전자기사
(2009-03-01 기출문제)
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1. 1. 다음 중 국제 단위계(SI)에 있어서 인덕턴스(Indectance)의 차원(次元)으로 옳은 것은? (단. L은 길이, M은 질량, T는 시간, I는 전류이다.)
1.
LMT-2I-2
2.
L2MT-2I-2
3.
L2MT-3I-2
4.
L-2M-1T4I2
정답: 2번
2. 2. 저항 10[Ω]의 코일을 지나는 자속이 ø = 5sin10t[A]일 때, 유도기전력에 의한 전류[A]의 최대값은?
1.
1[A]
2.
2[A]
3.
5[A]
4.
10[A]
정답: 3번
3. 3. 그림과 같이 면적 S[m2]인 평행판 콘덴서의 극판간에 판과 평행으로 두께 d1[m], d2[m], 유전율 ε1[F/m], ε2[F/m]의 유전체를 삽입하면 정전용량[F]은?
정답: 1번
4. 4. 자기 쌍극자의 자위에 관한 설명 중 맞는 것은?
1.
쌍극자의 자기모멘트에 반비례한다.
2.
거리제곱에 반비례한다.
3.
자기 쌍극자의 축과 이루는 각도 θ의 sinθ에 비례한다.
4.
자위의 단위는 [Wb/J]이다.
정답: 2번
5. 5. 다음 사항 중 옳은 것은?
1.
∇×H는 면전류밀도 [A/m2]를 의미하며, curl H 또는 rot H 와 같다.
2.
∇V는 전계방향과 반대이고, 등전위면과 직각방향인 전위가 감소하는 방향으로 향한다.
3.
∇ㆍD는 단위면적당의 발산전속수를 의미한다.
4.
∇×(∇×A)는 벡터 항등식에서 ∇(∇ㆍA)∇2A와 같다.
정답: 1번
6. 6. 이종(異種)의 유전체사이의 경계면에 전하분포가 없을 때 경계면 양쪽에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
2.
전계의 법선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
3.
전계의 접선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
4.
전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
정답: 4번
7. 7. 그림과 같은 반지름 ρ[m]인 원형 영역에 걸쳐 균등 자속 밀도가 B = Boaz[T]로 측정되었다면 그 원형 영역내의 벡터포텐셜 A[Wb/m]는 얼마인가?
정답: 4번
8. 8. 압전기 현상에서 분극이 응력과 같은 방향으로 발생하는 현상을 무슨 효과라 하는가?
1.
종효과
2.
횡효과
3.
역효과
4.
간접효과
정답: 1번
9. 9. 반사계수 ϓ = 0.8일 때 정재파비 S를 데시벨[dB]로 표시하면?
2.
10 log109
4.
20 log109
정답: 4번
10. 10. 평등 전계 내에 수직으로 비유전율 εr = 3인 유전체 판을 놓았을 경우 판 내의 전속밀도 D = 4×10-6[C/m2]이었다. 이 유전체의 비분극률은?
1.
2
2.
3
3.
1×10-6
4.
2×10-6
정답: 1번
11. 11. 대전된 도체구 A를 반지름이 2배가 되는 대전되어 있지 않는 도체구 B에 접속하면 도체구 A는 처음 갖고 있던 전계 에너지의 얼마가 손실되겠는가?
1.
3/2
2.
2/3
3.
5/2
4.
2/5
정답: 2번
12. 12. 도전률 σ, 투자율 μ인 도체에 교류전류가 흐를 때 표피효과에 의한 침투깊이 δ는 σ와 μ, 그리고 주파수 f에 어떤 관계가 있는가?
1.
주파수 f와 무관하다.
2.
σ가 클수록 작다.
3.
σ와 μ에 비례한다.
4.
μ가. 클수록 크다.
정답: 2번
13. 13. 비유전율 εr = 4, 비투자율 μr = 1인 매질 내에서 주파수가 1[GHz]인 전자기파의 파장은 몇 [m] 인가?
1.
0.1[m]
2.
0.15[m]
3.
0.25[m]
4.
