전자기사
(2004-09-05 기출문제)
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1. 1. 진공 중의 도체계에서 콘덴서 극판의 면적을 2배로 하면 정전용량은 몇 배로 되는가? (단, 극판 간격은 일정하다.)
1.
1/2배
2.
1/4배
3.
4배
4.
2배
정답: 4번
2. 2. 다음 설명 중 잘못된 것은?
1.
적산전력계의 아라고판(Alago Plate)의 회전은 이동자계의 원리에 의한다.
2.
전자렌지(microwave oven)의 발열원리는 전자유도에 의한다.
3.
전자조리기의 발열원리는 전자유도에 의한다.
4.
토스터(toaster)기의 발열원리는 주울열에 의한다.
정답: 2번
3. 3. 선밀도 λ[C/m]인 무한장 직선도체를 축으로 하는 반지름 a[m]인 원통면상의 전계는 몇 V/m 인가?
정답: 1번
4. 4. 평균 자로의 길이가 10cm, 평균 단면적이 2cm2 인 원형 솔레노이드의 자기인덕턴스를 1.2mH 정도로 하고자 한다. 여기에 필요한 권선수로 가장 적당한 것은?(단, 철심의 비투자율은 15000 으로 한다.)
1.
6
2.
12
3.
24
4.
29
정답: 1번
5. 5. 두 도체판이 직각으로 교차하고 있는 경우의 전계는 W=Z2의 변환으로 구해지는 바 이 때에 그림과 같은 W평면상의 등전위면 V 및 전기력선 U를 Z평면에 옳게 나타낸 것은?
정답: 4번
6. 6. 그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2 인 B코일이 있을 때 A코일의 자기인덕턴스가 L1[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스 M 은 몇 H 인가? (단, 누설자속은 0 이라고 한다.)
정답: 4번
7. 7. Z = 0 인 평면상에 한변이 2a[m]인 정사각형에 선전류I[A]가 반시계 방향으로 그림과 같이 흐를 때 정사각형의 중심점 C 의 자계의 세기 H 는 몇 A/m 인가?
정답: 2번
8. 8. 최대 전계 Em = 6V/m인 10MHz의 평면파가 자유공간을 전파할 때 평균 포인팅 벡터의 크기는 몇 W/m2 인가?
1.
4.77×10-2
2.
4.77×10-3
3.
9.54×10-2
4.
9.54×10-3
정답: 1번
9. 9. 보기항 중 다른 세개와 차원식이 틀린 것은?(단, E : 전계의 세기, H : 자계의 세기, K: 도전률, i : 전류밀도, A : 자계의 벡터포텐샬이다.)
정답: 3번
10. 10. 무한히 긴 직선전류에 의한 자계의 세기[AT/m]를 구하는 식은?(단, r : 반지름, I : 전류이다.)
정답: 3번
11. 11. 자기회로의 퍼미언스(permeance)에 대응하는 전기회로의 요소는?
1.
도전률
2.
콘덕턴스
3.
정전용량
4.
엘라스턴스
정답: 2번
12. 12. 유전률 ε, 전계의 세기 E 인 유전체의 단위체적에 축적되는 에너지는?
정답: 3번
13. 13. 자속밀도10Wb/m2의 자계 중에 10cm의 도체를 자계와 30도의 각도로 30m/s로 움직일 때, 도체에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
1.
15
2.
15√3
3.
1500
4.
1500√3
정답: 1번
14. 14. 자유공간 중에서 점 P(2,-4,5)가 도체면상에 있으며 이 점에서 전계 E = 3ax - 6ay + 2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Et의 크기는 몇 V/m 인가?
1.
En = 3, Et = -6
2.
En = 7, Et = 0
3.
En = 2, Et = 3
4.
En = -6, Et = 0
정답: 2번
15. 15. 길이 10cm, 단면의 반지름이 1cm인 원통형 자성체가 길이방향으로 균일하게 자화되어 있을 때 자화의 세기가 0.5Wb/m2 이라면 이 자성체의 자기모멘트는 몇 Wb·m 인가?
1.
1.57×10-5
2.
1.57×10-4
3.
1.57×10-3
4.
1.57×10-2
정답: 1번
16. 16. 자기유도계수(self inductance)를 구하는 방법이 아닌것은?
1.
자기에너지법
2.
자속쇄교법
3.
벡터포텐셜법(Vector Potential Method)
4.
