전자기사
(2003-08-31 기출문제)
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1. 1. 공기 중에 반지름 r[m]의 매우 긴 평행 왕복도체가 d[m]의 간격으로 놓여있을 때 단위 길이당의 정전용량은 몇 F/m인가? (단, r≪d 이다.)
정답: 1번
2. 2. 다음중 stock's 정리는?
정답: 4번
3. 3. 내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 자기차폐에 좋은 물질은?
1.
강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질
2.
강자성체 중에서 비투자율이 작은 물질
3.
비투자율이 1 보다 작은 역자성체
4.
비투자율에 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질
정답: 1번
4. 4. 그림 1과 같은 비투자율 1000, 평균길이 ℓ 인 균일한 단면을 갖는 환상철심에 N회의 코일을 감아 I[A]의 전류를 흘렸을 때 철심내를 통하는 자속이 ø[Wb] 이었다. 이 철심에 그림 2와 같이 간격 ℓ/1000 인 공극을 만들었을 때, 동일 전류로 같은 자속을 얻자면 코일의 권수를 얼마로 하면 되는가?
1.
N회
2.
1.2N회
3.
1.5N회
4.
2N회
정답: 4번
5. 5. 유전률이 ε1, ε2 인 유전체 경계면에 수직으로 전계가 작용할 때 단위면적당에 작용하는 수직력은?
정답: 4번
6. 6. 그림과 같은 1m당 권선수 n, 반지름 a[m]의 무한장 솔레노이드에서 자기인덕턴스는 n과 a사이에 어떤 관계가 있는가?
1.
a와는 상관없고 n2 에 비례한다.
2.
a와 n의 곱에 비례한다.
3.
a2 과 n2 의 곱에 비례한다.
4.
a2 에 반비례하고 n2 에 비례한다.
정답: 3번
7. 7. 10㎜의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐를 때 단위시간에 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?
1.
7.85×1016
2.
20.45×1015
3.
31.25×1019
4.
50×1019
정답: 3번
8. 8. 자유공간 중에 x = 2, z = 4인 무한장 직선상에 ρL[C/m]인 균일한 선전하가 있다. 점(0,0,4)의 전계 E 는?
정답: 1번
9. 9. 반지름 a[m]의 접지 구도체 중심에서 d[m](d＞a) 떨어진 점에 점전하 Q[C]이 있을 때 점전하와 접지 구도체사이에 작용하는 힘의 크기는 몇 N 인가?
정답: 1번
10. 10. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
유전체의 전속밀도는 도체에 준 진전하 밀도와 같다.
2.
유전체의 전속밀도는 유전체의 분극전하 밀도와 같다.
3.
유전체의 분극선의 방향은 -분극전하에서 +분극전하로 향하는 방향이다.
4.
유전체의 분극도는 분극전하 밀도와 같다.
정답: 2번
11. 11. ohm의 법칙을 미분형으로 표시하면?
1.
i = E/ρ
2.
i = ρE
3.
i = ▽E
4.
i = div E
정답: 1번
12. 12. 강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J 의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
1.
J 는 B 와 같다.
2.
J 는 B 보다 약간 작다.
3.
J 는 B 보다 약간 크다.
4.
J 는 B 보다 대단히 크다.
정답: 2번
13. 13. 평등전계 E[V/m]인 절연유(비유전률 5) 중에 있는 구형기포 중의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
정답: 3번
14. 14. 반지름이 1㎜이고, 3μC의 전하를 가진 도체구를 비유전률 5인 기름에서 공기 중으로 꺼내는데 필요한 에너지는 몇 J인가?
1.
7.2
2.
14.4
3.
28.8
4.
32.4
정답: 4번
15. 15. TEM(횡전자파)은?
1.
진행방향의 E , H 성분이 모두 존재한다.
2.
진행방향의 E , H 성분이 모두 존재하지 않는다.
3.
진행방향의 E 성분만 존재하고 H 성분은 존재하지 않는다.
4.
진행방향의 H 성분만 존재하고 E 성분은 존재하지 않는다.
정답: 2번
16. 16. 길이 ℓ[m]인 동축 원통도체의 내외원통에 각각 +λ, -λ [C/m]의 전하가 분포되어 있다. 내외 원통사이에 유전률 ε인 유전체가 채워져 있을 때, 전계의 세기는 몇 V/m인가? (단, a, b는 내외 원통의 반지름이고 원통 중심에서의 거리 r은 a＜r＜b인 경우이다.)
정답: 1번
17. 17. 반지름 a[m]인 원에 내접하는 정 n 변형의 회로에 I[A]가 흐를 때, 그 중심에서의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?
