전자기사
(2009-05-10 기출문제)
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1. 1. 전류 4π[A]가 흐르고 있는 무한직선도체에 의해 자계가 4[A/m]인 점은 직선도체로부터 거리가 몇 [m] 인가?
1.
0.5[m]
2.
1[m]
3.
3[m]
4.
4[m]
정답: 1번
2. 2. 비유전율 εS = 80, 비투자율 μS = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 [Ω] 인가?
1.
21[Ω]
2.
42[Ω]
3.
80[Ω]
4.
160[Ω]
정답: 2번
3. 3. 도체나 반도체에 전류를 흘리고 이것과 직각방향으로 자계를 가하면 이 두 방향과 직각 방향으로 기전력이 생기는 현상을 무엇이라 하는가?
1.
핀치 효과
2.
볼타 효과
3.
압전 효과
4.
홀 효과
정답: 4번
4. 4. 정전용량이 1[μF]인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 εr = 2 인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 [μF]이 되는가?
1.
2[μF]
2.
1/2[μF]
3.
4/3[μF]
4.
5/3[μF]
정답: 3번
5. 5. 다음 중 강자성체가 아닌 것은?
1.
코발트
2.
니켈
3.
철
4.
구리
정답: 4번
6. 6. 200[V] 30[W]인 백열전구와 200[V] 60[W]인 백열전구를 직렬로 접속하고, 200[V]의 전압을 인가하였을 때 어느 전구가 더 어두운가? (단, 전구의 밝기는 소비전력에 비례한다.)
1.
둘 다 같다.
2.
30[W] 전구가 60[W] 전구보다 더 어둡다.
3.
60[W] 전구가 30[W] 전구보다 더 어둡다.
4.
비교할 수 없다.
정답: 3번
7. 7. 압전기 현상에서 분극이 응력에 수직한 방향으로 발생하는 현상은?
1.
종효과
2.
횡효과
3.
역효과
4.
직접효과
정답: 2번
8. 8. 단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스[H/m]는 어떻게 표현되는가?
1.
μㆍsㆍn
2.
μㆍsㆍn2
3.
μㆍs2ㆍn2
4.
μㆍs2ㆍn
정답: 2번
9. 9. 그림과 같이 무한히 긴 두 개의 직선상 도선이 1[m] 간격으로 나란히 놓여 있을 때 도선 ①에 4[A], 도선 ②에 8[A]가 흐르고 있을 때 두 선간 중앙점 P에 있어서의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가? (단, 지면의 아래쪽에서 위쪽으로 향하는 방향을 정(+)으로 한다.)
1.
4/π
2.
12/π
3.
-4/π
4.
-5/π
정답: 1번
10. 10. 질량 m = 10-10[kg]이고 전하량 q = 10-8[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도 a = 102i+103j [m/sec2]라 하면 전기장의 세기 E는 몇 [V/m] 인가?
1.
E = 104i+105j
2.
E = i+10j
3.
E = 10-2i+10-7j
4.
E = 10-6i+10-5j
정답: 2번
11. 11. 전계의 실효치가 377[V/m]인 평면전자파가 진공을 진행하고 있다. 이 때 이 전자파에 수직되는 방향으로 설치된 단면적 10[m2]의 센서로 전자파의 전력을 측정하려고 한다. 센서가 1[W]의 전력을 측정했을 때 1[mA]의 전류를 외부로 흘려준다면 전자파의 전력을 측정했을 때 외부로 흘려주는 전류는 몇 [mA] 인가?
1.
3.77[mA]
2.
37.7[mA]
3.
377[mA]
4.
3770[mA]
정답: 4번
12. 12. 정전계와 반대방향으로 전하를 2[m] 이동시키는데 240[J]의 에너지가 소모되었다. 이 두점 사이의 전위차가 60[V]이면 전하의 전기량은 몇 [C] 인가?
1.
1[C]
2.
2[C]
3.
4[C]
4.
8[C]
정답: 3번
13. 13. 10[mm]의 지름을 가진 동선에 50[A]의 전류가 흐를 때 단위 시간에 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약몇 개인가?
1.
7.85×1016
2.
20.45×1015
3.
31.25×1019
4.
50×1019
정답: 3번
14. 14. 다음 설명 중 잘못된 것은?
1.
초전도체는 임계온도 이하에서 완전 반자성을 나타낸다.
2.
