병렬형에 비하여 휠씬 크다.
2.
출력 전압의 넓은 범위에 걸쳐 쉽게 설계할수 있다.
3.
증폭단을 증가시킴으로써 출력저항을 크게할수 있다.
4.
증폭단을 증가시킴으로써 전압안정 계수를 매우 작게 할수 있다.
정답: 3번
48. 48. 궤환증폭회로에서 전압증폭도 라 할 때 부궤환의 조건은?(단, A는 부궤환시의 증폭도이다.)
1.
|1 - Aβ |＜ 1
2.
Aβ = ∞
3.
Aβ = 1
4.
| 1 - Aβ | ＞ 1
정답: 4번
49. 49. 궤환 발진기의 바크하우젠(Barkhausen)의 발진 조건은?
1.
β A = ∞
2.
β A = 0
3.
β A = 1
4.
β A ≤ 1
정답: 3번
50. 50. PN접합 다이오드의 온도와 역포화 전류와의 관계를 올바르게 나타낸 것은?
1.
역포화 전류는 온도가 10[℃ ]증가함에 따라 직선적으로 감소한다.
2.
역포화 전류는 온도에 관계없이 항상 일정하다.
3.
역포화 전류는 온도가 10[℃] 증가함에 따라 직선적으로 증가한다.
4.
온도가 10[℃] 증가할 때마다 역포화 전류는 약 2배씩 증가한다.
정답: 4번
51. 51. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
1.
1
2.
6.3
3.
16
4.
10π
정답: 2번
52. 52. 다음과 같은 comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?
1.
구형파형
2.
정현파형
3.
ramp 파형
4.
톱니파형
정답: 1번
53. 53. 저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V] 제2 및 제3 고조파 전압이 각 각 4[V]와 3[V]라면 이 경우의 왜율은?
1.
5 %
2.
10 %
3.
15 %
4.
20 %
정답: 1번
54. 54. 부궤환 증폭기의 특성으로 옳지 않은 것은?
1.
잡음이 1/1-β A 만큼 감소한다.
2.
이득이 1/1-β A로 감소한다.
3.
주파수 대역이 1/1-β A로 좁아진다.
4.
안정도가 1/1-β A 만큼 개선된다.
정답: 3번
55. 55. 그림회로에서 V2에 해당되는 출력 전압을 나타낸 식은?
정답: 4번
56. 56. 그림의 논리 다이어그램이 나타내는 논리식은?
1.
Z = X+Y
2.
Z = X·Y
정답: 1번
57. 57. 710을 그레이 코드(gray code)로 변환하면?
1.
0100
2.
0101
3.
1010
4.
0010
정답: 1번
58. 58. ECL 회로의 특징을 설명한 것 중 옳지 않은 것은?
1.
이 회로의 출력은 각각 OR, NAND 출력이 된다.
2.
출력 임피던스가 낮고, fan out가 크다.
3.
소비 전력이 크다.
4.
noise margin이 적다.
정답: 1번
59. 59. 부궤환 증폭기에서 궤환이 없을 때 전압이득이 60[dB]이고, 궤환율이 0.01일 때 증폭기의 이득은?
1.
30[dB]
2.
40[dB]
3.
60[dB]
4.
80[dB]
정답: 2번
60. 60. 다음 게이트 중 출력을 직접 연결하여 OR 게이트로 연결된 것처럼 쓸 수 있는 출력 방식은?
1.
토템폴(Totem-pole)
2.
ECL(Emitter-Coupled Logic)
3.
3-상태(tri-state) 출력
4.
TTL(Transistor-Transistor Logic)
정답: 3번
61. 61. 발광 다이오드(LED)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
GaP, GaAsP 등 화합물 반도체로 만들어진다.
2.
PN 접합이 순바이어스 되었을 때 전자와 정공의 재결합 과정에서 빛이 발생된다.
3.
액정 디스플레이(liquid-crystal display;LCD) 보다 소비 전력이 작다.
4.
LED에 흐르는 전류에 따라 상대 광도가 선형적으로 변하는 특성을 갖는다.
정답: 3번
62. 62. 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 P와 전자 밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명 중 옳은 것은?
1.
온도 및 금지대의 에너지 폭의 함수이다.
2.
불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
3.
불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
4.
온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
정답: 2번
63. 63. 정지하고 있는 전자를 V[V]의 전위차로 가속 시킬 때의 속도를 구하는 식은?
정답: 1번
64. 64. 전자 볼트(electron volt)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
전자가 1[J]의 에너지를 얻는데 필요한 전압이다.
2.
1[eV]=1[J]이다.
3.
전자 1개가 1 volt의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지이다.
4.
전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 전압이다.
정답: 3번
65. 65. 다음의 방전 중에서 비교적 낮은 전압 강하로 큰 전류를 얻는 것은?
1.
타운센트 방전
2.
그로우 방전
3.
아크 방전
4.
네온사인
정답: 3번
66. 66. 진성 반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
단위 체적당 전도대 중의 전자의 수와 단위 체적당 가전자대 중의 정공의 수는 같다.
2.
운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다.
3.
