전자기사
(2006-09-10 기출문제)
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1. 1. 진공 중에서 정전용량이 C0 [F]인 평행판콘덴서에 그림과 같이 판면적의 2/3에 비유전률 εS인 에보나이트판을 삽입하면 콘덴서의 정전용량은 몇 F가 되는가?
1.
C0/3
2.
2εSC0/3
3.
2εSC02
정답: 4번
2. 2. 진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B 가 있다. 도체 A에만 1C의 전하를 줄 때 도체 A, B 의 전위가 각각 3V와 2V 이었다. 지금 A, B 에 각각 2C 및 1C 의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 V인가?
1.
8
2.
9
3.
10
4.
11
정답: 1번
3. 3. 콘덴서 간에 유전율 10-10 [F/m], 도전율 5×10-6 [℧/m]인 도전성 물질이 있을 때 정전용량이 10㎌ 이라면 콘덕턴스는 몇 ℧ 인가?
1.
0.5
2.
1
3.
1.5
4.
2
정답: 1번
4. 4. ∇ × (∇ρ) = cur1(gradρ)의 값은?
2.
-1
3.
1
4.
ρ
정답: 1번
5. 5. 정전용량이 각각 C1, C2, 그 사이의 상호유도계수가 M인 절연된 두 도체가 있다. 두 도체를 가는 선으로 연결할 경우, 그 정전용량은 어떻게 표현되는가?
1.
C1 + C2 - M
2.
C1 + C2 + M
3.
C1 + C2 + 2M
4.
2C1 + 2C2 + M
정답: 3번
6. 6. 전하 q[C]이 공기 중의 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s]의 속도로 돌입하였을 때 받는 힘은 몇 N 인가?
1.
μ0qvH
3.
qvH
4.
qH/μ0v
정답: 1번
7. 7. 다음 중 상자성체는?
1.
철(Fe)
2.
코발트(Co)
3.
백금(Pt)
4.
니켈(Ni)
정답: 3번
8. 8. 진공 중에서 전기쌍극자 M, M으로부터 임의의 점 P까지의 거리 r, M 과 r 이 이루는 각을 θ라 하면 P 점에서 전계의 r 방향성분 Er과 θ 방향성분 Eθ 는?
정답: 1번
9. 9. 반지름 a[m]인 2개의 원형 선조 루프가 ±Z 축상에 그림과 같이 놓여진 경우 I[A] 의 전류가 흐를 때 원형전류 중심축상의 자계 Hz [A/m] 는? (단, az, aø는 단위벡터이다.)
정답: 1번
10. 10. 반지름이 a[m]이고, 두께 t[m]인 원판도체의 외부와 내부에 전하밀도 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 균일하게 분포되어 있다. 원판의 중심축상에서 중심으로부터 d[m]의 거리에 있는 점 P 의 전위는 몇 V 인가?
정답: 2번
11. 11. 전위함수 V = x2 + y2 [V]일 때 점(3,4)[m]에서의 등전위선의 반지름은 몇 m 이며, 전력선방정식은 어떻게 되는가?
1.
등전위선의 반지를 : 3, 전력선 방정식 :
2.
등전위선의 반지를 : 4, 전력선 방정식 :
3.
등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
4.
등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
정답: 4번
12. 12. 강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
1.
J는 B와 같다.
2.
J는 B보다 약간 작다.
3.
J는 B보다 약간 크다.
4.
J는 B보다 대단히 크다.
정답: 2번
13. 13. 다음 식 중 틀린 것은?
2.
E = -grad V
4.
정답: 4번
14. 14. E = (i + j2 + k3)[V/㎝] 로 표시되는 전계가 있다. 0.01μC의 전하를 원점으로부터 i3[m]로 움직이는데 필요한 일은 몇 J 인가?
1.
3×10-8
2.
3×10-7
3.
3×10-6
4.
3×10-5
정답: 3번
15. 15. Ωㆍsec와 같은 단위는?
1.
F
2.
F/m
3.
H
4.