자화의 세기는 단위 면적당의 자기 모멘트이다.
3.
상자성체에 자극 N극을 접근시키면 S극이 유도된다.
4.
니켈(Ni), 코발트(Co) 등은 강자성체에 속한다.
정답: 2번
15. 15. 코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10[A] 변화할 때 코일 B에 10[V]의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 [H] 인가?
1.
1/0.3
2.
1/3
3.
1/30
4.
1/300
정답: 3번
16. 16. 직교하는 도체평면과 점전하 사이에는 몇 개의 영상전하가 존재하는가?
1.
2
2.
3
3.
4
4.
5
정답: 2번
17. 17. 도전률이 5.8×107[℧/m], 비투자율이 1인 구리에 50[Hz]의 주파수를 갖는 전류가 흐를 때, 표피두께는 약 몇 [mm] 인가?
1.
8.53[mm]
2.
9.35[mm]
3.
11.28[mm]
4.
13.03[mm]
정답: 2번
18. 18. 콘덴서의 내압(耐壓) 및 정전용량이 각각 1000[V]-2 [μF], 700[V]-3[μF], 600[V]-4[μF], 300[V]-8[μF]이다. 이 콘덴서를 직렬로 연결할 때 양단에 인가되는 전압을 상승시키면 제일 먼저 절연이 파괴되는 콘덴서는?
1.
1000[V]-2[μF]
2.
700[V]-3[μF]
3.
600[V]-4[μF]
4.
300[V]-8[μF]
정답: 1번
19. 19. 다음 중 기자력(Magnetomotive Force)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
전기회로의 기전력에 대응한다.
2.
코일에 전류를 흘렸을 때 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같다.
3.
자기회로의 자기저항과 자속의 곱과 동일하다.
4.
SI단위는 암페어[A]이다.
정답: 2번
20. 20. 그림에서 질량 m [kg], 전기량 q [C]인 대전입자가 속도 v [m/sec]로 지면(紙面)에 소직인 균등자장 B[Wb/m2]에 들어올 때 입자는 원운동을 시작한다. 이 원운동의 각속도 ω는 몇 [rad/sec] 인가?
정답: 2번
21. 21. 다음 그림에서 Vab를 구하면 몇 [V] 인가?
1.
2.5[V]
2.
-2.5[V]
3.
5[V]
4.
-5[V]
정답: 3번
22. 22. 다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?
1.
T/2
3.
1/2
4.
정답: 2번
23. 23. 내부저항 r [Ω]인 전원이 있다. 부하 R 에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?
1.
r = 2R
2.
R = r
3.
R = r2
4.
R = r3
정답: 2번
24. 24. ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?
1.
A
2.
B
3.
C
4.
D
정답: 2번
25. 25. 권선비 n : 1인 결합회로에서 구동 임피던스는?
1.
Zin = nZL
2.
Zin = n2ZL
3.
Zin = n2/ZL
4.
Zin = n/ZL
정답: 2번
26. 26. 그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
1.
26
2.
30
3.
50
4.
68
정답: 1번
27. 27. 그림의 π형 4단자망에 있어서의 전송 파라미터 A는?
1.
1+Z3/Z2
2.
Z1+Z2+Z3/Z1Z2
3.
Z3
4.
1+Z3/Z1
정답: 1번
28. 28. 단위계단함수 u(t-a)의 그림으로 옳은 것은?
정답: 2번
29. 29. R-L-C 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr 은 공진 각 주파수이다.)
1.
ωrC/R
2.
ωrL/R
3.
ωr/RL
4.
ωrR/L
정답: 2번
30. 30. 다음 그림에 표시한 여파기는?
1.
고역 여파기
2.
대역 여파기
3.
대역 소거 여파기
4.
저역 여파기
정답: 4번
31. 31. 다음 그림과 같은 정저항 회로가 되려면 ωL의 값[Ω]은?
1.
1.2
2.
1.6
3.
0.8
4.
0.4
정답: 4번
32. 32. 주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?
1.
내부 임피던스가 큰 전원에는 병렬공진 회로를 사용한다.
2.
내부 임피던스가 큰 전원에는 직렬공진 회로를 사용한다.
3.
내부 임피던스에 관계없이 직렬공진 회로를 사용한다.
4.
내부 임피던스에 관계없이 병렬공진 회로를 사용한다.
정답: 1번
33. 33. 다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?
1.
ωL1 = 1/ωC
2.
