전자기사
(2005-05-29 기출문제 - 하나씩 풀이)1. 미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?
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2. 라디오 방송의 평면파 주파수를 710kHz라 할 때 이 평면파가 콘크리트 벽(εs = 5, μs=1)속을 지날 때, 전파속도는 몇 m/s 인가?
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3. 평면 도체로부터 수직거리 a[m]인 곳에 점전하 Q[C]이 있다. Q 와 평면도체사이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 평면 도체 오른편을 유전율 ε의 공간이라 한다.)
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4. 강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
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5. 진공의 전하분포 공간내에서 전위가 V = x2 + y2 [V]로 표시될 때, 전하밀도는 몇 C/m3 인가?
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6. 그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2 의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는 몇 H 가 되는가?
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7. 자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?
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8. 임의의 단면을 가진 2 개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)
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9. 그림과 같이 한변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
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10. 주파수의 증가에 대하여 가장 급속히 증가하는 것은?
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11. 비유전율 εs = 5 인 등방 유전체의 한 점에서 전계의 세기가 E = 104 V/m일 때 이 점의 분극률 xe 는 몇 F/m 인가?
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12. 반지름 a[m], 중심간 거리 d[m]인 두 개의 무한장 왕복선로에 서로 반대 방향으로 전류 I[A] 가 흐를 때, 한 도체에서 x[m] 거리인 A 점의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가? (단, d ≫ a, x ≫ a 라고 한다.)
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13. 전하밀도 ps[C/m2]인 무한 판상 전하분포에 의한 임의점의 전장에 대하여 틀린 것은?
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14. 자화된 철의 온도를 높일 때 자화가 서서히 감소하다가 급격히 강자성이 상자성으로 변하면서 강자성을 잃어버리는 온도는?
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15. 그림과 같이 반지름 a[m]인 원형 도선에 전하가 선밀도 λ [C/m]로 균일하게 분포되어 있다. 그 중심에 수직한 z 축상의 한점 P 의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
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16. 다음 설명 중 틀린 것은?
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17. 공극(air gap)이 δ[m]인 강자성체로 된 환상 영구자석에서 성립하는 식은? (단, ℓ[m]는 영구자석의 길이이며 ℓ ≫ δ이고, 자속 밀도와 자계의 세기를 각각 B[Wb/m2], H[AT/m]라 한다.)
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18. 면적이 S[m2]이고 극간의 거리가 d[m]인 평행판콘덴서에 비유전률 εs 의 유전체를 채울 때 정전용량은 몇 F 인가?
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19. 변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?
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20. 그림과 같이 전류가 흐르는 반원형 도선이 평면 z = 0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B = 0.8 a x - 0.7 a y + a z [Wb/m2] 인 균일 자계내에 놓여 있을 때 도선의 직선부분에 작용하는 힘은 몇 N 인가?
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21. 회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?
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22. R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?
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23. h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
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24. 두함수 f1(t)=1, f2(t)=e -t 일 때 합성 적분치는?
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25. R-L-C 직렬 회로에 t=0 인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?
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26. S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
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27. 다음 설명 중 옳은 것은?
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28. 두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
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29. 다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?
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30. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?
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31. 정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?
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32. 그림에서 Vab를 구하면 몇 [V]인가?
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33. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?
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34. 이상적인 평형 3상 ⊿ 전원에서 옳은 내용은?
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35. 그림과 같은 회로에서 RL에 흐르는 전류는?
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36. 주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?
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37. 저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬 회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서 전압 위상과 저항에서 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?
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38. 그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S) 는?
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39. 다음 회로망의 합성 저항은?
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40. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?
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41. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
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42. 그림의 회로는 무슨 궤환인가?
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43. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식을 가장 옳게 설명한 것은?
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44. α 차단 주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?
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45. 시미트 트리거(schmitt trigger) 회로의 설명 중 옳은 것은?
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46. 그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)
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47. 그림과 같은 발진 회로가 지속 발전을 하기 위해서는 트랜지스터의 전류증폭률 hfe는 어떤 조건이어야 하는가?
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48. 커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
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49. 그림의 연산 증폭기 회로는?
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50. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
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51. 그림과 같은 트랜지스터 회로에서 IB와 IC 는? (단, 트랜지스터는 활성영역에서 동작 중이고 VBE = 0.65V 이다.)
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52. 교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?
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53. 증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
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54. 0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는 가?
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55. PSK(phase-shift keying) 방식의 변ㆍ복조기를 구성하는 회로는?
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56. 수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?
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57. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
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58. 그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?
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59. 수정발진자의 등가용량은Co,고유주파수는fs 이며,발진자의 극간의 정전용량은C , 정전용량을 고려한 주파수를 fP라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
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60. 부궤환 증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
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61. 1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602⒡10-19[C])
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62. 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
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63. Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
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64. 인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?
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65. PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?
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66. 에너지 준위도에서 0 준위는?
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67. FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
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68. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
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69. 반도체에서의 확산전류 밀도 J 는? (단, n 은 캐리어의 농도, q 는 캐리어의 전하, D 는 확산 정수, x 는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
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70. 열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?
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71. 진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ω·m], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/VΧsec], 0.05[m2/VΧsec]이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?
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72. Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
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73. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?
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74. 고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?
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75. Fermi-Dirac 분포 함수는?
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76. 반도체에서 아인시타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
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77. 서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?
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78. 열음극을 갖는 것은?
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79. 길이 10㎜, 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
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80. 피에조 저항(piezo resistance)은?
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81. 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입Χ출력하는 방식은?
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82. DRAM에 대한 설명 중 가장 거리가 먼 것은?
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83. 시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 올바른 것은?
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84. 수치 데이터의 입 Χ출력이 많은 경우 수치 데이터를 2진수로 변환하지 않고 10진 상태로 나타내는 형식을 무엇이라 하는가?
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85. 주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?
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86. 마이크로프로세서의 특징으로 가장 거리가 먼 것은?
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87. ALU에서 처리된 결과를 일시 저장하는 레지스터는 어떤 것인가?
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88. 가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
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89. 레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?
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90. 주 기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
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91. 가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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92. 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
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93. 다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?
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94. 운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?
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95. 마스크를 이용하여 비 수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
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96. 다음 중 단항(unary)연산이 아닌 것은?
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97. 다음의 논리 함수를 간소화 한 결과는?
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98. 부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?
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99. 스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
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100. 산술논리연산장치(ALU)의 구성 요소가 아닌 것은?
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문제 목록
문제 정보
강의: 전자기사
연도: 2005-05-29
총 문제: 100문제
현재 문제: 1번