H/m
정답: 3번
16. 16. 대전된 도체의 표면 전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 되는가?
1.
곡률반경이 크면 커진다.
2.
곡률반경이 크면 작아진다.
3.
표면모양에 관계없다.
4.
평면일 때 가장 크다.
정답: 2번
17. 17. 수직편파는?
1.
대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파
2.
대지에 대해서 전계가 수평면에 있는 전자파
3.
대지에 대해서 자계가 수직면에 있는 전자파
4.
대지에 대해서 자계가 수평면에 있는 전자파
정답: 1번
18. 18. 그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은? (단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)
1.
E11 = 0, Dn1 = ρs
2.
E12 = 0, Dn2 = ρs
3.
E11 = E12, Dn1 = Dn2
4.
E11 = E12 = 0, Dn1 = Dn2 = 0
정답: 3번
19. 19. 자장 내에 전하가 받는 힘에 대한 설명이 틀린 것은?
1.
자장에 전하의 이동속도에 따른 힘이 존재한다.
2.
자장에 놓여 진 도선전류가 흐르면 도선이 힘을 받는다.
3.
자장 내 전하가 받는 힘은 렌츠(Lentz)의 법칙에 따른다.
4.
전계와 자계가 공존하는 공간에서 전하가 받는 힘을 로렌츠(Lorentz)힘으로 표현된다.
정답: 3번
20. 20. 단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스는 몇 H/m인가?
1.
μㆍsㆍn
2.
μㆍsㆍn2
3.
μㆍs2ㆍn2
4.
μㆍs2ㆍn
정답: 2번
21. 21. 다음 중 e-atsinωt 의 라플라스 변환은?
1.
S + a/(S + a)2 + ω2
2.
ω/(S - a)2 + ω2
3.
ω/(S + a)2 + ω2
4.
ω/(S + a) + ω
정답: 3번
22. 22. t의 함수 f(t)가 f(t) = f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?
1.
기함수
2.
우함수
3.
정현대칭함수
4.
복소함수
정답: 2번
23. 23. 그림과 같은 4단자 회로망의 임피던스 파라미터 Z11 은?
1.
Z11 = R1 + R3
2.
Z11 = R2 + R3
3.
Z12 = -R3
정답: 1번
24. 24. 정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?
4.
정답: 2번
25. 25. 임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?
정답: 2번
26. 26. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
1.
과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
2.
시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
3.
시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
4.
시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속 된다.
정답: 3번
27. 27. 내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?
1.
r = 2R
2.
R = r
3.
R = r2
4.
R = r3
정답: 2번
28. 28. R = 20[Ω], L = 0.05[H], C = 1[㎌]인 RLC 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?
1.
25.2
2.
17.2
3.
15.2
4.
11.2
정답: 4번
29. 29. 최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)
1.
10000
2.
15000
3.
20000
4.
25000
정답: 1번
30. 30. 다음 중 파형의 대칭성에 해당 되지 않는 것은?
1.
우함수
2.
기함수
3.
고조파 대칭
4.
반파 대칭
정답: 3번
31. 31. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
1.
전류는 전압보다 뒤진다.
2.
전류는 전압보다 앞선다.
3.
전류와 전압은 동위상이다.
4.
공진이 되어 지속적으로 발진한다.
정답: 1번
32. 32. 필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?
1.
배
2.
배
3.
1/2배
4.
배
정답: 2번
33. 33. “회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?
1.
플레밍의 법칙
2.
렌쯔의 법칙
3.
패러데이의 법칙
4.
키르히호프의 법칙
정답: 4번
34. 34. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?
1.
원점을 지나는 원
2.
원점을 지나는 직선
3.
원점을 지나지 않는 원
4.
원점을 지나지 않는 직선
정답: 3번
35. 35. 다음 설명 중 옳은 것은?
1.
루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
2.
루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
3.
루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
4.
루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
정답: 1번
36. 36. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?
1.
중역 필터
2.
대역 필터
3.
저역 필터
4.