스칼라포텐셜법(Scalar Potential Method)
정답: 4번
17. 17. 그림과 같은 평등 전계내에 유전체구가 있을 때 구내의 전계의 세기는?
정답: 1번
18. 18. 전기력선의 성질에 대하여 틀린 것은?
1.
전하가 없는 곳에서 전기력선은 발생, 소멸이 없다.
2.
전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 되는 일은 없다.
3.
전기력선은 등전위면과 수직이다.
4.
전기력선은 도체내부에 존재한다.
정답: 4번
19. 19. 유전률이 각각 ε1, ε2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전률이 ε1인 유전체에서 유전률이 ε2인 유전체로 전계 E1이 입사각θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?
1.
E1=E2
2.
E1=ε1ε2E2
정답: 4번
20. 20. 그림과 같은 쌍극자에 의한 P점의 전위는 몇 V 인가? (단, 쌍극자 모멘트 M = Qℓ[C·m]라 하며, 길이의 단위는 m 이다.)
정답: 1번
21. 21. R-L 직렬회로의 과도응답에서 감쇠율은?
1.
R/L
2.
L/R
3.
R
4.
L
정답: 1번
22. 22. 2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?
1.
-3
3.
-1, -2, -3
4.
-1, -2
정답: 4번
23. 23. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
1.
20 [K Var]
2.
40 [K Var]
3.
60 [K Var]
4.
80 [K Var]
정답: 3번
24. 24. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자 망은?
정답: 4번
25. 25. 다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?
정답: 2번
26. 26. 다음 회로의 영상 임피던스 Z01 은 약 얼마인가?
1.
4Ω
2.
6Ω
3.
5.2Ω
4.
7.4Ω
정답: 3번
27. 27. 12개의 가지와 5개의 마디로 구성된 그래프의 나무가지(tree branch)의 수는?
1.
2
2.
3
3.
4
4.
5
정답: 3번
28. 28. "2개 이상의 전원을 포함하는 선형 회로망에서 회로 내의 임의의 점의 전류 또는 임의의 2점간의 전압은 각 각의 전원에 대해서 해석하여 합한다."라는 회로망 정리는?
1.
노톤 정리
2.
보상 정리
3.
테브난 정리
4.
중첩의 정리
정답: 4번
29. 29. 정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류했을 때의 평균값은?
정답: 3번
30. 30. 다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11은 얼마인가?
정답: 2번
31. 31. 회로에 흐르는 전류 I는? (단, E: 100[V], ω : 1,000[rad/sec] )
1.
8.95
2.
7.24
3.
4.6
4.
3.5
정답: 1번
32. 32. 이상변압기 두 코일의 권선비는?
정답: 2번
33. 33. 인 파형의 주파수는 약 얼마인가?
1.
60 ㎐
2.
120 ㎐
3.
311 ㎐
4.
377 ㎐
정답: 1번
34. 34. 이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?
1.
Z=0
2.
Z=∞
3.
Z=1[Ω]
4.
Z는 정해지지 않는다.
정답: 2번
35. 35. ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?
1.
A
2.
B
3.
C
4.
D
정답: 2번
36. 36. f(t)=sint cost의 Laplace 변환은?
정답: 2번
37. 37. 그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압 방정식 B는 몇 개인가?
1.
N＝2, B＝3
2.
N＝1, B＝2
3.
N＝2, B＝2
4.
N＝3, B＝2
정답: 2번
38. 38. RL 병렬회로에서, 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ 에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2을 나타낸 것으로 올바른 것은?
1.
θ ＜ θ1 ＜ θ2
2.
θ2 ＜ θ1 ＜ θ
3.
θ2 ＜ θ ＜ θ1
4.
θ1 ＜ θ ＜ θ2
정답: 3번
39. 39. 4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?
2.
h22=Z22
정답: 1번
40. 40. R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC 는?
정답: 3번
41. 41. 그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는?
1.
R-C
2.
브리지
3.
콜피츠
4.
하트레이
정답: 3번
42. 42. 트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 했더니 ICEO가 50배가 되었다. 트랜지스터의 β 는?
1.
49
2.
50
3.
59
4.
120
정답: 1번
43. 43. Push-Pull 증폭기가 단일 Transistor 증폭기에 비해 그 장점을 잘못 설명한 것은?
1.
전원의 맥동에 의한 잡음제거
2.
양극 효율 증대
3.
기수고조파에 의한 일그러짐의 감소
4.