정답: 1번
18. 18. 30V/m의 전계내의 60V 되는 점에서 1μC의 전하를 전계방향으로 70cm 이동한 경우, 그 점의 전위는 몇 V 인가?
1.
9
2.
21
3.
39
4.
51
정답: 3번
19. 19. 자화율(magnetic susceptibility) x는 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?
1.
x = 0
2.
x ＞0
3.
x＜ 0
4.
x = 1
정답: 2번
20. 20. 균일하게 원형단면을 흐르는 전류 I[A]에 의한, 반지름 a[m], 길이 ℓ [m], 비투자율 μr인 원통도체의 내부 인덕턴스는 몇 H 인가?
2.
10-7, μ, ℓ
3.
2×10-7, μ, ℓ
정답: 1번
21. 21. 지수함수 e-αt의 라플라스 변환은?
1.
1/S-α
2.
1/S+α
3.
S+α
4.
S-α
정답: 2번
22. 22. 단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
1.
유효전력
2.
무효전력
3.
평균전력
4.
피상전력
정답: 4번
23. 23. 다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21는?
1.
Y11= 1/Za, Y21= 1/Zb
2.
Y11= 1/Zb, Y21= 1/Za
3.
Y11= 1/Za, Y21=- 1/Za
4.
Y11= 1/Zb, Y21=- 1/Zb
정답: 3번
24. 24. RC 고역필터에 폭이 T인 단일 구형파를 입력했을 때 출력파는 어느 것이 가장 가까운가? (단, 시정수 τ ≪ T)
정답: 2번
25. 25. RL 직렬 회로에 t = 0일 때,직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R = 50[Ω], L = 10[H]이다.)
1.
2(1-e5t)
2.
2(1-e-5t)
3.
1.96(1-et/5 )
4.
1.96(1+e-t/5)
정답: 2번
26. 26. 다음 변압기 결선에서 제3고조파를 발생하는 것은?
1.
△-Y
2.
Y-△
3.
△-△
4.
Y-Y
정답: 4번
27. 27. 그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?
1.
1 [A]
2.
2 [A]
3.
4 [A]
4.
5 [A]
정답: 1번
28. 28. 전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시벨(㏈) 인가?
1.
1.414
2.
1.732
3.
5.677
4.
8.686
정답: 4번
29. 29. 그림과 같은 회로에서 L1 = 3[H], L2 = 5[H], M = 2[H]일 때 a, b 간의 인덕턴스는?
1.
1.65[H]
2.
2.25[H]
3.
2.75[H]
4.
3.75[H]
정답: 3번
30. 30. 구동점 임피던스(driving-point impedance)함수에 있어서 극(pole)은?
1.
아무런 상태도 아니다.
2.
개방회로 상태를 의미한다.
3.
단락회로 상태를 의미한다.
4.
전류가 많이 흐르는 상태를 의미한다.
정답: 2번
31. 31. 다음 회로에서 Norton의 정리를 이용해서 콘덴서에 걸리는 전압을 구하면?
1.
V(S) = I(S)/(SL+R)SC+1
2.
V(S) = I(S)R/(SL+R)SC+1
3.
V(S) = I(S)/(SL+R)+1
4.
V(S) = I(S)R/(SL+R)SC
정답: 2번
32. 32. 그림과 같은 유도결합회로에서 단자 ab간의 합성 임피던스가 실수가 되기 위한 주파수 ω 의 값은?
정답: 4번
33. 33. 파형률에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
실효값을 평균값으로 나눈 값이다.
2.
클 수록 정류를 했을 때 효율이 좋아진다.
3.
어떠한 파형에 대하여도 그 값은 1 이상이다.
4.
동일한 파형에 대하여는 주파수에 관계없이 일정하다.
정답: 2번
34. 34. 그림과 같은 저항회로에서 합성저항이 Rab = 12[Ω]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?
1.
3
2.
4
3.
5
4.
6
정답: 1번
35. 35. 그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
1.
26
2.
30
3.
50
4.
68
정답: 1번
36. 36. 다음과 같은 회로에서 t = 0에서 스위치 K가 닫혔다. 전류의 파형이 오실로스코프에 나타났을 때 전류의 초기값이 10[mA]로 측정되었다. i(t)의 식은?
1.
i(t) = 102e-10t
2.
i(t) = 10-1e20t
3.
i(t) = 10-2e-20t
4.
i(t) = 10e10t
정답: 3번
37. 37. 회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?
1.
① - ③, ② - ⑤, ④ - ⑥
2.
① - ②, ③ - ⑥, ④ - ⑤
3.
① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥
4.