ωL2 = 1/ωC
3.
ωM = 1/ωC
4.
ωM = ωL2
정답: 3번
34. 34. 그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이고, v1 = 20t이고 v2 = 0 일 때 i1 = 5t 및 i2 = 2t 이다. v1 = 20i+40 이고 v2 = 40t+10 일 때 i1 을 구하면?
1.
i1 = -2t [A]
2.
i1 = t+9 [A]
3.
i1 = -4-1t [A]
4.
i1 = 5t+10 [A]
정답: 2번
35. 35. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때, 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 설명한 것은?
1.
저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
2.
저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
3.
저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
4.
인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.
정답: 1번
36. 36. sinωt로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?
1.
ω/S+ω2
2.
ω/S2+ω2
3.
1/S2+ω2
4.
1/S+ω
정답: 2번
37. 37. RC 직렬회로에서 t = 2RC 일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?
1.
13.5
2.
36.7
3.
63.3
4.
86.5
정답: 1번
38. 38. 다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?
1.
E/S2
2.
E/TS
3.
E/TS2
4.
TE/S
정답: 3번
39. 39. 다음과 같은 회로의 용량성 리액턴스 XC[Ω]는?
1.
1[Ω]
2.
2[Ω]
3.
3[Ω]
4.
4[Ω]
정답: 3번
40. 40. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
1.
전류는 전압보다 뒤진다.
2.
전류는 전압보다 앞선다.
3.
전류와 전압은 동위상이다.
4.
공진이 되어 지속적으로 발진한다.
정답: 1번
41. 41. 다음의 2단 연산증폭기의 종합이득(Vo/Vs)은 몇 [dB]인가?
1.
26[dB]
2.
40[dB]
3.
46[dB]
4.
52[dB]
정답: 3번
42. 42. A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
충실도가 좋다.
2.
효율은 50% 이하이다.
3.
차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.
4.
평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.
정답: 3번
43. 43. 다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)
1.
0.6[A]
2.
0.7[A]
3.
0.8[A]
4.
1.2[A]
정답: 2번
44. 44. 다음과 같은 다이오드 회로에서 정현파 교류입력 Vi가 인가되면 출력은? (단, 교류 입력의 진폭은 Vm＞Vr 임)
1.
Vo ≧ Vr
2.
Vo ≦ Vr
3.
Vo ≧ -Vr
4.
-Vr ≦ Vo ≦ Vr
정답: 1번
45. 45. 다음 중 정현파 발진기가 아닌 것은?
1.
LC 하틀리 발진기
2.
LC 동조형 반결합 발진기
3.
이상형 발진기
4.
블로킹 발진기
정답: 4번
46. 46. 다음 회로에서 R1 = 10[kΩ], R2 = 1[kΩ]일 때 궤환율 β는 약 얼마인가?
1.
0.09
2.
0.2
3.
0.8
4.
0.91
정답: 1번
47. 47. 어떤 증폭기에서 입력전압이 0.25[V]일 때 출력전압이 25[V]이다. 이 증폭기 출력의 9[%]를 입력으로 부궤환시킬 때 출력전압은 약 몇 [V] 인가?
1.
1.5[V]
2.
2.5[V]
3.
3.2[V]
4.
4.2[V]
정답: 2번
48. 48. fτ 가 10[MHz]인 트랜지스터가 중간영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 약 몇 [kHz] 인가?
1.
50[kHz]
2.
193[kHz]
3.
385[kHz]
4.
500[kHz]
정답: 4번
49. 49. 다음과 같은 연산증폭기의 출력전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?
1.
Vo = 0
2.
Vo = AㆍVs
3.
Vo = Vs
4.
Vo = 1
정답: 3번
50. 50. 다음의 증폭기 바이어스 방법 중에서 고조파 성분을 많이 포함하고 있어 주파수 체배기에도 사용되며 효율이 가장 좋은 것은?
1.
A급
2.
AB급
3.
B급
4.
C급
정답: 4번
51. 51. 다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때 근사적인 β값은 얼마인가?
1.
10
2.
25
3.
50
4.
100
정답: 3번
52. 52. 다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V] 인가? (단, βCC는 150 이다.)
1.
2.2[V]
2.
3.6[V]
3.
5.6[V]
4.
6.5[V]
정답: 2번
53. 53. IDSS = 25[mA], VGS(Off) = 15[V]인 p채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS는 5[V]이다.)