Push-Pull 증폭기의 큰 출력
정답: 3번
44. 44. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 20㎂에서 150㎂로 증가할 때 컬렉터 전류가 1㎃에서 1.2㎃로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?
1.
1.5
2.
1.8
3.
2.0
4.
2.2
정답: 1번
45. 45. 부궤환 증폭기에서 개방 루프 전압이득 변화범위가 Av =1,000±100인 경우 궤환 전압이득의 변화가 ±0.1%이하로 유지하려면 궤환 계수β의 값을 얼마로 하면 되는가?
1.
0.099
2.
1.38
3.
1.87
4.
3.67
정답: 1번
46. 46. 트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fα는?
1.
베이스 폭의 자승에 반비례하고, 정공의 확산 정수에 비례한다.
2.
정공의 확산 정수에 반비례한다.
3.
베이스 주행 시간에 비례한다.
4.
베이스 폭의 자승에 비례한다.
정답: 1번
47. 47. 전가산기 회로(full adder)는?
1.
입력 2개, 출력 4개로 구성
2.
입력 2개, 출력 3개로 구성
3.
입력 3개, 출력 2개로 구성
4.
입력 3개, 출력 3개로 구성
정답: 3번
48. 48. 부궤환 증폭기의 특성으로 옳지 않은 것은?
1.
잡음이 1/1-β A 만큼 감소한다.
2.
이득이 1/1-β A로 감소한다.
3.
주파수 대역이 1/1-β A로 좁아진다.
4.
안정도가 1/1-β A 만큼 개선된다.
정답: 3번
49. 49. 논리 회로의 출력은?
정답: 2번
50. 50. 다음 회로의 진리표를 갖는 논리회로는?
1.
NAND
2.
Exclusive OR
3.
NOR
4.
full adder
정답: 2번
51. 51. 궤환 회로를 포함한 직렬형 정전압 회로의 특징을 잘못 기술한 것은?
1.
부하가 가벼울 때의 효율은 병렬형에 비하여 휠씬 크다.
2.
출력 전압의 넓은 범위에 걸쳐 쉽게 설계할수 있다.
3.
증폭단을 증가시킴으로써 출력저항을 크게할수 있다.
4.
증폭단을 증가시킴으로써 전압안정 계수를 매우 작게 할수 있다.
정답: 3번
52. 52. 그림과 같은 회로에서 컬렉터 전류 Ic를 구하면? (단,β =100 이고 실리콘 트랜지스터이며 VBE = 0.7[V]임.)
1.
0.2 [㎃]
2.
0.5 [㎃]
3.
5 [㎃]
4.
20 [㎃]
정답: 4번
53. 53. P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어떤 현상인가?
1.
전자의 확산현상
2.
정공의 확산현상
3.
전자의 드리프트(drift)현상
4.
정공의 드리프트(drift)현상
정답: 4번
54. 54. 다음 궤환 발진기의 발진조건(barkhausen)을 나타낸 식이다. A가 발진기 회로에 들어 있는 증폭기의 증폭도, β 가 궤환량을 나타낼 때 옳은 식은?
1.
β A=0
2.
β A=1
3.
β A＜∞
4.
β A＞1
정답: 2번
55. 55. 어떤 파형의 상부와 하부의 두 레벨을 동시에 잘라내어 입력 파형의 극히 좁은 레벨을 꺼내는 회로는?
1.
클리퍼
2.
리미터
3.
슬라이서
4.
클램퍼
정답: 3번
56. 56. 소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가?
1.
60.6
2.
70.7
3.
75.5
4.
78.5
정답: 2번
57. 57. 커패시터 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동 전압을 나타낸 설명 중 옳은 것은?
1.
맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례한다.
2.
맥동 전압은 콘덴서 용량 C에만 반비례한다.
3.
맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 비례한다.
4.
맥동 전압은 용량 C에만 반비례하고, 부하저항과는 관계가 없다.
정답: 1번
58. 58. 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
1.
fβ = βofα
2.
fβ = (1 + αo) fα
4.
fβ = fα (1 - βo)
정답: 3번
59. 59. 다음 설명 중 옳은 것은?
1.
FM은 진폭을 변화시키는 진폭 변조이다.
2.
각 변조에는 주파수 변조와 위상 변조 방식이 있다.
3.
진폭 변조의 변조 입력은 반송파의 진폭과는 관계없다.
4.
안테나를 통해 전파를 송출, 수신하는 경우 주파수가 높을수록 안테나 길이가 커야 한다.
