전자기사
(2008-09-07 기출문제)
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1. 1. 다음 중 표피효과 설명으로 옳은 것은?
1.
주파수가 높을수록 침투깊이가 얇아진다.
2.
표피효과에 따른 표피저항은 단면적에 비례한다.
3.
투자율이 크면 표피효과가 작게 나타난다.
4.
도전율이 큰 도체에는 표피효과가 적게 나타난다.
정답: 1번
2. 2. 다음 중 반자성체에 속하는 것은?
1.
철
2.
니켈
3.
알루미늄
4.
구리
정답: 4번
3. 3. 공기 중에 반지름 r[m]의 매우 긴 평행 왕복도체가 d[m]의 간격으로 놓여있을 때 단위 길이당의 정전용량은 몇 [F/m] 인가? (단, r ＜ d 이다.)
정답: 1번
4. 4. 공기 중에서 5[V], 10[V]로 대전된 반지름 2[cm], 4[cm]의 2개의 구를 가는 철사로 접속했을 때 공통 전위는 몇 [V] 인가?
1.
6.25
2.
7.5
3.
8.33
4.
10
정답: 3번
5. 5. 그림과 같은 환상 철심코일의 코일내에 저축된 자기에너지는 몇 [J] 인가?
1.
μa2N2I2/2πr
2.
μa2N2I2/4πr
3.
μa2N2I2/2r
4.
μa2N2I2/4r
정답: 4번
6. 6. 다음 식 중 옳지 않은 것은?
2.
E = -grad V
정답: 4번
7. 7. 정전 용량이 0.03[μF]의 평행판 공기콘덴서에 전극 간격의 1/2두께의 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 정전용량은 약 몇 [μF] 인가? (단, 유리판의 비유전율은 10 이라 한다.)
1.
0.005
2.
0.015
3.
0.055
4.
0.155
정답: 3번
8. 8. 공기 중에서 전자기파의 파장이 3[m]라면 그 주파수는 몇 [MHz] 인가?
1.
100
2.
300
3.
1000
4.
3000
정답: 1번
9. 9. 반지름 a[m]의 구 도체에 전하 Q[C]이 주어질 때 구도체 표면에 작용하는 정전응력은 약 몇 [N/m2] 인가?
1.
9Q2/16πεoa6
2.
9Q2/32πεoa6
3.
Q2/16πεoa4
4.
Q2/32πεoa4
정답: 4번
10. 10. 직렬로 접속한 2개의 코일에 있어서 합성 자기 인덕턴스는 80[mH]가 되고 한쪽 코일의 접속을 반대로 하면 합성 자기 인덕턴스는 50[mH]가 된다. 두 코일사이의 상호 인덕턴스는 몇 [mH] 인가?
1.
2.5
2.
6.0
3.
7.5
4.
9.0
정답: 3번
11. 11. 전기회로에서 도전율[℧/m]에 대응하는 것은 자기회로에서 어떤 것인가?
1.
자속
2.
기자력
3.
투자율
4.
자기저항
정답: 3번
12. 12. 순수한 물의 비투자율 μr = 1, 비유전율 εr = 78 이다. 여기에 300[MHz]의 전파를 보냈을 때 전파속도는 몇 [m/s] 인가?
1.
3.40×107
2.
3.40×106
3.
2.41×107
4.
2.41×105
정답: 1번
13. 13. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
전기력선의 방정식은 “전기력선의 접선방향이 전계의 방향이다.”에서 유래된 것이다.
2.
“전기력선은 스스로 루프(loop)를 만들 수 없다.”라 함은 전계의 세기의 유일성을 나타내는 것이다.
3.
구좌표로 표시한 전기력선의 방정식은 dr/Er = rdθ/Eθ = rcosθdθ/Eø로 표시된다.
4.
진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 1.13×1011개 이다.
정답: 3번
14. 14. 저항 R에 전압 V를 인가하였을 때 발생하는 열량을 설명한 것 중 옳지 않은 것은?
1.
저항 R의 제곱에 반비례한다.
2.
인가한 전압 V의 제곱에 비례한다.
3.
전압을 가한 시간에 비례한다.
4.
저항에 흐르는 전류의 제곱에 비례한다.