① - ③, ④ - ⑤, ② - ⑥
정답: 3번
38. 38. 2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?
1.
Norton의 정리
2.
Thevenin의 정리
3.
치환정리
4.
중첩의 원리
정답: 4번
39. 39. 다음 그림과 같은 그래프의 나무(Tree) 수는?
1.
4
2.
6
3.
16
4.
32
정답: 3번
40. 40. 2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?
1.
-3
3.
-1, -2, -3
4.
-1, -2
정답: 4번
41. 41. 다음과 같은 빈 브리지(Wine Bridge)형 발진 회로의 발진 주파수는?
정답: 1번
42. 42. 그림의 회로는?
1.
반가산기
2.
전가산기
3.
반감산기
4.
디코더
정답: 1번
43. 43. 그림에서 점유율(duty cycle)를 나타내는 식은?
1.
τ/B
2.
E/B
3.
τ/T
4.
E/T
정답: 3번
44. 44. 이상적인 연산 증폭기의 특성 중 옳지 않은 것은?
1.
입력 임피던스(Ri) = 0
2.
대역폭(BW) = ∞
3.
출력 임피던스(R0) = 0
4.
전압이득 │Av│ = ∞
정답: 1번
45. 45. 주어진 회로는 어떤 종류의 발진기인가?
1.
colpitts 발진기
2.
hartley 발진기
3.
wien bridge 발진기
4.
phase-shift 발진기
정답: 1번
46. 46. 그림과 같은 콜피츠(Colpitts) 발진기의 발진주파수는?
1.
≒ 850 ㎑
2.
≒ 200 ㎑
3.
≒ 205.5 ㎑
4.
≒ 2055 ㎑
정답: 3번
47. 47. 아래 연산증폭기 응용회로의 기능은?
1.
적분기
2.
미분기
3.
가산기
4.
감산기
정답: 2번
48. 48. 그림과 같은 회로에서 컬렉터 전류 Ic를 구하면? (단, β = 100 이고 실리콘 트랜지스터이며 VBE = 0.7[V]임)
1.
0.2 [㎃]
2.
0.5 [㎃]
3.
5 [㎃]
4.
20 [㎃]
정답: 4번
49. 49. 그림에서 A는 연산 증폭기이다. Vi - Vo의 관계는?
정답: 1번
50. 50. 십진수 13을 Excess-3 code로 변환하면?
1.
0110 1001
2.
1010 0101
3.
0100 0110
4.
0100 0010
정답: 3번
51. 51. 위상 변조(PM) 방식에서 변조 지수는?
1.
신호파의 진폭에 비례한다.
2.
신호파의 주파수에 비례한다.
3.
신호파의 진폭에 반비례한다.
4.
신호파의 주파수에 반비례한다.
정답: 1번
52. 52. B급 TR 푸시풀 전력 증폭기의 최대 출력은?
1.
Vcc2/RL
2.
Vcc2/2RL
3.
2Vcc2/RL
4.
Vcc2/4RL
정답: 2번
53. 53. 부궤환(negative feedback) 회로의 장점이 아닌 것은?
1.
내부 잡음 일부가 경감된다.
2.
비직선 일그러짐이 감소된다.
3.
입ㆍ출력 임피던스를 변화시킬 수 있다.
4.
이득이 높아지고, 주파수 특성이 평탄해진다.
정답: 4번
54. 54. 그림과 같은 쌍안정 멀티바이브레이터에서 Q1 → OFF, Q2 → ON 상태라고 할 때 C1과 C2 에 충전된 전압의 크기는 얼마인가?
1.
│VC1│ = │VC2│
2.
│VC1│ = │VC2│ = VCC
3.
│VC1│ ＞ │VC2│
4.
│VC1│ ＜ │VC2│
정답: 3번
55. 55. 다음 회로에서 Re의 중요한 역할은?
1.
출력증대
2.
주파수 대역증대
3.
바이어스 전압감소
4.
동작점의 안정화
정답: 4번
56. 56. 이미터 접지 증폭기에서 α = 0.98, ICO = 0.1[㎃]이고, IB = 0.2[㎃] 일 때 컬렉터 전류는 몇 [㎃]인가?
1.
12.5
2.
14
3.
14.8
4.
24.8
정답: 3번
57. 57. 트랜지스터의 고주파 특성으로 α차단 주파수(fα)는 무엇으로 결정되는가?
1.
컬렉터에 인가하는 전압에 비례한다.
2.
베이스 폭과 켈렉터 용량에 각각 반비례한다
3.
베이스 폭의 자승에 반비례하고, 컬렉터 확산 계수에 비례한다.
4.