정답: 2번
60. 60. B급 증폭기에서 컬렉터 전류는 얼마동안 흐르게 되는가?
1.
반주기 동안
2.
한주기 동안
3.
반주기 이하
4.
한주기와 반주기 사이
정답: 1번
61. 61. 베이스 접지전류 증폭율이 0.98일 때 이미터 접지 전류 증폭율은?
1.
20
2.
39
3.
40
4.
49
정답: 4번
62. 62. 반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?
1.
열전대 - Seebeck 효과
2.
홀 발진기 - 자기 효과
3.
전자 냉각 - Peltier 효과
4.
광전도 셀 - 외부 광전 효과
정답: 4번
63. 63. 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
확산계수와는 무관하다.
2.
캐리어의 이동도에만 관계있다.
3.
캐리어의 수명시간에만 관계있다.
4.
캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
정답: 4번
64. 64. P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)
3.
Na-ηi
4.
Na+ηi
정답: 1번
65. 65. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
2.
불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항보다 크다.
3.
열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재결합율은 같다.
4.
캐리어의 재결합율은 전자와 홀의 농도에 비례한다.
정답: 2번
66. 66. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
2.
불순율이 증가하면 고유 저항이 증가한다.
3.
미량의 불순물을 첨가하면 도전율은 거의 비례하여 증가한다.
4.
홀 효과가 크다.
정답: 2번
67. 67. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
1.
Fermi-Dirac 분포
2.
Bose-Einstein 분포
3.
Shrodinger 파동방정식
4.
Maxwell-Boltzmann 분포
정답: 1번
68. 68. 사이리스터(thyristor)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
게이트 단자가 있다.
2.
두 가지의 안정 상태를 가진다.
3.
이중 베이스를 가지고 있다.
4.
3개 또는 그 이상의 PN접합으로 이루어진다.
정답: 3번
69. 69. 진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?
1.
n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
2.
n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
3.
n은 Eg에 반비례한다.
4.
n은 Eg에 비례한다.
정답: 2번
70. 70. 순수 반도체에서 온도가 상승하면?
1.
반도체의 저항이 증가한다.
2.
정공이 전도대로 이전한다.
3.
원자의 에너지가 증가한다.
4.
원자의 에너지가 감소한다.
정답: 3번
71. 71. 과대 전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
1.
리드 다이오드
2.
제너 다이오드
3.
터널 다이오드
4.
온도형 다이오드
정답: 2번
72. 72. 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?
1.
다결정의 Ge 성장
2.
다결정의 Si 성장
3.
기판에 매우 얇은 단결정의 성장
4.
기판에 매우 얇은 다결정의 성장
정답: 3번
73. 73. 진공속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.52[eV]이다.)
1.
4.52[J]
2.
18.127×10-18[J]
3.
11.602×10-19[J]
4.
7.24×10-19[J]
정답: 4번
74. 74. 다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ 를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?
1.
일함수
2.
페르미(Fermi)의 상수
3.
프랭크(Plank)의 상수
4.
볼쯔만(Boltzmann)의 상수
정답: 3번
75. 75. 트랜지스터의 평형 상태에 대한 설명으로 옳지않은 것은?
1.
세 단자가 접속되어 있는 상태이다.
2.
페르미 준위는 모든 곳에서 균일하다.
3.
트랜지스터가 열평형 상태인 경우이다.
4.
다수 캐리어의 확산 운동과 소수 캐리어의 드리프트 운동이 균형을 유지한 상태이다.
정답: 1번
76. 76. 2중 베이스 다이오드(double base diode)는?
1.
역 다이오드
2.
쇼트키 다이오드
3.
UJT
4.
쇼클리 다이오드
정답: 3번
77. 77. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C]이다.)
1.
6.25×1016[개]
2.
6.25×1018[개]
3.
6.25×1020[개]
4.
6.25×1022[개]
정답: 1번
78. 78. 빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?
1.
산란 현상
2.
회절 현상
3.
광전 현상
4.
컴프턴(compton) 효과
정답: 2번
79. 79. 진성반도체 Si가 300[°K]에서 저항율 636[Ωㆍm], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.25[m2/VㆍS], 0.15[m2/VㆍS]라 하면, 그 때의 전자 밀도는?(단, e=1.602×10-19[C])
1.
약 4.9×1016[개/m3]
2.
약 5.2×1015[개/m3]
3.