정답: 1번
15. 15. 10[cm3]의 체적에 3[μC/cm3]의 체적전하분포가 있을 때, 이 체적 전체에서 발산하는 전속은 몇 [C] 인가?
1.
3×105
2.
3×106
3.
3×10-5
4.
3×10-6
정답: 3번
16. 16. 환상 철심에 감은 코일에 5[A]의 전류를 흘려 2000[AT]의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는 얼마로 하여야 하는가?
1.
10000
2.
500
3.
400
4.
250
정답: 3번
17. 17. 자유공간에서 맥스웰의 전자파에 관한 기본 방정식은?
1.
rotH = i, rotE = -∂B/∂t
2.
rotH = ∂D/∂t, rotE = ∂B/∂t
3.
rotH = ∂D/∂t, rotE = -∂B/∂t
4.
rotH = i, rotE = ∂B/∂t
정답: 3번
18. 18. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
유전체의 전속밀도는 도체에 준 진전하 밀도와 같다.
2.
유전체의 전속밀도는 유전체의 분극전하 밀도와 같다.
3.
유전체의 분극선의 방향은 -분극전하에서 +분극전하로 향하는 방향이다.
4.
유전체의 분극도는 분극전하 밀도와 같다.
정답: 2번
19. 19. 전기쌍극자에 의한 전계의 세기는 쌍극자로부터의 거리 r에 대해서 어떠한가?
1.
r 에 반비례한다.
2.
r2에 반비례한다.
3.
r3에 반비례한다.
4.
r4에 반비례한다.
정답: 3번
20. 20. 폐곡면을 통하는 전속과 폐곡면 내부의 전하와의 상관관계를 나타내는 법칙은?
1.
가우스의 법칙
2.
쿨롱의 법칙
3.
포아송의 법칙
4.
라프라스의 법칙
정답: 1번
21. 21. 다음 중 정현파(전파)의 파고율은?
1.
1
2.
3.
4.
2
정답: 2번
22. 22. 전압 50[V], 전류 10[A]로서 400[W]의 전력을 소비하는 회로의 리액턴스는 몇 [Ω] 인가?
1.
3
2.
4
3.
5
4.
8
정답: 1번
23. 23. 그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V] 인가? (단, V는 단상교류 전압임)
1.
1
2.
5
3.
7
4.
15
정답: 2번
24. 24. 다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수는?
정답: 1번
25. 25. 다음은 정현파를 대표하는 phasor이다. 정형파를 순시치로 나타내면?
정답: 3번
26. 26. 그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, n = n1/n2이다.)
1.
V1/V2 = n1/n2
2.
V1i1 = V2i2
3.
i1/i2 = n2/n1
정답: 4번
27. 27. 단위 계단함수 U(t)와 지수 e-t의 컨볼루션 적분은?
1.
e-t
2.
1/e-t
3.
1-e-t
4.
1+e-t
정답: 3번
28. 28. 100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 20[W]이었다면 이 형광등의 역률은?
1.
0.4
2.
0.5
3.
0.6
4.
0.8
정답: 1번
29. 29. 다음 회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
1.
4.1[Ω]
2.
5.2[Ω]
3.
6.3[Ω]
4.
7.4[Ω]
정답: 2번
30. 30. 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 옳지 않은 것은?
1.
A = 7
2.
B = 48
3.
C = 6
4.
D = 7
정답: 3번
31. 31. 이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?
1.
코일에 관계되는 손실이 없이, 두 코일의 결합계수가 1인 경우
2.
상호 자속이 전혀 없는 경우, 즉 유도 결합이 없는 경우
3.
상호 자속과 누설 자속이 전혀 없는 경우
4.
결합 계수 K가 0인 경우
정답: 1번
32. 32. RL 직렬회로에 t = 0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R = 50[Ω], L = 10[H]이다.)
1.
2(1-e5t)
2.
2(1-e-5t)
3.
1.96(1-et/5)
4.
1.96(1-e-t/5)
정답: 2번
33. 33. 저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서의 전압위상과 저항에 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?
1.
45°
2.
90°
3.
135°
4.
180°
정답: 2번
34. 34. K의 비례요소가 존재하는 회로의 전달함수는?
