전자기사
(2005-05-29 기출문제)
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1. 1. 미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?
정답: 3번
2. 2. 라디오 방송의 평면파 주파수를 710kHz라 할 때 이 평면파가 콘크리트 벽(εs = 5, μs=1)속을 지날 때, 전파속도는 몇 m/s 인가?
1.
1.34×108
2.
2.54×108
3.
4.38×108
4.
4.86×108
정답: 1번
3. 3. 평면 도체로부터 수직거리 a[m]인 곳에 점전하 Q[C]이 있다. Q 와 평면도체사이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 평면 도체 오른편을 유전율 ε의 공간이라 한다.)
정답: 1번
4. 4. 강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
1.
J는 B 와 같다.
2.
J는 B 보다 약간 작다.
3.
J는 B 보다 약간 크다.
4.
J는 B 보다 대단히 크다.
정답: 2번
5. 5. 진공의 전하분포 공간내에서 전위가 V = x2 + y2 [V]로 표시될 때, 전하밀도는 몇 C/m3 인가?
1.
-4εo
3.
- 2εo
정답: 1번
6. 6. 그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2 의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는 몇 H 가 되는가?
정답: 2번
7. 7. 자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?
정답: 2번
8. 8. 임의의 단면을 가진 2 개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)
정답: 4번
9. 9. 그림과 같이 한변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
정답: 3번
10. 10. 주파수의 증가에 대하여 가장 급속히 증가하는 것은?
1.
표피효과의 두께의 역수
2.
히스테리시스 손실
3.
교번자속에 의한 기전력
4.
와전류 손실
정답: 4번
11. 11. 비유전율 εs = 5 인 등방 유전체의 한 점에서 전계의 세기가 E = 104 V/m일 때 이 점의 분극률 xe 는 몇 F/m 인가?
정답: 1번
12. 12. 반지름 a[m], 중심간 거리 d[m]인 두 개의 무한장 왕복선로에 서로 반대 방향으로 전류 Ｉ[A] 가 흐를 때, 한 도체에서 x[m] 거리인 A 점의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가? (단, d ≫ a, x ≫ a 라고 한다.)
정답: 1번
13. 13. 전하밀도 ps[C/m2]인 무한 판상 전하분포에 의한 임의점의 전장에 대하여 틀린 것은?
1.
전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
2.
전장의 세기는 전하밀도 ps 에 비례한다.
3.
전장의 세기는 거리 r 에 반비례한다.
4.
전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
정답: 3번
14. 14. 자화된 철의 온도를 높일 때 자화가 서서히 감소하다가 급격히 강자성이 상자성으로 변하면서 강자성을 잃어버리는 온도는?
1.
켈빈(Kelvin)온도
2.
연화(Transition)온도
3.
전이온도
4.
큐리(Curie)온도
정답: 4번
15. 15. 그림과 같이 반지름 a[m]인 원형 도선에 전하가 선밀도 λ [C/m]로 균일하게 분포되어 있다. 그 중심에 수직한 z 축상의 한점 P 의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
정답: 1번
16. 16. 다음 설명 중 틀린 것은?
1.
전기력선의 방정식은 "전기력선의 접선방향이 전계의 방향이다."에서 유래된 것이다.
2.
"전기력선은 스스로 루프(loop)를 만들 수 없다."라함은 전계의 세기의 유일성을 나타내는 것이다.
3.
구좌표로 표시한 전기력선의 방정식은 로 표시된다.
4.
진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 약 1.13×1011 개 이다.
정답: 3번
17. 17. 공극(air gap)이 δ[m]인 강자성체로 된 환상 영구자석에서 성립하는 식은? (단, ℓ[m]는 영구자석의 길이이며 ℓ ≫ δ이고, 자속 밀도와 자계의 세기를 각각 B[Wb/m2], H[AT/m]라 한다.)
정답: 2번
18. 18. 면적이 S[m2]이고 극간의 거리가 d[m]인 평행판콘덴서에 비유전률 εs 의 유전체를 채울 때 정전용량은 몇 F 인가?
정답: 3번
19. 19. 변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?
1.
반도체
2.
유전체
3.