이미터에 인가하는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
정답: 3번
58. 58. 그림과 같은 논리회로의 출력은? (단, A,B,C,D는 입력 단자이고, VO는 출력이다.)
1.
AB+CD
2.
A+B+C+D
3.
ABCD
4.
(A+B)(C+D)
정답: 4번
59. 59. 커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
1.
감소한다.
2.
증가한다.
3.
관계없다.
4.
주파수가 변화한다.
정답: 2번
60. 60. FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌것은?
1.
입력 임피던스가 크다.
2.
진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.
3.
이득×대역폭이 커서 고주파에서도 사용 가능하다.
4.
오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.
정답: 3번
61. 61. 주양자수 n이 3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?
1.
2
2.
8
3.
18
4.
32
정답: 3번
62. 62. 낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?
1.
바랙터(Varractor)
2.
바리스터(Varistor)
3.
세미스터(semistor)
4.
서미스터(thermistor)
정답: 2번
63. 63. Fermi-Dirac 분포 함수는?
1.
f(E) = 1/1-e(E-EF)/kT
2.
f(E) = 1/1+e(E-EF)/kT
3.
f(E) = 1-e(E-EF)/kT
4.
f(E) = 1+e(E-EF)/kT
정답: 2번
64. 64. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
채널의 폭에 비례한다.
2.
재료의 비유전율에 반비례한다.
3.
채널 부분의 도우핑 밀도에 비례한다.
4.
드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
정답: 1번
65. 65. 절대온도 0[°K]에서 진성 반도체의 모든 가전자는?
1.
전도대에 존재한다.
2.
금지대에 존재한다.
3.
가전자대에 존재한다.
4.
전도대와 가전자대에 존재한다.
정답: 3번
66. 66. 일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
금속의 종류에 따라 값이 다르다.
2.
일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
3.
표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
4.
전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.
정답: 2번
67. 67. 반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
1.
원 운동
2.
불규칙 운동
3.
포물선 운동
4.
타원 운동
정답: 2번
68. 68. 전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
1.
1600[m/s2]
2.
1.602× 10-14[m/s2]
3.
5.93× 105 [m/s2]
4.
1.75× 1016[m/s2]
정답: 4번
69. 69. 부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나는 것은?
1.
광 다이오드
2.
터널 다이오드
3.
제너 다이오드
4.
쇼트키 다이오드
정답: 2번
70. 70. 실리콘이 정제하기 어려운 이유는?
1.
에너지 밴드캡이 크다.
2.
단결정 형성이 안된다.
3.
표면 장력이 크다.
4.
녹는 온도가 높다.
정답: 4번
71. 71. 기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?
1.
양광주(positive column)
2.
부 글로우(negative glow)
3.
음극 글로우(cathode glow)
4.
패러데이 암부(faraday dark space)
정답: 4번
72. 72. 진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
1.
전도대 쪽으로 접근한다.
2.
가전자대 쪽으로 접근한다.
3.
도우너 준위에 접근한다.
4.
금지대 중앙에 위치한다.
정답: 4번
73. 73. 진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ωㆍm],전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/Vㆍsec], 0.05[m2/Vㆍsec] 이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?
1.
9.8×1010개/m3
2.
9.8×1012개/m3
3.
4.9×1013개/m3
4.
4.9×1016개/m3
정답: 4번
74. 74. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?
1.
확산에 의해서
2.
드리프트에 의해서
3.
컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
4.
이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
정답: 1번
75. 75. 물질의 구성과 관계없는 요소는?
1.
광자
2.
중성자
3.
양자
4.
전자
정답: 1번
76. 76. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1.
Saturation 현상
2.
break down 현상
3.
thermal runaway 현상
4.
pinch off 현상
정답: 3번
77. 77. 두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?
1.
홀(Hall) 효과
2.
광전(Photo) 효과
3.
지벡(Seebeck) 효과
4.
펠티어(Peltier) 효과
정답: 3번
78. 78. 균일 자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)
1.
mV/qB
2.
qB/m
3.
2πm/qB
4.
qB/2πm
정답: 2번
79. 79. 전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
2.
금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
3.
금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
4.
금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량 보다 전자 방출이 증가하는 현상을 Shottky 효과라 한다.
정답: 3번
80. 80. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
1.
역방향에서만 발생
2.
정전압이 높을 때만 발생
3.
바이어스가 영 일때 발생
4.
아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
정답: 4번
81. 81. 흐름도(flowchart)에서 기호는?
1.
프로세스(process)
2.
판단(decision)
3.
시작, 끝(terminal)
4.
반복(repeat)
정답: 3번
82. 82. DMA(Direct Memory Access) 장치의 역할은?