1.
K
2.
K/s
3.
1/K
4.
sK
정답: 1번
35. 35. 다음 회로에서 커패시터에 걸리는 전압을 구하면?
1.
V(S) = I(S)/(SL+R)SC+1
2.
V(S) = I(S)R/(SL+R)SC+1
3.
V(S) = I(S)/(SL+R)+1
4.
V(S) = I(S)R/(SL+R)SC
정답: 2번
36. 36. 기본파의 50[%]인 제3고조파와 30[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
1.
0.2
2.
0.4
3.
0.6
4.
0.8
정답: 3번
37. 37. 다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?
정답: 3번
38. 38. 다음 그림에서 i1 = 16[A], i2 = 22[A], i3 = 18[A], i4 = 27[A]일 때 i5는?
1.
-7[A]
2.
-15[A]
3.
3[A]
4.
7[A]
정답: 2번
39. 39. 그림의 회로가 정저항 회로가 되려면 L은 몇 [H] 인가? (단, R = 20[Ω], C = 200[μF]이다.)
1.
0.08
2.
0.8
3.
1
4.
10
정답: 1번
40. 40. 상수 1의 라플라스 역변환은?
1.
μ(t)
2.
t
3.
δ(t)
4.
r(t)
정답: 3번
41. 41. 다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?
1.
-3.3[V] ~ +3.3[V]
2.
-4.4[V] ~ +4.4[V]
3.
-5.5[V] ~ +5.5[V]
4.
-6.6[V] ~ +6.6[V]
정답: 2번
42. 42. IDSS = 25[mA], VGS(off) = 15[V]인 P 채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS=5[V]이다.)
1.
100[Ω]
2.
270[Ω]
3.
450[Ω]
4.
510[Ω]
정답: 3번
43. 43. 다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf 양단에 걸리는 전압 Vf = (25 If2 + 50 If + 3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 Vo는 몇 [V] 인가?
1.
-3[V]
2.
-3.2[V]
3.
-4.1[V]
4.
-5.8[V]
정답: 2번
44. 44. FM 변조 방식에서 변조지수가 6 이고, 신호 주파수가 10[kHz]일 때 점유주파수 대역폭은 몇 [kHz] 인가?
1.
60[kHz]
2.
70[kHz]
3.
120[kHz]
4.
140[kHz]
정답: 4번
45. 45. 고역 차단주파수가 500[kHz]인 증폭회로를 2단으로 종속 연결했을 때 종합 고역 차단주파수는 약 몇 [kHz]인가?
1.
120[kHz]
2.
240[kHz]
3.
320[kHz]
4.
500[kHz]
정답: 3번
46. 46. 다음 중 BJT와 비교한 FET의 특성에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
1.
전류제어형이다.
2.
잡음특성이 양호하다.
3.
이득대역폭적이 작다.
4.
온도 변화에 따른 안정성이 높다.
정답: 1번
47. 47. 다음 중 수정발진기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
1.
압전 효과를 이용한다.
2.
발진 주파수의 안정도가 매우 높다.
3.
수정편이 컷 방법에 따라 온도 계수가 달라진다.
4.
수정편이 같은 두께일 때 X 컷 보다 Y 컷의 발진주파수가 높다.
정답: 4번
48. 48. 다음 중 베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
1.
고주파수 특성이 양호하다.
2.
입출력 위상은 동위상이다.
3.
입력저항은 수십[Ω] 정도로 작다.
4.
전류 증폭도가 수십 ~ 수백으로 크다.
정답: 4번
49. 49. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 50[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때 동상이득 (AC)은 얼마인가?
1.
0.1
2.
1
3.
10
4.
12.5
정답: 1번
50. 50. 다음 연산증폭기 회로에서 출력임피던스는 약 몇 [Ω]인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000 이고, 출력임피던스는 50[Ω]이다.)
1.
0.1
2.
0.5
3.
1.0
4.
5.0
정답: 2번
51. 51. 변조도가 100[%]인 DSB 파의 전력이 30[kW]이라면 반송파 성분의 전력은 몇 [kW] 인가?
1.
10[kW]
2.
20[kW]
3.
30[kW]
4.