0.4[m]
정답: 2번
14. 14. 서로 결합하고 있는 두 코일 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 LC1, LC2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성 인덕턴스값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향이 있고, 서로 상쇄되는 방향이 있다. 전자의 경우 얻은 합성인덕턴스의 값이 L1, 후자의 경우 얻은 합성인덕턴스의 값이 L2 일 때, 다음 중 알맞은 식은?
1.
L1＜L2, |M|= L2+L1/4
2.
L1＞L2, |M|= L1+L2/4
3.
L1＜L2, |M|= L2-L1/4
4.
L1＞L2, |M|= L1-L2/4
정답: 4번
15. 15. 비투자율이 2500인 철심의 자속밀도가 5[Wb/m2]이고 철심의 부피가 4×10-6[m3]일 때, 이 철심에 저장된 자기에너지는 몇 [J] 인가?
1.
1/π×10-2[J]
2.
3/π×10-2[J]
3.
4/π×10-2[J]
4.
5/π×10-2[J]
정답: 4번
16. 16. 반지름이 1[cm]와 2[cm]인 동심원통의 길이가 50[cm]일 때 이것의 정전용량은 약 몇 [pF] 인가? (단, 내원통에 +λ[cm], 외원통에 -λ[cm]인 전하를 준다고 한다.)
1.
0.56[pF]
2.
34[pF]
3.
40[pF]
4.
141[pF]
정답: 3번
17. 17. E[V/m]의 평등 전계를 가진 절연유(비유전율 εr) 중에 있는 구형기포(球形氣泡) 내의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
정답: 3번
18. 18. 다음 중 20℃에서 저항온도계수(temperature coefficient of resistance)가 가장 큰 것은?
1.
Ag
2.
Cu
3.
Al
4.
Ni
정답: 4번
19. 19. 커패시터를 제조하는데 A, B, C, D와 같은 4가지의 유전재료가 있다. 커패시터내에서 단위체적당 가장 큰 에너지 밀도를 나타내는 재료부터 순서대로 나열하면? (단, 유전재료 A, B, C, D의 비유전율은 각각 εrA = 8, εrB = 10, εrC = 2, εrD = 4 이다.)
1.
B ＞ A ＞ D ＞ C
2.
A ＞ B ＞ D ＞ C
3.
D ＞ A ＞ C ＞ B
4.
C ＞ D ＞ A ＞ B
정답: 1번
20. 20. 다음 중 자기회로에서 키르히호프의 법칙으로 알맞은 것은? (단, R : 자기저항, ø : 자속, N : 코일 권수, I : 전류 이다.)
정답: 3번
21. 21. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬회로에 직류 전압을 인가할때 t = 3τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?
1.
86[%]
2.
73[%]
3.
95[%]
4.
100[%]
정답: 3번
22. 22. 다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21은?
1.
Y11 = 1/Za, Y21 = 1/Zb
2.
Y11 = 1/Zb, Y21 = 1/Za
3.
Y11 = 1/Za, Y21 = 1/Za
4.
Y11 = 1/Zb, Y21 = 1/Zb
정답: 3번
23. 23. 정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류했을 때의 평균값은?
1.
Vm/2
3.
Vm/π
4.
2Vm/π
정답: 3번
24. 24. 감쇠기의 전력비가 P1/P2 = 100일 때의 감쇠량[dB]은?
1.
1
2.
10
3.
20
4.
100
정답: 3번
25. 25. 교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?
1.
L = R2/(R1C)
2.
L = CR1CR2
3.
L = C/(R1R2)
4.
L = (R1R2)/C
정답: 2번
26. 26. e-at cos ωt의 라플라스(Laplace) 변환은?
정답: 2번
27. 27. 다음 설명은 어떤 회로망 정리를 표현한 것인가?
1.
노튼 정리
2.
보상 정리
3.
테브난 정리
4.
중첩의 정리
정답: 4번
28. 28. 전압비 20을 데시벨로 표시하면 몇 [dB] 인가? (단, log102 = 0.3)
1.
13
2.