약 4.2×1014[개/m3]
4.
약 2.45×1016[개/m3]
정답: 4번
80. 80. 평행판 A, B 사이의 거리가 1[cm]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 몇 [sec]인가?
1.
3.37×10-7
2.
1.69×10-7
3.
1.69×10-9
4.
3.37×10-9
정답: 4번
81. 81. 전자계산기의 주요 장치를 설명한 것 중 옳지 않은 것은?
1.
연산장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
2.
제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
3.
보조기억장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
4.
입ㆍ출력장치 : 필요한 정보의 입ㆍ출력을 담당하는 장치이다.
정답: 3번
82. 82. 다음에 실행할 명령의 번지를 갖고 있는 레지스터는?
1.
program counter
2.
instruction register
3.
memory buffer register
4.
control address register
정답: 1번
83. 83. 서브 프로그램 호출을 구현하는데 많이 쓰이는 데이터 구조는?
1.
Queue
2.
Dequeue
3.
Linked list
4.
Stack
정답: 4번
84. 84. 주소 설계시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?
1.
주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.
2.
주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.
3.
사용자에게 사용하기 편리해야 한다.
4.
캐시 메모리가 있어야 한다.
정답: 4번
85. 85. 다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?
1.
0001
2.
0101
3.
0111
4.
1111
정답: 3번
86. 86. 단위 프로그램에서 동일한 기억 장소를 함께 사용하고 있는 다른 이름의 변수를 무엇이라고 부르는가?
1.
Alias
2.
Coroutine
3.
Overloading
4.
Side effect
정답: 1번
87. 87. IRG(Inter Record Gap)로 인한 기억공간의 낭비를 줄이기 위하여 물리적 레코드(record)를 만드는데 필요한 것은?
1.
버퍼링
2.
맵핑
3.
블록킹
4.
페이징
정답: 3번
88. 88. 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
1.
interpreter
2.
compiler
3.
assembler
4.
micro-assembler
정답: 1번
89. 89. 직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?
1.
단순 방식(Simplex)
2.
반이중 방식(Half-Duplex)
3.
전이중 방식(Full-Duplex)
4.
해당하는 방식이 없다.
정답: 3번
90. 90. 컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가?
1.
Interrupt
2.
Mapping
3.
Merging
4.
Overlapping
정답: 2번
91. 91. 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?
1.
DMA
2.
Polling
3.
Daisy-Chain
4.
Vectored Interrupt
정답: 3번
92. 92. 다음 보기의 주소지정방식은?
1.
자료자신(immediate addressing mode)
2.
직접주소지정방식(direct addressing mode)
3.
간접주소지정방식(indirect addressing mode)
4.
상대주소지정방식(relative addressing mode)
정답: 3번
93. 93. 65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가?
1.
6
2.
7
3.
8
4.
9
정답: 2번
94. 94. 256kbits 용량의 DRAM을 8개 사용하여 2bytes KS 한글 코드를 몇 개나 기억 시킬 수 있는가?
1.
256
2.
128
3.
64
4.
32
정답: 2번
95. 95. 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
1.
hamming code
2.
ring counter code
3.
gray code
4.
8421 code
정답: 1번
96. 96. 8비트 데이터에 홀수 패리티 비트(odd parity bit)를 첨가할 때 옳지 않은 것은?
1.
111110000
2.
110011000
3.
101001110
4.
100100010
정답: 2번
97. 97. CPU를 구성하고 있는 요소 중 중요한 두 부분은?
1.
제어장치, 기억장치
2.
연산장치, 제어장치
3.
산술장치, 연산장치
4.
연산장치, 논리장치
정답: 2번
98. 98. 기억 장치에서 명령어를 읽어 CPU로 가져오는 것을 무엇이라고 하는가?
1.
Indirect
2.
Execute
3.
Interrupt
4.
Fetch
정답: 4번
99. 99. 마이크로컴퓨터의 기본 동작에 필요한 프로그램은?
1.
모니터 프로그램
2.
인터프리터 프로그램
3.
시스템 프로그램
4.
DOS 프로그램
정답: 1번
100. 100. 인터럽트에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
하드웨어의 오류에 의해 발생하기도 한다.
2.
인터럽트가 발생하면 특정한 일을 수행한다.
3.
프로그램의 수행을 중단시키기 위해 사용되기도 한다.
4.
인터럽트가 발생하면 현재 수행 중인 프로그램은 무조건 종료된다.
정답: 4번