45[kW]
정답: 2번
52. 52. 다음 중 트랜스 결합 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
1.
주파수 특성이 매우 평탄하다.
2.
전압손실이 거의 없어 전원 효율이 좋다.
3.
트랜스의 성능을 좋게 하기 위해서는 크기가 대형이고 값이 비싸다.
4.
트랜스 결합 증폭회로는 임피던스 정합이 용이하여 주로 전력증폭용으로 사용된다.
정답: 1번
53. 53. α가 0.98이고, α 차단 주파수가 2000[kHz]인 트랜지스터를 이미터 접지로 사용할 경우 β 차단 주파수는 몇 [kHz] 인가?
1.
20[kHz]
2.
30[kHz]
3.
40[kHz]
4.
50[kHz]
정답: 3번
54. 54. fT(단위 이득 주파수)가 175[MHz]인 트랜지스터가 중간 영역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 몇 [MHz] 인가?
1.
2.7[MHz]
2.
3.5[MHz]
3.
5.2[MHz]
4.
25.4[MHz]
정답: 2번
55. 55. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.2[μA]에서 121.2[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류는 12[mA]에서 12.6[mA]로 변화하였다면 안정계수는 얼마인가?
1.
3.2
2.
5.0
3.
6.5
4.
8.3
정답: 2번
56. 56. 어떤 증폭기에서 궤환이 없을 때 전압이득이 60[dB]이다. 궤환 시의 전압 궤환율(β)이 0.01일 때 전압이득은 약 몇 [dB] 인가?
1.
30[dB]
2.
40[dB]
3.
50[dB]
4.
60[dB]
정답: 2번
57. 57. 다음 중 트랜지스터 증폭기에서 온도 변화에 따른 동작점(Q)의 변동 원인에 영향이 가장 적은 것은?
1.
β값의 변화
2.
VBE값의 변화
3.
ICO값의 변화
4.
동작 주파수 값의 변화
정답: 4번
58. 58. 다음 회로의 동작에 대한 설명으로 가장 적합한 것은? (단, 입력신호는 진폭이 Vm인 정현파이고, 다이오드는 이상적인 것이며, RC 시정수는 신호파의 주기에 비해 매우 크다.)
1.
출력은 Vi 이다.
2.
출력은 2Vi 이다.
3.
출력전압은 VR-Vm인 정현파이다.
4.
부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다.
정답: 3번
59. 59. 다음 회로에서 리플 함유율을 작게 하는 방법으로 적합하지 않은 것은?
1.
L을 크게 한다.
2.
C를 크게 한다.
3.
RL을 적게 한다.
4.
교류입력 전원의 주파수를 높게 한다.
정답: 3번
60. 60. 다음 연산증폭기 회로에서 R1 = 10[kΩ], R2 = 100[kΩ] 일 때 궤환율(β)은 약 얼마인가?
1.
0.01
2.
0.09
3.
0.12
4.
0.9
정답: 2번
61. 61. 300[°K]에서 Fermi 준위 Ef 보다 0.1[eV] 낮은 에너지(Energy) 준위에 전자가 점유할 확률은 약 몇 [%] 인가?
1.
98[%]
2.
88[%]
3.
78[%]
4.
68[%]
정답: 1번
62. 62. 반도체에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은 어떻게 되는가?
1.
전계와 같은 방향이다.
2.
전계와 반대 방향이다.
3.
전계와 직각 방향이다.
4.
전계와 무관한 지그재그 운동을 한다.
정답: 1번
63. 63. 다음 중 반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산 계수 (D) 사이의 관계가 바르게 된 것은?
1.
D/μ = kT/e
2.
μ/D = kT/e
3.
D = kT/e
4.
D/μ = 1/kTe
정답: 1번
64. 64. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장을) 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
1.
충안대(filled band)
2.
급지대(forbidden band)
3.
가전자대(valence band)
4.
전도대(conduction band)
정답: 4번
65. 65. 일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
반도체의 저항이 증가한다.
2.
정공이 전도대로 이전한다.
3.
원자의 에너지가 증가한다.
4.
원자의 에노지가 감소한다.
정답: 3번
66. 66. 억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?
1.
갈륨(Ga)
2.