20
3.
26
4.
100
정답: 3번
29. 29. 다음을 역 Laplace로 변환하면?
1.
cos 3t
2.
sin 3t
3.
sin 9t + cos 9t
4.
sin 3t + cos 3t
정답: 4번
30. 30. R-L-C 직렬공진회로에서 공진 주파수가 fr 이고, 반전력 대역폭이 Δf 일 때 공진도 Qr은?
1.
Qr = Δf/fr
2.
Qr = Δf/2πfr
3.
Qr = fr/Δf
4.
Qr = 2πfr/Δf
정답: 3번
31. 31. 인덕턴스 L1, L2가 각각 2[mH], 4[mH]인 두 코일간의 상호 인덕턴스 M이 4[mH]라고 하면 결합계수 K는 약 얼마인가?
1.
1.41
2.
1.54
3.
1.66
4.
2.47
정답: 1번
32. 32. 다음 그림의 정현파에서 v(t) = Vsin(ωt+ø)의 주기 T를 올바르게 표시한 것은?
1.
2πω
2.
2πf
3.
ω/2π
4.
2π/ω
정답: 4번
33. 33. R, L, C 병렬 공진회로에 관한 설명 중 옳은 것은?
1.
R 이 작을수록 Q가 낮다.
2.
공진시 입력 어드미턴스는 매우 작아진다.
3.
공진 주파수 이하에서의 입력 전류는 전압보다 위상이 뒤진다.
4.
공진시 L 또는 C로 흐르는 전류는 입력 전류 크기의 1/Q배가 된다.
정답: 4번
34. 34. LC 공진회로에서 R = 3[Ω], L = 15[mH]일 때 2kHz의 정현파를 인가하였더니 공진이 발생했다. 이 때 캐패시턴스 C는 약 얼마인가?
1.
422[nF]
2.
422[μF]
3.
5305[μF]
4.
47[μF]
정답: 1번
35. 35. 그림과 같은 T형 4단자 회로의 임피던스 파라미터 Z21은?
1.
Z1+Z2
2.
-Z2
3.
Z2
4.
Z2+Z3
정답: 3번
36. 36. R-L-C 직렬 회로에 t = 0인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분방정식은?
정답: 2번
37. 37. 임피던스 Z(s)가 인 2단자 회로에 직류 전원 20[A]를 인가할 때 이 회로의 단자 전압은?
1.
20[V]
2.
40[V]
3.
200[V]
4.
400[V]
정답: 4번
38. 38. 정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?
4.
정답: 2번
39. 39. “회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?
1.
플레밍의 법칙
2.
렌쯔의 법칙
3.
패러데이의 법칙
4.
키르히호프의 법칙
정답: 4번
40. 40. 자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6[Ω]에서 전류 I = 10[A]가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2[Wb]이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?
1.
1
2.
2
3.
10
4.
12
정답: 2번
41. 41. 수정발진자의 직렬 공진주파수를 fS, 병렬 공진주파수를 fP라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fO의 범위는?
1.
fO ＜ fS
2.
fO ＞ fP
3.
fP ＜ fO ＜ fS
4.
fS ＜ fO ＜ fP
정답: 4번
42. 42. 저주파 증폭기에서 입력이 100[mV]일 때 전압이득이 60[dB]이고, 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 1.73[V], 1[V]이다. 출력전압의 왜율은 약 몇 [%] 인가?
1.
1[%]
2.
2[%]
3.
5[%]
4.
7[%]
정답: 2번
43. 43. 다음 중 이상적인 연산증폭기의 특징에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
1.
입력 오프셋 전압은 0 이다.
2.
오픈 루프 전압이득이 무한대이다.
3.
동상 신호 제거비(CMRR)가 0 이다.
4.
두 입력전압이 같을 때 출력전압은 0 이다.
정답: 3번
44. 44. 다음 중 병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
1.
전압
2.
전류
3.
전력
4.