고역 필터
정답: 4번
37. 37. R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?
1.
(R/2L)2 - 1/LC ＞ 0
2.
(R/2L)2 - 1/LC ＜ 0
3.
(R/2L)2 = 1/LC
4.
R/2L = 1/LC
정답: 1번
38. 38. 시간 t에 대하여 그림과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동 코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?
1.
0.79[A]
2.
1.58[A]
3.
2.24[A]
4.
3.16[A]
정답: 2번
39. 39. 자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6Ω에서 전류 I = 10A 가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2 Wb 이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?
1.
1
2.
2
3.
10
4.
12
정답: 2번
40. 40. 두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
2.
K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
3.
K=1은 누설 자속이 전혀 없는 경우이다.
4.
결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.
정답: 1번
41. 41. 다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?
1.
AB
4.
AC
정답: 4번
42. 42. 다음 중 직렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
1.
전압
2.
전류
3.
전력
4.
임피던스
정답: 1번
43. 43. 배타적 OR(Exclusive OR)와 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?
1.
플립플롭 회로
2.
래치 회로
3.
전 가산기 회로
4.
반 가산기 회로
정답: 4번
44. 44. 다음 중 PLL 회로의 구성요소가 아닌 것은?
1.
Phase detector(위상 검파기)
2.
HPF(고역 통과 필터)
3.
VOD(전압 제어 발전기)
4.
Reference Oscillator(기준발진기)
정답: 2번
45. 45. 트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 20μA에서 150μA로 증가할 때 컬렉터 전류가 1mA에서 1.2mA로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?
1.
1.5
2.
1.8
3.
2.0
4.
2.2
정답: 1번
46. 46. 다음 B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
1.
차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
2.
트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가 한다.
3.
우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
4.
B급이다, AB급으로 동작시킨다.
정답: 2번
47. 47. 2진 디지털 부호에 따라서 반송파의 위상이 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?
1.
PSK 방식
2.
FSK 방식
3.
ASK 방식
4.
DPCM 방식
정답: 1번
48. 48. 저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V], 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]이면 이 경우의 왜율은?
1.
5%
2.
10%
3.
15%
4.
20%
정답: 1번
49. 49. 다음 이상적인 연산증폭기의 특성이 아닌 것은?
1.
온도에 대하여 드리프트(drift)가 없는 특성을 가진다.
2.
대역폭(BW) = 0
3.
출력 저항(Ro) = 0
4.
전압이득 lAvl = ∞
정답: 2번
50. 50. 그림에서 A는 반전 연산 증폭기이다. V1 - V0의 관계는?
정답: 1번
51. 51. 그레이 코드(Gray code) 1111을 2진수로 변환하면?
1.
1110
2.
1010
3.
1011
4.
1111
정답: 2번
52. 52. 그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?
1.
X = A + B + C
2.
X = B + C
4.
X = ABC
정답: 3번
53. 53. 다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?
1.
적분 증폭기
2.
미분 증폭기
3.
아날로그 가산증폭기
4.
디지털 반가산증폭기
정답: 4번
54. 54. 다음 표는 부궤환에 의한 입ㆍ출력 임피던스의 변화이다. ( )안의 보기 내용 중 옳지 않은 것은?
1.
① 증가
2.
② 감소
3.
③ 감소
4.
④ 증가
정답: 2번
55. 55. 연산증폭기(op amp.)와 다이오드로 구성된 다음 그림과 같은 회로의 명칭은?
1.
진폭제한회로
2.
반파정류회로
3.
전파정류회로
4.
정현파-삼각파 변환회로
정답: 2번
56. 56. 다음 중 Exclusive OR 회로에 대한 논리식이 아닌 것은? (단, Y는 출력이고, A와 B는 입력임)
2.
Y = A⊕B
정답: 3번
57. 57. 다음 그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?
1.
동작점의 안정화
2.
주파수 대역폭 증대
3.
바이어스 전압감소
4.
출력증대
정답: 1번
58. 58. 다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?
1.
A급 증폭기
2.