인듐(In)
3.
비소(As)
4.
붕소(B)
정답: 3번
67. 67. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
1.
Einstein의 관계식
2.
Maxwell-Boltzmann
3.
Schro dinger 방정식
4.
1차원의 Poisson 방정식
정답: 2번
68. 68. 다음 중 물질에서 전자가 방출할 수 있는 조건으로 적당하지 않은 것은?
1.
열을 가한다.
2.
빛을 가한다.
3.
전계를 가한다.
4.
압축한다.
정답: 4번
69. 69. 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?
1.
TRIAC(트라이맥)
2.
FET(Field Effect Transistor)
3.
SCR(Silicon Controlled Rectifier)
4.
UJT(UniJunction Junction Transistor)
정답: 2번
70. 70. 페르미 준위에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
불순물의 양과 온도가 증가할수록 금지대의 중앙으로부터 멀어진다.
2.
불순물의 양과 온도가 증가할수록 진성반도체의 페르미 준위에 가까워진다.
3.
불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로부터 멀어지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
4.
불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로 가까워지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
정답: 3번
71. 71. 드브로이(de Broglie) 물질파의 개념으로 볼 때 전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는?
1.
정지상태
2.
직선운동
3.
나선운동
4.
원운동
정답: 1번
72. 72. 다음 중 열평형 상태에서 있는 반도체에서 정공(正孔) 밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?
1.
온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
2.
온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
3.
불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
4.
불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
정답: 3번
73. 73. PN 접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?
1.
Tunnel 다이오드
2.
Zener 다이오드
3.
Varistor
4.
Varactor 다이오드
정답: 4번
74. 74. 트랜지스터 증폭기에서 부하 저항이 클수록 전류 이득은?
1.
변함없다.
2.
감소한다.
3.
증가한다.
4.
베이스 접지에서만 증가하고, 에미터 접지나 컬렉터 접지에서는 감소한다.
정답: 2번
75. 75. 다음 중 얼리(Early) 효과와 관계되는 것은?
1.
항복 현상
2.
이미터의 효율
3.
베이스 폭의 감소
4.
역바이어스 전압
정답: 3번
76. 76. 1[Couloeb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e = 1.602×10-19[C])
1.
6.24×1015
2.
6.24×1018
3.
6.24×1020
4.
6.24×1022
정답: 2번
77. 77. 서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류 전류를 흐르게 하면, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?
1.
Peltier Effect
2.
Seebeck Effect
3.
Zeeman Effect
4.
Hall Effect
정답: 1번
78. 78. 접합형 트랜지스터의 구조를 올바르게 설명한 것은?
1.
이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
2.
불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
3.
베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
4.
베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 많이 넣는다.
정답: 3번
79. 79. 진성 반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
반도체의 저항 온도계수는 양(+)이다.
2.
운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다.
3.
Fermi 준위는 어떤 온도에서든지 전도대와 가전자대의 중앙에 위치한다.
4.
단위 체적당 전도대 중의 전자의 수와 단위 체적당 가전자대 중의 정공의 수는 같다.
정답: 1번
80. 80. 빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?
1.
산란현상
2.
회절현상
3.
광전현상
4.
콤프턴(compton) 효과
정답: 2번
81. 81. CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.
2.
명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.
3.
기억장치내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출사이클이라 한다.
4.
인터럽트 사이클 동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.
정답: 3번
82. 82. 다음 회로에서 A = 1011, B = 0111 이 입력되어 있을 때 그 출력은?
1.
0101
2.
1010
3.
0110
4.
1100
정답: 2번
83. 83. 메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입ㆍ출력 정송이 직접 이루어지는 것은?
1.
MIMD
2.
UART
3.
MIPS
4.
DMA
정답: 4번
84. 84. 다음은 언팩 10진 형식으로 표기한 것이다. 이를 10진수로 옳게 표현한 것은?
1.
+9125
2.
-9125
3.
+395
4.
-395
정답: 3번
85. 85. 프로그램이 수행될 때 최근에 사용한 인스트럭션과 데이터를 다시 사용할 가능성이 크다는 것을 무엇이라 하는가?
1.
접근의 국부성
2.
디스크인터리빙
3.