임피던스
정답: 2번
45. 45. 다음과 같이 1[MHz]의 수정발진기 출력을 펄스 정형회로(Pulse shaper)를 거쳐 구형파로 바꾼 후 250[Hz]의 클럭 주파수를 만들고자 한다. 블록 A에 카운터를 설계하여 분주하는 경우 최소 몇 개의 플립플롭이 필요한가?
1.
10개
2.
11개
3.
12개
4.
13개
정답: 3번
46. 46. 다음의 연산증폭기 회로에서 출력전압 Vo는? (단, Ra/Rb = R1/R2 이다.)
정답: 4번
47. 47. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1.
저역통과 여파기
2.
고역통과 여파기
3.
DC-AC 변환기
4.
시미트 트리거
정답: 1번
48. 48. 부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 대응 2진 코드로 변환하는 조합논리회로를 무엇이라 하는가?
1.
디코더
2.
인코더
3.
플립플롭
4.
멀티플렉서
정답: 2번
49. 49. 다음과 같은 회로 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드 이다.)
1.
구형파형
2.
정현파형
3.
삼각파형
4.
톱날파형
정답: 1번
50. 50. 다음 중 적분 회로로 사용 가능한 회로는?
1.
저역통과 RC 회로
2.
고역통과 RC 회로
3.
대역소거 RC 회로
4.
대역통과 RC 회로
정답: 1번
51. 51. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1.
평형 변조회로
2.
전파 정류회로
3.
배전압 정류회로
4.
반파 정류회로
정답: 3번
52. 52. 다음 중 입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?
1.
bootstrapping 회로
2.
cascade 증폭기 회로
3.
트랜지스터 chopper 회로
4.
베이스 접지형 증폭기 회로
정답: 1번
53. 53. 다음 중 발진주파수 변동 원인과 방지책이 적합하지 않은 것은?
1.
주위온도 변화 : 항온조를 사용한다.
2.
부하 변동 : 발진기 후단에 완충증폭기를 사용한다.
3.
회로소자 변화 : 방습제를 사용한다.
4.
전원전압 변동 : 전력증폭기 등 다른 회로 전원과 공동으로 사용한다.
정답: 4번
54. 54. JFET에서 IDSS = 9[mA]이고, VGS(OFF) = -8[V]이다. VGS = 14[V]일 때 드레인 전류는 약 몇 [mA] 인가?
1.
1.2[mA]
2.
2.25[mA]
3.
3.4[mA]
4.
4.12[mA]
정답: 2번
55. 55. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 86[dB]이고, 차 신호에 대한 전압이득(Ad)이 100000 이라고할 때 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득(Ac)은 얼마인가?
1.
5
2.
10
3.
50
4.
100
정답: 1번
56. 56. 고역 3[dB] 차단주파수가 100[kHz]이고, 전압이득이 46[dB]인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득을 20[dB]로 낮추면 고역 3[dB] 차단주파수는 몇 [kHz]인가?
1.
500[kHz]
2.
1000[kHz]
3.
2000[kHz]
4.
4000[kHz]
정답: 3번
57. 57. 다음 회로에서 Re의 주 역할로 가장 적합한 것은? (단, C의 값은 매우 크다.)
1.
출력 증대
2.
동작점의 안정화
3.
바이어스 전압감소
4.
주파수 대역폭 증대
정답: 2번
58. 58. 이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100[μF]이고, IB가 1[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA] 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)
1.
109[mA]
2.
120[mA]
3.
137[mA]
4.
154[mA]
정답: 1번
59. 59. 다음 중 시미트 트리거(schmitt trigger) 회로에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
1.
입력 파형에 관계없이 출력은 삼각파이다.
2.
입력 전류의 크기로 회로의 on, off를 결정해 준다.
3.
A/D 변환기는 시미트 트리거 회로의 응용회로 중의 하나이다.
4.
2개의 증폭기의 접지 단자를 공통으로 접속하고, 음귀환을 걸어 입력 신호의 진폭에 따라 2가지 안정된 상태를 이룬다.
정답: 3번
60. 60. 무궤환시 전압이득이 100±20 인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득을 ±1[%] 이내로 안정시키려면 궤환율 (β)은 얼마로 하면 되겠는가?