반도체의 저항 온도계수는 양(+)이다.
4.
Fermi 준위는 어떤 온도에서든지 전도대와 가전자대의 중앙에 위치한다.
정답: 3번
67. 67. 고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?
1.
차단 주파수를 높게 한다.
2.
베이스 확산 저항을 작게 한다.
3.
켈렉터 접합 면적을 작게 한다.
4.
확산하는 소수 캐리어의 확산 정수를 작게 한다.
정답: 4번
68. 68. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가르키는 것은?
1.
광 에너지
2.
운동 에너지
3.
페르미 준위
4.
일 함수
정답: 4번
69. 69. Si 결정에서의 전자 이동도는 T=300[K]에서 0.12[m2/Volt-sec] 이다. 상온에서 전자의 확산계수는? (단, 볼쯔만 상수 k=8.63×10-5[eV/K]이다.)
1.
2.1×10-3[m2/sec]
2.
2.5×10-5[m2/sec]
3.
3.1×10-3[m2/sec]
4.
3.5×10-5[m2/sec]
정답: 3번
70. 70. 열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
고온으로 가열하면 전자가 튀어나오는 현상
2.
열전자 방사량은 금속의 절대온도에 비례한다.
3.
열전자 방사량은 열음극의 일함수와 관계가 있다.
4.
열전자 방출에 의해 schottky 효과가 발생한다.
정답: 2번
71. 71. 2중 베이스 다이오드라고도 불리어지는 소자는?
1.
유니정션 트랜지스터(unijunction transistor)
2.
실리콘 제어 정류기
3.
PNPN 다이오드
4.
다중 이미터 트랜지스터
정답: 1번
72. 72. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?
1.
전류와 전압
2.
전류와 온도
3.
전압과 정전용량
4.
주파수와 정전용량
정답: 3번
73. 73. 절대온도 00K 에서 진성 반도체는 어느 것과 같은가?
1.
반도체
2.
절연체
3.
도체
4.
자성체
정답: 2번
74. 74. 300[° K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?
1.
0.02
2.
0.1
3.
0.9
4.
0.98
정답: 4번
75. 75. 드브로이(de Broglie) 물질파의 개념에서 볼 때 전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는?
1.
정지상태
2.
직선운동
3.
나선운동
4.
원운동
정답: 1번
76. 76. 전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?
1.
2개
2.
4개
3.
8개
4.
18개
정답: 2번
77. 77. 다음 레이저(LASER)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
레이저는 코히렌트(coherent)한 평면파동이다.
2.
기체 레이저는 연속적으로 광파를 방출할 수 있다.
3.
레이저는 지향성을 가진다.
4.
레이저는 자연 방출(spontaneous emission)을 이용한다.
정답: 4번
78. 78. PN 접합 다이오드의 용량에는 확산용량 Cd와 접합용량 Ct가 있다. 다음 중 옳은 것은?
1.
바이어스 전압에 관계없이 Cd = Ct 이다.
2.
순 바이어스 때는 Cd ≫ Ct 이다.
3.
역 바이어스 때는 Cd ≫ Ct 이다.
4.
순 바이어스 때는 Ct ≫ Cd 이다.
정답: 2번
79. 79. 온도가 상승하면 N형 반도체의 Fermi 준위는 어디에 위치하게 되는가?
1.
전도대역쪽으로 접근
2.
금지대 영역 중앙으로 접근
3.
가전자대역쪽으로 접근
4.
금지대역 중앙과 가전자대역 중간
정답: 2번
80. 80. Pn 접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가 할 때 나타나는 현상을 바르게 설명한 것은?(단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)
1.
공핍층(depletion layer)의 넓이에 관계가 없다.
2.
공핍층이 더 넓어진다.
3.
공핍층이 좁아진다.
4.
공핍층이 없어진다.
정답: 2번
81. 81. 가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
컴퓨터시스템의 처리속도를 개선하기 위한 방법이다.
2.
컴퓨터의 기억용량을 확장하기 위한 것이 목적이다.
3.
관리 방식은 Paging과 segmentation 기법이 있다.
4.
주로 하드웨어 보다는 소프트웨어로 실현된다.
정답: 1번
82. 82. 보통의 마이크로프로세서 코드에서 오퍼랜드가 될 수 없는 것은?
1.
데이터
2.
데이터의 어드레스
3.
명령코드
4.
레지스터 이름
정답: 3번
83. 83. 마이크로 프로그램을 이용한 제어장치를 사용하는 컴퓨터의 특성이 아닌 것은?
1.
두 종류의 기억장치, 즉 주 메모리와 제어 메모리를 갖는다.
2.
주 메모리는 사용자가 그 내용을 변경시킬 수 없다.
3.
제어 메모리는 그 내용이 고정되어 있어 사용자가 직접 사용할 필요가 없게 되어 있다.
4.
각 명령들은 제어 메모리에 있는 일련의 마이크로 명령의 동작을 수행하게 한다.
정답: 2번
84. 84. 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
1.
폴링 방법에 의한 인터럽트
2.
데이지체인 방법에 의한 인터럽트
3.
수퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
4.
벡터 방식에 의한 인터럽트
정답: 1번
85. 85. 다음의 자료처리에 큐(queue)의 사용이 적당하지 않은 것은?
1.
명령문 인출
2.
재귀적(recursive) 서브루틴 호출
3.
프린터로 출력할 자료의 저장
4.
작업의 실행 순서를 정하는 스케줄링(scheduling)
정답: 2번
86. 86. 마이크로 프로그램의 설명 중 가장 적당한 것은?
1.
작은 보조기억장치에 저장된 프로그램이다.
2.
크기가 작은 프로그램을 말한다.
3.
컴퓨터에 하드웨어로 내장된 컴퓨터의 동작을 제어하기 위한 프로그램이다.
4.
마이크로 컴퓨터에서 사용되는 프로그램이다.
정답: 3번
87. 87. 1024 x 16비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?
1.
MAR=6bits, MBR=10bits
2.
MAR=10bits, MBR=6bits
3.
MAR=10bits, MBR=16bits
4.
MAR=18bits, MBR=10bits
정답: 3번
88. 88. 다음 보기의 주소지정방식은?
1.
자료자신(immediate addressing mode)
2.
직접주소지정방식(direct addressing mode)
3.
간접주소지정방식(indirect addressing mode)
4.
상대주소지정방식(relative addressing mode)
정답: 3번
89. 89. 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?
1.
AND
2.
Exclusive-OR
3.
OR
4.
NOR
정답: 2번
90. 90. 분산처리시스템은 마이크로프로세서의 발달과 마이크로 컴퓨터의 대량 보급으로 더욱 확산되고 있다. 이러한 분산처리시스템의 장점이 아닌 것은?
1.
오류 허용(Fault-tolerant) 시스템의 개발
2.
처리 속도의 증가
3.
소프트웨어 개발 시간의 단축
4.
가격 대 성능비의 향상
정답: 3번
91. 91. 다음 번지지정방식 중에서 OP 코드 자신이 특정 레지스터의 동작을 지정하여 주는 것은?
1.
인덱스 번지지정방식
2.
레지스터 간접 번지지정방식
3.
상대 번지지정방식
4.
임플라이드(implied) 번지지정방식
정답: 4번
92. 92. 다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(Accumulator) 에서 이루어지는 형식은?
1.
스택 구조 형식
2.
1번지 명령 형식
3.
2번지 명령 형식
4.
3번지 명령 형식
정답: 2번
93. 93. 순서도의 사용에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
프로그램 코딩의 직접적인 자료가 된다.
2.
프로그램의 내용과 일처리 순서를 파악하기 쉽다.
3.
프로그램 언어마다 다르게 표현되므로 공통적으로 사용 할 수 없다.
4.
오류 발생 시 그 원인을 찾아 수정하기 쉽다.
정답: 3번
94. 94. 마이크로프로세서의 control signal에 대한 설명 중 옳은 것은?
1.
micro operation 수행 명령을 보내는 신호
2.
micro operation 수행을 위하여 선택적으로 연결시켜 주는 signal
3.
I/O unit을 구동시키는 신호
4.
micro operation의 clock을 결정해 주는 신호
정답: 2번
95. 95. 컴퓨터 시스템에서 입·출력 속도를 높이기 위해서 마이크로프로세서의 제어를 받지 않고 직접 메모리를 Access하는 방법은?
1.
Input/Output Interface 방식
2.
Direct I/O Control 방식
3.
Indirect Microprocessor Control 방식
4.
DMA(Direct Memory Access) 방식
정답: 4번
96. 96. CPU는 처리 속도가 빠르고, 주변장치는 늦기 때문에 CPU를 효율적으로 사용하기 위한 방안으로 주변장치에서 요청이 있을 때만 Service를 해주고 그 외에는 CPU가 다른 일을 하는 방식은?
1.
Parallel Processing
2.
Interrupt
3.
Isolated I/O
4.
DMA
정답: 2번
97. 97. 고급 언어로 작성된 프로그램을 컴퓨터가 이해할 수 있는 기계어로 번역해 주는 프로그램을 무엇이라고 하는가?
1.
컴파일러(Compiler)
2.
어셈블러(Assembler)
3.
유틸리티(Utility)
4.
연계 편집 프로그램
정답: 4번
98. 98. 다음에 실행할 명령이 기억되어 있는 주기억장치의 주소를 가지고 있는 레지스터는?
1.
인스트럭션 레지스터(IR)
2.
프로그램 카운터(PC)
3.
메모리 버퍼 레지스터(MBR)
4.
메모리 번지 레지스터(MAR)
정답: 1번
99. 99. 다음 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
3-주소 명령어 형식은 세 개의 자료 필드를 갖고 있다.
2.
2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력자료가 항상 보존된다.
3.
1-주소 명령어 형식에서는 연산결과가 항상 누산기 (accumulator)에 기억된다.
4.
0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
정답: 2번
100. 100. CPU가 입·출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?
1.
Interrupt I/O
2.
Memory-mapped I/O
3.
Isolated I/O
4.
Programmed I/O
정답: 2번