자성체
4.
도체
정답: 2번
20. 20. 그림과 같이 전류가 흐르는 반원형 도선이 평면 z = 0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B = 0.8 a x - 0.7 a y + a z [Wb/m2] 인 균일 자계내에 놓여 있을 때 도선의 직선부분에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
1.
4 a x + 3.2 a z
2.
4 ax - 3.2 a z
3.
5 a x - 3.5 a z
4.
- 5 ax + 3.5 a z
정답: 2번
21. 21. 회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?
1.
① - ③, ② - ⑤, ④ - ⑥
2.
① - ②, ③ - ⑥, ④ - ⑤
3.
① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥
4.
① - ③, ④ - ⑤, ② - ⑥
정답: 3번
22. 22. R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?
정답: 4번
23. 23. h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
1.
h11
2.
h21
3.
h12
4.
h22
정답: 2번
24. 24. 두함수 f1(t)=1, f2(t)=e -t 일 때 합성 적분치는?
1.
e -t
2.
1 - et
3.
1 - e-t
정답: 3번
25. 25. R-L-C 직렬 회로에 t＝0 인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?
정답: 2번
26. 26. S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
1.
발진하지 않는다.
2.
점점 더 크게 발진한다.
3.
지속 발진한다.
4.
감쇄 진동한다.
정답: 4번
27. 27. 다음 설명 중 옳은 것은?
1.
루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
2.
루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
3.
루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
4.
루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
정답: 1번
28. 28. 두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
K=1은 상호자속이 전혀 없는 경우이다.
2.
K=0은 유도결합이 전혀 없는 경우이다.
3.
K=1은 누설자속이 전혀 없는 경우이다.
4.
결합계수 K는 0과 1사이의 값을 갖는다.
정답: 1번
29. 29. 다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?
정답: 3번
30. 30. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?
1.
신호원의 전압과 위상이 동일한 형태로 나타난다.
2.
저항양단 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
3.
인덕터 전류와의 위상이 동일한 형태로 나타난다.
4.
신호원 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
정답: 2번
31. 31. 정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?
1.
f(t)=f(t)
2.
f(t)=-f(t)
3.
f(t)=f(-t)
4.
f(t)=-f(-t)
정답: 4번
32. 32. 그림에서 Vab를 구하면 몇 [V]인가?
1.
2.5
2.
-2.5
3.
5
4.
-5
정답: 1번
33. 33. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?
정답: 4번
34. 34. 이상적인 평형 3상 ⊿ 전원에서 옳은 내용은?
1.
선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
2.
상전류의 크기 = √3×선간 전류의 크기
3.
상전류의 크기 = 선간 전류의 크기
4.
선간 전압의 크기 = √3×상전압의 크기
정답: 1번
35. 35. 그림과 같은 회로에서 RL에 흐르는 전류는?
1.
1A
2.
3A
3.
4A
4.
7A
정답: 1번
36. 36. 주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?
1.
내부 임피던스가 큰 전원에는 병렬 공진 회로를 사용한다.
2.
내부 임피던스가 큰 전원에는 직렬 공진 회로를 사용한다.
3.
내부 임피던스에 관계없이 직렬 공진 회로를 사용한다.
4.
내부 임피던스에 관계없이 병렬 공진 회로를 사용한다.
정답: 1번
37. 37. 저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬 회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서 전압 위상과 저항에서 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?
1.
45°
2.
90°
3.
135°
4.
180°
정답: 2번
38. 38. 그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S) 는?
1.
R/(1+CRS)
2.
CR/(1+CRS)
3.
1/(1+CRS)
4.
C/(1+RS)
정답: 1번
39. 39. 다음 회로망의 합성 저항은?
1.
6[Ω]
2.
12[Ω]
3.
30[Ω]
4.
50[Ω]
정답: 2번
40. 40. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?
1.
63.2%
2.
86.5%
3.
95.0%
4.
98.2%
정답: 3번
41. 41. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
1.
1
2.
6.3
3.
16
4.
10π
정답: 2번
42. 42. 그림의 회로는 무슨 궤환인가?
1.
전류직렬
2.
전류병렬
3.
전압직렬
4.