1.
0.09
2.
0.12
3.
0.19
4.
0.25
정답: 3번
61. 61. 균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
2.
전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
3.
전계 E에 의한 전자의 운동에너지는 [J]이다.
4.
전위차 V에 의한 가속전자의 운동에너지는 eV[J]이다.
정답: 2번
62. 62. 다음 중 전자의 비전하를 의미하는 것으로 옳은 것은?
1.
전자와 전하의 비(ratio)를 의미
2.
전자와 전류의 비(ratio)를 의미
3.
전자와 질량의 비(ratio)를 의미
4.
전류와 질량의 비(ratio)를 의미
정답: 3번
63. 63. 정공의 확산계수 DP = 55[cm2/sec]이고, 정공의 평균수명 τP = 10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?
1.
6.3×103[cm]
2.
6.3×10-3[cm]
3.
7.4×103[cm]
4.
7.4×10-3[cm]
정답: 4번
64. 64. 다음 중 열음극을 갖는 것은?
1.
계전기 방전관
2.
네온관
3.
정전압 방전관
4.
수은 정류관
정답: 4번
65. 65. 반도체에서 용량의 변화에 의해 동작되는 소자로 가변용량 다이오드라고도 하는 것은?
1.
쇼트키(schottky) 다이오드
2.
바렉터(varactor) 다이오드
3.
터널(tunnel) 다이오드
4.
제너(zever) 다이오드
정답: 2번
66. 66. 열평형 상태에서 PN접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?
1.
전위 장벽이 없어졌다는 것이다.
2.
접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
3.
접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
4.
접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.
정답: 4번
67. 67. n채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transister)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
1.
전자의 확산 현상
2.
정공의 확산 현상
3.
정공의 드리프트 현상
4.
전자의 드리프트 현상
정답: 4번
68. 68. 광전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
광전자 방출은 금속의 일함수와 관계가 있다.
2.
금속 표면에 빛이 입사되면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
3.
한계 파장보다 긴 파장의 빛을 다량으로 입사시키면 광전자 방출이 일어난다.
4.
광전자 방출을 위해서는 금속 표면에 입사되는 빛의 파장이 한계 파장보다 짧아야 한다.
정답: 3번
69. 69. 다음 중 접합형 트랜지스터가 개폐기로 쓰이는 영역은?
1.
포화영역과 활성영역
2.
활성영역과 차단영역
3.
포화영역과 차단영역
4.
활성영역과 역할성영역
정답: 3번
70. 70. 루비 레이저(ruby Laser)의 펌핑(pumping) 에너지는?
1.
직류 전원이다.
2.
광적 에너지이다.
3.
자계 에너지이다.
4.
주파수가 낮은 교류 전원이다.
정답: 2번
71. 71. Si 접합형 npn 트랜지스터의 베이스폭이 10-5[m]일때, α차단 주파수는 약 몇 [MHz] 인가? (단, Si의 전자이동도 μn은 0.15[m2/Vㆍs]이다.)
1.
4
2.
12
3.
15
4.
31
정답: 2번
72. 72. 다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?
정답: 2번
73. 73. 2×104[m/sec]의 속도로 운동하는 전자의 드브로이(deBroglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량은 9.1×10-31[kg])
1.
1.82×10-26[m]
2.
3.64×10-8[m]
3.
1.64×1034[m]
4.
1.21×10-16[m]
정답: 2번
74. 74. 일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
금속의 종류에 따라 값이 다르다.
2.
일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
3.
표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
4.
전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.
정답: 2번
75. 75. 전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
1.
1.602×10-14[m/s2]
2.
1.75×1016[m/s2]
3.
5.93×105[m/s2]
4.
1600[m/s2]
정답: 2번
76. 76. PN 접합 다이오드의 용량(Capacitance)에는 확산용량(Diffusion Capacitance) Cd와 접합용량(Junction Capacitance) Ct가 있다. 다음 중 옳은 것은?
1.
바이어스 전압에 관계없이 Cd = Ct 이다.
2.