1.
320[Ω]
2.
450[Ω]
3.
630[Ω]
4.
870[Ω]
정답: 2번
54. 54. 다음과 같은 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)
1.
구형파형
2.
정현파형
3.
톱니파형
4.
램프파형
정답: 1번
55. 55. 수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?
1.
동조점의 불안정 - Q가 작은 수정공진자 사용
2.
주위온도의 변화 - 항온조 사용
3.
부하의 변동 - 완충 증폭기 사용
4.
전원전압의 변동 - 정전압회로 사용
정답: 1번
56. 56. 다음과 같은 브리지형 발진 회로의 발진 주파수는?
정답: 1번
57. 57. 어떤 연산증폭기의 차동이득이 100000 이고 동상이득이 0.2 일 때 동상신호제거비(CMRR)는 몇 [dB] 인가
1.
104[dB]
2.
114[dB]
3.
126[dB]
4.
136[dB]
정답: 2번
58. 58. 전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?
1.
감소한다.
2.
변화가 없다.
3.
증가한다.
4.
입력신호의 크기에 따라 증가 또는 감소한다.
정답: 3번
59. 59. 5[kHz]의 정현파 신호로 100[MHz]의 반송파를 FM 변조했을 때 최대 주파수편이가 ±65[kHz]이면 점유 주파수 대역폭은 몇 [kHz] 인가?
1.
130[kHz]
2.
140[kHz]
3.
150[kHz]
4.
160[kHz]
정답: 2번
60. 60. 다음 중 고주파 증폭회로에서 중화회로를 사용하는 이유로 가장 적합한 것은?
1.
모터공진 방지
2.
자기발진 방지
3.
증폭도 저하 방지
4.
음 되먹임 방지
정답: 2번
61. 61. 물이 담긴 컵 안에 잉크 방울을 떨어뜨렸을 때 잉크가 주변으로 번져나가는 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 입자들이 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하여 균일하게 분포하려는 성향에 기인하는 것인데 이런 입자의 움직임을 무엇이라 하는가?
1.
드리프트
2.
확산
3.
이동성
4.
이온 결합성
정답: 2번
62. 62. 길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]를 가했을 때 전자의 속도는?
1.
160[m/sec]
2.
180[m/sec]
3.
16[m/sec]
4.
18[m/sec]
정답: 1번
63. 63. 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?
1.
EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스
2.
EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스
3.
EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스
4.
EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스
정답: 3번
64. 64. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
확산계수와는 무관하다.
2.
캐리어의 이동도에만 관계 있다.
3.
캐리어의 수명시간에만 관계 있다.
4.
캐리어의 수명시간과 이동도에 관계 있다.
정답: 4번
65. 65. 다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?
1.
드리프트(Drift) 운동
2.
산란(Scattering)
3.
확산(Diffusion)
4.
격자간격
정답: 1번
66. 66. 다음 중 정전압용으로 사용되는 다이오드는?
1.
리드 다이오드
2.
제너 다이오드
3.
터널 다이오드
4.
온도형 다이오드
정답: 2번
67. 67. 다음 반도체의 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
진성반도체에 불순물 P를 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.
2.
진성반도체에 불순물 Ga를 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.
3.
페리미 준이가 전도대 쪽에 가깝게 위치해 있으면 N형 반도체이다.
4.
페르미 준위가 금지대 중앙에 위치해 있으면 진성반도체이다.
정답: 2번
68. 68. 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?
1.
전도대
2.
금지대
3.
가전자대
4.
전기대
정답: 4번
69. 69. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
1.
광에너지
2.
운동에너지
3.
페르미준위
4.
일함수
정답: 4번
70. 70. 진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는 데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일 함수는 4.52[eV]이다.)
1.
4.52[J]
2.
18.127×10-18[J]
3.
11.602×10-19[J]
4.
7.24×10-19[J]
정답: 4번
71. 71. 입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h 는 프랑크 상수)
1.
λ = P/h
2.
λ2 = P/h
3.
λ = h/P
4.
λ = Pㆍh
정답: 3번
72. 72. 다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?
1.
f(E) = 1+e(E-Et)/kT
2.
f(E) = 1/(1+e(E-Et)/kT)
3.
f(E) = 1-e(E-Et)/kT
4.
f(E) = 1/(1-e(E-Et)/kT)
정답: 2번
73. 73. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?
1.
40
2.
43
3.