전압병렬
정답: 4번
43. 43. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식을 가장 옳게 설명한 것은?
1.
QAM 변조 방식은 AM 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.
2.
QAM 변조 방식은 PSK 방식의 일종이다.
3.
QAM 변조 방식은 AM 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.
4.
QAM 변조 방식은 진폭 변조와 주파수 변조 방식을 혼합한 것이다.
정답: 3번
44. 44. α 차단 주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?
1.
α가 원래값의 0.7배가 되는 곳의 주파수이다.
2.
Base 주행 시간에 반비례한다.
3.
Base 폭의 자승에 반비례한다.
4.
확산 정수에 반비례한다.
정답: 4번
45. 45. 시미트 트리거(schmitt trigger) 회로의 설명 중 옳은 것은?
1.
입력 파형에 관계없이 출력은 삼각파이다.
2.
입력 전류의 크기로 회로의 on, off를 결정해 준다.
3.
A/D 변환기는 시미트 트리거 회로의 응용회로 중의 하나이다.
4.
2개의 증폭기의 접지 단자를 공통으로 접속하고, 음 귀환을 걸어 입력 신호의 진폭에 따라 2가지 안정된 상태를 이룬다.
정답: 3번
46. 46. 그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)
정답: 2번
47. 47. 그림과 같은 발진 회로가 지속 발전을 하기 위해서는 트랜지스터의 전류증폭률 hfe는 어떤 조건이어야 하는가?
1.
hfe≧ω2LC2
2.
hfe≧ω2L2C2
3.
hfe≦ω2L2C2
4.
hfe≦ω2LC2
정답: 1번
48. 48. 커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
1.
감소한다.
2.
증가한다.
3.
관계없다.
4.
주파수가 변화한다.
정답: 2번
49. 49. 그림의 연산 증폭기 회로는?
1.
전압증폭기
2.
전류증폭기
3.
정전압 회로
4.
정전류 회로
정답: 4번
50. 50. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
1.
640[W]
2.
600[W]
3.
480[W]
4.
320[W]
정답: 1번
51. 51. 그림과 같은 트랜지스터 회로에서 IB와 IC 는? (단, 트랜지스터는 활성영역에서 동작 중이고 VBE = 0.65V 이다.)
1.
IB = 0.273㎃, IC = 27.3㎃
2.
IB = 0.0217㎃, lC = 2.17㎃
3.
IB = 0.2601㎃, IC = 26.01㎃
4.
IB = 0.0268㎃, IC = 2.68㎃
정답: 4번
52. 52. 교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?
1.
클리퍼
2.
클램퍼
3.
리미터
4.
필터
정답: 2번
53. 53. 증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
1.
이득-대역폭적
2.
롤-오프(Roll-Off)
3.
바이패스 커패시턴스
4.
트랜지스터의 내부 커패시턴스
정답: 4번
54. 54. 0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는 가?
1.
주파수 일그러짐
2.
진폭 일그러짐
3.
교차 일그러짐
4.
위상 일그러짐
정답: 3번
55. 55. PSK(phase-shift keying) 방식의 변ㆍ복조기를 구성하는 회로는?
1.
PLL 회로
2.
평형 변조 회로
3.
선형 가산 회로
4.
시프트 레지스터 회로
정답: 2번
56. 56. 수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?
1.
fo＜fs
2.
fs＜fo＜fp
3.
fp＜fo＜fs
4.
fo＞fp
정답: 2번
57. 57. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
1.
v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2
2.
v0 = ∞ 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2
3.
v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 )
4.
v0 = ∞ 일 때 ( IB1 + IB2 )
정답: 1번
58. 58. 그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?
1.
12.5%
2.
25%
3.
50%
4.
78.5%
정답: 4번
59. 59. 수정발진자의 등가용량은Co,고유주파수는fs 이며,발진자의 극간의 정전용량은C , 정전용량을 고려한 주파수를 fP라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
정답: 3번
60. 60. 부궤환 증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
1.
궤환 증폭기의 이득은 A/(1-βA)이다.
2.
비직선 왜곡은 감소하나 잡음은 증가한다.
3.