순방향 바이어스 때는 Cd ≫ Ct 이다.
3.
역방향 바이어스 때는 Cd ≫ Ct 이다.
4.
순방향 바이어스 때는 Ct ≫ Cd 이다.
정답: 2번
77. 77. 반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔하는 이유는?
1.
캐리어의 이동도를 결정하기 때문
2.
다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
3.
진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
4.
불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
정답: 4번
78. 78. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
1.
역방향에서만 발생
2.
정전압이 높을 때만 발생
3.
바이어스가 영(zero)일 때 발생
4.
아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
정답: 4번
79. 79. 트랜지스터의 고주파 특성으로서 차단주파수 α는 무엇으로 결정되는가?
1.
컬렉터에 걸어주는 전압
2.
베이스 폭에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
3.
베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.
4.
이미터에 걸어주는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
정답: 3번
80. 80. T=0[°K]에서 전자가 가질 수 있는 최대에너지 준위는?
1.
페르미 에너지 준위
2.
도너 준위
3.
억셉터 준위
4.
드리프트 준위
정답: 1번
81. 81. CPU가 직접 입ㆍ출력을 제어하는 방식 중 Interrupt를 이용해서 I/O를 하는 이유로써 가장 타당한 것은?
1.
I/O 프로그램을 하기 쉽도록 하기 위해서
2.
CPU가 입ㆍ출력 개시를 지시한 후 더 이상 간섭하지 않아도 되기 때문에
3.
프린터나 입력기의 구조에 인터럽트를 처리하는 장치가 내장되어 있기 때문에
4.
I/O의 speed를 증가시키기 위하여
정답: 2번
82. 82. 다음 중 플립플롭에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
JK 플립플롭에서 J와 K에 모두 1 이 가해지면 출력은 반전된다.
2.
T 플립플롭은 트리거 입력이 가해질 때마다 출력 상태가 변화된다.
3.
D 랫치는 두 개의 입력 단자를 가지고 있어 동시에 S와 R에 1 입력신호가 나타난다.
4.
RS 플립플롭의 경우 R과 S가 동시에 1 인 경우는 금지되어 있다.
정답: 3번
83. 83. 다음의 회로에서 입력 값이 D = 1, C = 1(positive edge trigger)일 경우 출력 Q의 값은?
2.
1
3.
Toggle
4.
불변
정답: 2번
84. 84. 가상 기억장치(Virtual Memory)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
보조기억장치와 같이 기억용량이 큰 기억장치를 마치 주 기억장치처럼 사용하는 개념이다.
2.
중앙처리장치에 의해 참조되는 보조기억장치의 가상 주소는 주기억장치의 주소로 변환되어야 한다.
3.
메모리 매핑(Mapping)에는 페이지(Page)에 의한 매핑과 세그먼트(Segment)에 의한 매핑으로 구분된다.
4.
실행될 프로그램의 크기가 주기억장치의 용량보다 작을 때 사용한다.
정답: 4번
85. 85. 하나 이상의 프로그램 또는 연속되어 있지 않은 저장 공간으로부터 데이터를 모은 다음, 데이터들을 메시지 버퍼에 집어넣고, 특정 수신기나 프로그래밍 인터페이스에 맞도록 그 데이터를 조직화하거나 미리 정해진 다른 형식으로 변환하는 과정을 일컫는 것은?
1.
streaming
2.
porting
3.
converting
4.
marshalling
정답: 4번
86. 86. 다음 중 매개 변수 전달 기법이 아닌 것은?
1.
Call by Reference
2.
Call by Return
3.
Call by Value
4.
Call by Name
정답: 2번
87. 87. 프로그램이 정상적으로 실행되다가 어떤 명령어에 의해 실행 목적을 바꾸는 명령을 무엇이라 하는가?
1.
시프트(Shift)
2.
피드백(Feed back)
3.
브랜칭(Branching)
4.
인터럽트(Interrupt)
정답: 3번
88. 88. 머신 사이클(maching cycle)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
모든 명령의 첫 번째 머신 사이클은 동작코드를 인출하기 위한 사이클, 즉 패치 사이클이다.