페이징
4.
블록킹
정답: 1번
86. 86. 직렬 시프트 레지스터(4bit)에 1011 이 현재 들어있고 이 직렬 레지스터가 0110을 삽입하려면 몇 개의 클럭펄스가 필요한가?
1.
11
2.
6
3.
5
4.
4
정답: 4번
87. 87. 다음 중 홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z이다.)
1.
(x ⊙ y) ⊙ z
2.
(x ⊕ y) ⊕ z
3.
(x ⊕ y) ⊙ z
4.
(x+y)ㆍz
정답: 3번
88. 88. 운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?
1.
감시 프로그램
2.
작업 관리 프로그램
3.
데이터 관리 프로그램
4.
언어 번역 프로그램
정답: 4번
89. 89. 64k인 주소공간과 4K인 기억공간을 가진 컴퓨터의 경우, 한 페이지(page)가 512워드로 구성된다면 페이지와 블록 수는 각각 얼마인가?
1.
페이지 : 16, 블록 : 12
2.
페이지 : 16, 블록 : 16
3.
페이지 : 128, 블록 : 8
4.
페이지 : 128, 블록 : 16
정답: 3번
90. 90. 번지를 기억하고 있는 레지스터와 관계없는 것은?
1.
MAR
2.
IR
3.
PC
4.
SP
정답: 2번
91. 91. 캐시 메모리와 관련이 가장 적은 것은?
1.
연관매핑(associative mappint)
2.
가상기억장치(virtual memory)
3.
적중률(hit ratio)
4.
참조의 국한성(locality of reference)
정답: 2번
92. 92. 디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?
1.
윈체스터 디스크
2.
이동 디스크
3.
콤팩트 디스크
4.
플로피 디스크
정답: 1번
93. 93. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
레지스터는 데이터를 일시적으로 기억하는 장치로 기능에 따라 여러 가지 이름이 붙여진다.
2.
프로그래머는 연산용 레지스터에 기억된 내용을 프로그램을 통해 직접적으로 변경할 수 없다.
3.
명령 레지스터는 실행 중에 있는 명령을 기억하고 주소를 보관하는 레지스터로서 명령부와 주소부로 구성되어 있다.
4.
명령해독기는 AND 논리회로의 집합으로 구성되어 있다.
정답: 2번
94. 94. 변수에 대한 설명으로 맞는 것은?
1.
프로그램 내에서 자료를 기억시킬 수 있는 기억장소
2.
하드디스크 내에 자료를 기억시킬 수 있는 공간
3.
프로그램 실행과정에서 변하지 않는 값을 저장
4.
프로그램 실행과정에서 프로그램이 중단되더라도 손실되지 않는다.
정답: 1번
95. 95. 10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
1.
1001
2.
0100
3.
1100
4.
1011
정답: 4번
96. 96. 서브루틴(subroutine) 호출 처리 작업시 복귀주소를 저장하고 조회하는 용도에 적합한 자료 구조는?
1.
업
2.
큐
3.
스택
4.
연결 리스트
정답: 3번
97. 97. memory-mapped I/O 방식의 사용상 특징은?
1.
메모리와 입ㆍ출력 번지 사이의 구별이 없다.
2.
입ㆍ출 전용 번지가 할당되기 때문에 프로그램의 이해 및 작성이 쉽다.
3.
기억장치의 이용효율이 높다.
4.
하드웨어가 복잡하다.
정답: 1번
98. 98. 반도체 메모리 소자 중 SRAM의 특징이 아닌 것은?
1.
플립플롭에 의한 기억소자로 내부회로가 복잡하다.
2.
DRAM에 비해서 고집적도가 용이하고 소비전력이 많다.
3.
읽기, 쓰기의 고속 실행이 가능하다.
4.
refresh 회로가 필요 없다.
정답: 2번
99. 99. 단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?
1.
MOVE 연산
2.
Complement 연산
3.
Shift 연산
4.
OR 연산
정답: 4번
100. 100. 주소지정방식(addressing mode)에서 오퍼랜드(operand) 부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?
1.
index addressing mode
2.
direct addressing mode
3.
indirect addressing mode
4.
immediate addressing mode
정답: 4번