대역폭의 상한 주파수와 하한 주파수가 증가한다.
4.
궤환 회로에 따라 입 Χ출력 임피던스의 값이 증가하거나 감소한다.
정답: 4번
61. 61. 1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602⒡10-19[C])
1.
6.24⒡1016[개]
2.
6.24⒡1018[개]
3.
6.24⒡1020[개]
4.
6.24⒡1022[개]
정답: 2번
62. 62. 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
1.
Maxwell-Boltzmann 통계
2.
Bose-Einstein 통계
3.
Fermi-Dirac 통계
4.
Gausian 통계
정답: 3번
63. 63. Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
1.
2dcosθ=nλ
2.
2dsinθ=nλ
정답: 2번
64. 64. 인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?
1.
광도전 효과
2.
광기전력 효과
3.
광전자 방출 효과
4.
루미네센스 효과
정답: 2번
65. 65. PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?
1.
다수 캐리어가 서로 다른 쪽에 주입된다.
2.
P형 쪽 전자만이 N형 영역으로 들어간다.
3.
P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.
4.
어떤 전류도 흐르지 않는다.
정답: 1번
66. 66. 에너지 준위도에서 0 준위는?
1.
페르미 준위
2.
이탈 준위
3.
금속내 준위
4.
금속외 준위
정답: 2번
67. 67. FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
1.
게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
2.
전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
3.
소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
4.
다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
정답: 4번
68. 68. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1.
Saturation 현상
2.
break down 현상
3.
thermal runaway 현상
4.
pinch off 현상
정답: 3번
69. 69. 반도체에서의 확산전류 밀도 J 는? (단, n 은 캐리어의 농도, q 는 캐리어의 전하, D 는 확산 정수, x 는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
정답: 3번
70. 70. 열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?
1.
일함수가 큰 것
2.
융점이 높은 것
3.
방출 효율이 좋은 것
4.
가공, 공작이 용이한 것
정답: 1번
71. 71. 진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ω·m], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/VΧsec], 0.05[m2/VΧsec]이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?
1.
9.8⒡1010개/m3
2.
9.8⒡1012개/m3
3.
4.9⒡1013개/m3
4.
4.9⒡1016개/m3
정답: 4번
72. 72. Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
온도에 따라 그 크기가 변한다.
2.
캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
3.
상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다.
4.
0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.
정답: 3번
73. 73. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?
1.
전류와 전압
2.
전류와 온도
3.
전압과 정전용량
4.
주파수와 정전용량
정답: 3번
74. 74. 고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?
1.
차단 주파수를 높게 한다.
2.
베이스 확산 저항을 작게 한다.
3.
켈렉터 접합 면적을 작게 한다.
4.
확산하는 소수 캐리어의 확산 정수를 작게 한다.
정답: 4번
75. 75. Fermi-Dirac 분포 함수는?
3.
f(E)=1-e (E-EF)/kT
4.
f(E)=1+e (E-EF)/kT
정답: 2번
76. 76. 반도체에서 아인시타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
1.
이동도
2.
유효 질량
3.
캐리어 농도
4.
내부 전압
정답: 1번
77. 77. 서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?
1.
철의 산화물
2.
망간의 산화물
3.
니켈의 산화물
4.
은의 산화물
정답: 4번
78. 78. 열음극을 갖는 것은?
1.
계전기 방전관
2.
네온관
3.
정전압 방전관
4.
수은 정류관
정답: 4번
79. 79. 길이 10㎜, 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
1.
160[m/sec]
2.
180[m/sec]
3.
16[m/sec]
4.
18[m/sec]
정답: 1번
80. 80. 피에조 저항(piezo resistance)은?
1.
압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2.
자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3.
온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4.
광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
정답: 1번
81. 81. 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입Χ출력하는 방식은?
1.
Strobe 방식
2.
Flag 검사 방식
3.
DMA 방식
4.
Hand-Shaking 방식
정답: 3번
82. 82. DRAM에 대한 설명 중 가장 거리가 먼 것은?
1.
플립플롭의 조합으로 구성되었다.
2.
회생(refresh) 회로가 필요하다.
3.
SRAM에 비해 회로가 대단히 간단하다.