1.
CPU 대신 메모리에 연결된 버스의 사용권을 허가하는 역할을 한다.
2.
CPU로 옮길 데이터를 메모리에서 찾아 전송하는 역할을 한다.
3.
메모리와 입ㆍ출력장치 간에 대량의 자료를 전송하는 역할을 한다.
4.
CPU에서 입ㆍ출력장치로 데이터를 전송하는 역할을 한다.
정답: 3번
83. 83. 수행 시간이 길어 특수 목적의 기계 이외에는 별로 사용하지 않는 명령 형식이지만 연산 후 입력 자료가 변환되지 않고 보존되는 장점을 가진 명령 형식은?
1.
3-주소명령형식
2.
2-주소명령형식
3.
1-주소명령형식
4.
0-주소명령형식
정답: 1번
84. 84. 마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보 교환을 위해 필요한 물리적 연결을 무엇이라 하는가?
1.
I/O processor
2.
control line
3.
bus
4.
register
정답: 3번
85. 85. 컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입ㆍ출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?
1.
Polling
2.
Interrupt
3.
Paging
4.
Handshaking
정답: 4번
86. 86. 제어 신호를 발생하는 제어 데이터가 아닌 것은?
1.
중앙처리장치의 제어점을 제어하는 데이터
2.
메이저 상태간의 변천을 제어하는 데이터
3.
인스트럭션의 순서를 제어하는 데이터
4.
주변장치를 제어하는 데이터
정답: 4번
87. 87. 스택(stack)에 대한 설명 중 옳은 것은?
1.
가장 나중에 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
2.
가장 먼저 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
3.
저장한 순서에 관계없이 주소를 주면 자료를 읽을 수 있다.
4.
스택포인터(또는 스택의 top)는 가장 먼저 저장된 자료의 위치를 표시한다.
정답: 1번
88. 88. 그림과 같은 논리게이트 회로는 어떤 동작을 나타내고 있는가?
1.
A와 B입력에 대한 일치동작
2.
A ＞ B 판정 검출동작
3.
A ＜ B 판정 검출동작
4.
A와 B입력의 NAND 논리동작
정답: 1번
89. 89. 다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
1.
3-주소지정 방식
2.
2-주소지정 방식
3.
1-주소지정 방식
4.
0-주소지정 방식
정답: 3번
90. 90. 10진수 4와 10진수 13에 해당하는 그레이 코드(gray code)를 비트 단위(bitwise) OR 연산을 하면 결과는?
1.
0110
2.
1011
3.
0010
4.
1111
정답: 4번
91. 91. A, B가 각각 합하는 수의 비트이고 Co가 낮은 자리에서의 올림수 비트일 때 전가산기의 합(S)에 대한 불 함수로 옳지 않은 것은?
3.
S=(A ⊕ B) ⊕ Co
정답: 4번
92. 92. 휘발성(volatile)과 가장 밀접한 관계를 갖는 메모리는?
1.
RAM
2.
ROM
3.
PROM
4.
EPROM
정답: 1번
93. 93. 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
1.
스택
2.
벡터 인터럽트
3.
폴링
4.
핸드쉐이킹
정답: 3번
94. 94. 논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
1.
OR
2.
AND
3.
EX-OR
4.
NOT
정답: 2번
95. 95. 16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
1.
-216 ~ 216
2.
-216-1 ~ 216+1
3.
-215 ~ 215
4.
-215 ~ 215-1
정답: 4번
96. 96. 부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
1.
인코더
2.
디코더
3.
디멀티플렉서
4.
멀티플렉서
정답: 2번
97. 97. 인스트럭션 수행을 위한 마이크로 오퍼레이션 중 우선적으로 이루어져야 하는 것은?
1.
MBR ← PC
2.
MAR ← PC
3.
PC ← PC+1
4.
IR ← MBR
정답: 2번
98. 98. interrupt 중에서 operator에 의하여 발생되는 것은?
1.
I/O interrupt
2.
program interrupt
3.
external interrupt
4.
supervisor call interrupt
정답: 3번
99. 99. 다음 명령은 명령 형식 중 어디에 속하는가?
1.
3번지 명령
2.
2번지 명령
3.
1번지 명령
4.
0번지 명령
정답: 1번
100. 100. 운영체제를 설명한 것이 아닌 것은?
1.
사용자와 하드웨어간의 중간 대화 통로
2.
컴퓨터 시스템 장치를 효율적으로 관리
3.
컴퓨터를 사용자가 편리하게 이용 가능
4.
업무에 사용하도록 개발한 응용프로그램
정답: 4번