2.
메모리 사이클은 메모리 읽기(read) 사이클과 메모리쓰기(write) 사이클로 구분된다.
3.
입ㆍ출력 사이클에서는 신호를 사용할 수 없다.
4.
CPU는 각 명령의 최종 머신 사이클의 최종 T 사이클에서 신호를 조사한다.
정답: 3번
89. 89. RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명중 잘못된 것은?
1.
RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.
2.
RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행 속도가 느린 단점이 있다.
3.
CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.
4.
CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.
정답: 2번
90. 90. 다음 소프트웨어의 분류를 나타내는 단어들 중 성격이 다른 하나는?
1.
미들웨어
2.
프리웨어
3.
쉐어웨어
4.
라이트웨어
정답: 1번
91. 91. 다음 1비트를 비교하는 진리표이다. ( )에 알맞은 값은?
1.
a : 0, b : 0, c : 0
2.
a : 1, b : 0, c : 0
3.
a : 1, b : 0, c : 1
4.
a : 0, b : 0, c : 1
정답: 2번
92. 92. 어떤 디스크의 탐색시간이 12[ms], 전송률이 100[Mbyte/s], 회전속도가 7200[rpm]일 때 제어기의 지연시간이 1[ms]이다. 섹터의 크기가 512[byte]인 경우 한 섹터를 읽는데 걸리는 평균 액세스 타임은 얼마인가?
1.
약 8.3[ms]
2.
약 12.0[ms]
3.
약 16.6[ms]
4.
약 17.2[ms]
정답: 4번
93. 93. 주소지정이 간단하고 이해하기는 쉽지만 주소부가 길어지고, 메모리의 이용 효율이 떨어지는 주소지정 방식은?
1.
Absolute Address
2.
Relative Address
3.
Page Address
4.
Base Address
정답: 1번
94. 94. C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명 중 잘못된것은?
1.
컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
2.
상수를 정의하는 데에도 사용한다.
3.
프로그램에서 “#” 표시를 사용한다.
4.
유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.
정답: 4번
95. 95. 다음 중 부동 소수점 표현 방식의 설명으로 잘못된 것은?
1.
2의 보수 표현 방법을 많이 사용한다.
2.
매우 큰 수와 작은 수를 표시하기에 편리하다.
3.
부호, 지수부, 가수부 등으로 구성되어 있다.
4.
연산이 복잡하고 시간이 많이 걸린다.
정답: 1번
96. 96. 다음 중 전체 시스템의 안정성을 고려하고 업무처리의 신뢰성을 높여주기 위해, 두 개의 CPU가 같은 업무를 동시에 처리하고 그 결과를 비교하여 상호 보완해 주는 시스템은?
1.
온라인(on-line) 시스템
2.
분산처리(distributed) 시스템
3.
듀얼(dual) 시스템
4.
시분할(time sharing) 시스템
정답: 3번
97. 97. 컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입ㆍ출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?
1.
Polling
2.
Interruput
3.
Paging
4.
Handshaking
정답: 4번
98. 98. 다음 중 최소항(minterm)에 대해 바르게 설명한 것은?
1.
출력값이 0 인 부분
2.
출력값이 그 자체인 부분
3.
출력값이 1 인 부분
4.
출력값이 OR 형태로 결합된 항
정답: 3번
99. 99. CPU가 프로그램을 수행하는 동안 결과를 캐시기억장치에 쓸 경우 주기억장치와 캐시기억장치의 데이터가 서로 일치하지 않는 경우가 발생할 수 있는 방식은?
1.
나중 쓰기(write-back) 방식
2.
즉시 쓰기(write-through) 방식
3.
최소 최근 사용(LRU) 방식
4.
최소 사용 빈도(LFU) 방식
정답: 1번
100. 100. 다음 중 고속 연산의 실현 방법이 아닌 것은?
1.
병렬 처리 방식
2.
선형 처리 방식
3.
파이프라인 방식
4.
특수 프로세서로 실현하는 방식
정답: 2번