4.
SRAM에 비해 가격이 저렴하고, 전력 소모가 적다.
정답: 3번
83. 83. 시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 올바른 것은?
1.
라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
2.
언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
3.
진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
4.
로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조 기억장치로 보낸다.
정답: 1번
84. 84. 수치 데이터의 입 Χ출력이 많은 경우 수치 데이터를 2진수로 변환하지 않고 10진 상태로 나타내는 형식을 무엇이라 하는가?
1.
팩(pack)10진 데이터 형식
2.
부동 소수점 데이터 형식
3.
고정소수점 데이터 형식
4.
2진 데이터 형식
정답: 1번
85. 85. 주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?
1.
직접 주소 (direct addressing)
2.
즉각 주소 (immediate addressing)
3.
간접 주소 (indirect addressing)
4.
상대 주소 (relative addressing)
정답: 4번
86. 86. 마이크로프로세서의 특징으로 가장 거리가 먼 것은?
1.
마이크로프로세서를 사용한 제품은 저렴해진다.
2.
마이크로프로세서를 사용한 제품은 기능 변경이나 확장이 용이하다.
3.
마이크로프로세서를 사용하여 제품을 만들려면 소형화되고, 경량화 된다.
4.
마이크로프로세서를 사용한 제품은 회로가 대단히 복잡하므로 고장 발생시 보수가 대단히 어렵다.
정답: 4번
87. 87. ALU에서 처리된 결과를 일시 저장하는 레지스터는 어떤 것인가?
1.
상태레지스터
2.
명령레지스터
3.
누산기
4.
범용레지스터
정답: 3번
88. 88. 가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
1.
10
2.
12
3.
14
4.
16
정답: 4번
89. 89. 레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
누산기(accumulator)도 레지스터의 일종이다.
2.
CPU 내부에 있으며, 자료를 기억하는 기능을 가지고 있다.
3.
레지스터 상호 간에 자료의 전달은 버스를 이용한다.
4.
레지스터의 수가 많으면 컴퓨터의 효율이 떨어진다. 국가기술자격검정필기시험문제
정답: 4번
90. 90. 주 기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
1.
어소시어티브 매핑(Associative Mapping)
2.
직접 매핑(Direct Mapping)
3.
간접 매핑(Indirect Mapping)
4.
세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)
정답: 3번
91. 91. 가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
컴퓨터시스템의 처리속도를 개선하기 위한 방법이다.
2.
컴퓨터의 기억용량을 확장하기 위한 것이 목적이다.
3.
관리 방식은 Paging과 segmentation 기법이 있다.
4.
주로 하드웨어 보다는 소프트웨어로 실현된다.
정답: 1번
92. 92. 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
1.
스택
2.
벡터 인터럽트
3.
폴링
4.
핸드쉐이킹
정답: 3번
93. 93. 다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?
1.
11000001
2.
00111110
3.
00111111
4.
10000011
정답: 2번
94. 94. 운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?
1.
감시 프로그램
2.
작업 관리 프로그램
3.
자료 관리 프로그램
4.
언어 번역 프로그램
정답: 4번
95. 95. 마스크를 이용하여 비 수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
1.
AND
2.
OR
3.
XOR
4.
NOR
정답: 1번
96. 96. 다음 중 단항(unary)연산이 아닌 것은?
1.
MOVE(이동)
2.
ROTATE(로테이트)
3.
Complement(보수)
4.
AND 또는 OR
정답: 4번
97. 97. 다음의 논리 함수를 간소화 한 결과는?
1.
X
2.
XY
3.
X + Y
4.
Y
정답: 1번
98. 98. 부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?
1.
표준화(standardization)
2.
소수점 자리맞추기(alignment)
3.
정규화(normalization)
4.
세그먼트화(segmentation)
정답: 3번
99. 99. 스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
1.
0 주소 형식
2.
1 주소 형식
3.
2 주소 형식
4.
3 주소 형식
정답: 1번
100. 100. 산술논리연산장치(ALU)의 구성 요소가 아닌 것은?
1.
Accumulator
2.
adder
3.
Counter
4.
Instruction Register
정답: 4번