B급 증폭기
3.
C급 증폭기
4.
AB급 증폭기
정답: 3번
59. 59. 전원 정류회로의 리플 함유율을 적게 하는 방법으로 옳지 않은 것은?
1.
입력측 평활용 콘덴서 정전 용량을 크게 한다.
2.
평활용 초크 코일의 인덕턴스를 크게 한다.
3.
출력측 평활용 콘덴서를 정전 용량을 작게 한다.
4.
교류 입력전원의 주파수를 높게 한다.
정답: 3번
60. 60. 다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, α0 : CB의 저주파 단락 전류 증폭률, β0 : CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
1.
fs = β0ㆍfα
2.
fs = (1+α0)ㆍfα
4.
fβ = fα(1-β0)
정답: 3번
61. 61. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
1.
Schro dinger 방정식
2.
Maxwell-Boltzmann
3.
1차원의 Poisson 방정식
4.
Einstein 관계식
정답: 2번
62. 62. 반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?
1.
다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
2.
진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
3.
불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
4.
캐리어의 이동도를 결정하기 때문
정답: 3번
63. 63. 다음 중 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
1.
고저항 측정기
2.
전류계
3.
자장계
4.
분압계
정답: 3번
64. 64. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
1.
열전자 방출
2.
냉음극 방출
3.
2차 전자 방출
4.
광전자 방출
정답: 4번
65. 65. 평행판 A, B 사이의 거리가 1[㎝]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?
1.
3.37×10-7
2.
1.69×10-7
3.
1.69×10-8
4.
3.37×10-9
정답: 4번
66. 66. 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?
1.
EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스
2.
EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스
3.
EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스
4.
EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스
정답: 3번
67. 67. 다음 중 물질을 구성하는 요소가 아닌 것은?
1.
전자
2.
양성자
3.
중성자
4.
쌍극자
정답: 4번
68. 68. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
2.
불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항 보다 크다.
3.
열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재격합률은 같다.
4.
캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.
정답: 2번
69. 69. 다음 에너지 대역에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
전도대와 가전자대 사이 영역을 금지대라 한다.
2.
원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다.
3.
가전자로 채워져 있는 허용 에너지대를 가전자대라 한다.
4.
금지 대역폭(energy band gap)의 크기에 따라 도체, 반도체, 절연체로 구분한다.
정답: 2번
70. 70. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
확산계수와는 무관하다.
2.
캐리어의 이동도에만 관계있다.
3.
캐리어의 수명시간에만 관계있다.
4.
캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
정답: 4번
71. 71. 다음 중 Pauli 배타율 원리가 만족되는 분포 함수는?
1.
Maxwell-Boltzmann
2.
Fermi-Dirac
3.
Schro dinger
4.
Einstein
정답: 2번
72. 72. 다음 중 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?
1.
다결정의 Ge 성장
2.
다결정의 Si 성장
3.
기판에 매우 얇은 단결정의 성장
4.
기판에 매우 얇은 다결정의 성장
정답: 3번
73. 73. Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?
1.
0V
2.
0.7V
3.
7V
4.
70V
정답: 2번
74. 74. 다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?
1.
Thermistor
2.
SCR
3.
TRIAC
4.
DIAC
정답: 1번
75. 75. 다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?
1.
f(E) = 1+e(E-E1)/KT
2.
f(E) = 1/(1+e(E-E1)/KT)
3.
f(E) = 1-e(E-E1)/KT
4.
f(E) = 1/(1-e(E-E1)/KT)
정답: 2번
76. 76. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h 는 Plank 상수)
1.
P = λh
2.
P = h/λ
3.
P = λ/h
4.
λ = 1/Ph
정답: 2번
77. 77. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
1.
광 에너지
2.
운동 에너지
3.
페르미 준위
4.
일 함수
정답: 4번
78. 78. 다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?
1.
cm/Vㆍs
2.
cm2/Vㆍ-s
3.
cm2/s
4.
cm/s
정답: 2번
79. 79. 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
1.
서미스터
2.
바리스터
3.
쇼트키 다이오드
4.
제너 다이오드
정답: 2번
80. 80. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
1.
충만대(filled band)
2.
가전자대(valence band)
3.
전도대(conduction band)
4.
금지대(forbidden band)
정답: 3번
81. 81. 10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?
1.
2단
2.
4단
3.
8단
4.
10단
정답: 2번
82. 82. 다음 중 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?
1.
direct addressing
2.
indirect addressing
3.
relative addressing
4.
temporary addressing
정답: 4번
83. 83. 다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?
정답: 1번
84. 84. 다음 중 어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
1.
direct addressing mode
2.
indirect addressing moded
3.
absolute addressing mode
4.
relative addressing mode
정답: 4번
85. 85. 컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?
1.
interrupt
2.
mapping
3.
merging
4.
overlapping
정답: 2번
86. 86. 다음 중 순서도(Flow chart)작성 시 장점에 속하지 않는 것은?
1.
코딩하기가 쉽다.
2.
분석과정이 명료해 진다.
3.
라인 프린터의 속도가 신속하다.
4.
논리적 오차나 불합리한 점을 쉽게 발견할 수 있다.
정답: 3번
87. 87. 다음 논리식을 간략화 한 것으로 옳은 것은?
1.
A(B+C)
2.
(A+B)C
3.
1
4.
A+B+C
정답: 1번
88. 88. 다음 중 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
1.
폴링 방법에 의한 인터럽트
2.
벡터 방식에 의한 인터럽트
3.
수퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
4.
데이지체인 방법에 의한 인터럽트
정답: 1번
89. 89. 다음 중 자기 보수성(Self-Complement)의 특징을 갖고 있는 코드는?
1.
Excess-3 code
2.
Gray code
3.
BCD code
4.
Parity code
정답: 1번
90. 90. 다음 보기의 연산은?
1.
MOVE 연산
2.
Complement 연산
3.
AND 연산
4.
OR 연산
정답: 3번
91. 91. 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
1.
counter channel
2.
selector channel
3.
multiplexer channel
4.
block multiplexer channel
정답: 1번
92. 92. 숫자나 문자 등의 키보드(Keyboard) 입력을 2진 코드로 부호화하는데 사용될 수 있는 소자는?
1.
인코더(Encoder)
2.
디코더(Decoder)
3.
멀티플렉서(Multiplexer)
4.
디멀티플렉서(Demultiplexer)
정답: 1번
93. 93. 흐름도(flowchart) 기호와 그 용도의 관계가 옳지 않은 것은?
1.
: 각종 처리되는 작용
2.
: 일반적인 입ㆍ출력 작용
3.
: 비교, 판단
4.
: 흐름의 중단된 부분 연결
정답: 4번
94. 94. 중앙처리장치의 주요기능에 대한 내용 중 옳지 않은 것은?
1.
기억기능-레지스터(register)
2.
연산기능-연산기(ALU)
3.
전달기능-누산기(accumulator)
4.
제어기능-조합회로와 기억소자
정답: 3번
95. 95. 연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?
1.
기억 기능
2.
제어 기능
3.
전달 기능
4.
함수연산 기능
정답: 1번
96. 96. 다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
1.
hamming code
2.
ring counter code
3.
gray code
4.
8421 code
정답: 1번
97. 97. 순차접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?
1.
반도체 메모리
2.
자기드럼
3.
자기테이프
4.
자기디스크
정답: 3번
98. 98. ASCII 코드의 존(zone)비트와 디짓(digit)비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?
1.
존 비트 : 4. 디짓 비트 : 3
2.
존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4
3.
존 비트 : 4. 디짓 비트 : 4
4.
존 비트 : 3. 디짓 비트 : 3
정답: 2번
99. 99. 프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?
1.
FORTRAN
2.
ALGOL
3.
어셈블리어
4.
C++
정답: 4번
100. 100. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
1.
Compiler
2.
Transiator
3.
Assembler
4.
Language Decoder
정답: 3번