46
4.
49
정답: 4번
74. 74. 접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 옳지 않은 것은?
1.
잡음이 적다.
2.
전류 용량이 크다.
3.
주파수 특성이 좋다.
4.
충격에 강하다.
정답: 3번
75. 75. 다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?
1.
Thermistor
2.
SCR
3.
TRIAC
4.
DIAC
정답: 1번
76. 76. 반도체에 관한 내용으로 잘못 짝 지워 놓은 것은?
1.
홀발진기-자기 효과
2.
열전대-지벡 효과
3.
전자냉각-펠티어 효과
4.
광전도 셀-외부 광전 효과
정답: 4번
77. 77. 다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?
1.
역 다이오드
2.
소트키 다이오드
3.
바렉터 다이오드
4.
유니정션 트랜지스터(UJT)
정답: 4번
78. 78. 진성 반도체에 있어서 Fermi 준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band) 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band) 중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)
1.
Ec보다 약간 높다.
2.
Ec보다 약간 낮다.
3.
Ev보다 약간 높다.
4.
Ec와 Ev의 중간 정도이다.
정답: 4번
79. 79. PN 접합 다이오드에 순바이어스를 인가할 때 공핍층 근처의 소수캐리어 밀도는 어떻게 변화하는가?
1.
P영역과 N영역에서 모두 감소한다.
2.
P영역과 N영역에서 모두 증가한다.
3.
P영역에서 증가하고, N영역에서 감소한다.
4.
P영역에서 감소하고, N영역에서 증가한다.
정답: 2번
80. 80. 양자(Quantum) 1개의 질량은 약 얼마인가?
1.
9.99×10-21[kg]
2.
9.109×10-31[kg]
3.
1.602×10-19[kg]
4.
1.67×10-27[kg]
정답: 4번
81. 81. 주소지정방식(Addressing Mode) 중 유효주소를 구하기 위해 현재 명령어의 주소부의 내용과 PC의 내용을 더하여 결정하는 방식은?
1.
Direct Addressing
2.
Indirect Addressing
3.
Relative Addressing
4.
Index Register Addressing
정답: 3번
82. 82. 디스크에 있는 하나의 데이터 블록을 액세스하는데 걸리는 시간을 계산하는 식으로 옳은 것은?
1.
디스크 액세스 시간 = 탐색시간 + 회전지연 시간 + 데이터 전송시간
2.
디스크 액세스 시간 = 탐색시간 + 회전지연 시간 - 데이터 전송시간
3.
디스크 액세스 시간 = (탐색시간 × 회전지연 시간) + 데이터 전송시간
4.
디스크 액세스 시간 = (탐색시간 × 회전지연 시간) - 데이터 전송시간
정답: 1번
83. 83. 16비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?
1.
36
2.
72
3.
86
4.
512
정답: 2번
84. 84. 다음 불 함수를 간단히 하면?
정답: 4번
85. 85. 다음 중 BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구한 것으로 옳은 것은? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)
1.
0100101
2.
1000011
3.
0011001
4.
0110010
정답: 3번
86. 86. CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은?
1.
Fetch 상태
2.
Indirect 상태
3.
Execute 상태
4.
Interrupt 상태
정답: 1번
87. 87. 다음 중 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?
1.
AND
2.
EX-OR
3.
OR
4.
NOR
정답: 2번
88. 88. 주소 설계시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?
1.
주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.
2.
주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.
3.
사용자에게 사용하기 편리해야 한다.
4.
캐시 메모리가 있어야 한다.
정답: 4번
89. 89. 메모리 인터리빙(memory interleaving)의 사용 목적은?
1.
memory의 효율을 높이기 위해서
2.
CPU의 idle time을 없애기 위해서
3.
memory의 access 횟수를 줄이기 위해서
4.
명령들의 memory access 충돌을 막기 위해서
정답: 4번
90. 90. 다음 중 IEEE 754에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
고정소수점 표현에 대한 국제 표준이다.
2.
가수는 부호 비트와 함께 부호화-크기로 표현된다.
3.
0.M×10E의 형태를 취한다.(단, M : 가수, E : 지수)
4.
64비트 복수-정밀도 형식의 경우 지수는 10비트이다.
정답: 2번
91. 91. 마이크로소프트사에서 Driver 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?
1.
ISA
2.
PCI
3.
OSC
4.
WDM
정답: 4번
92. 92. Booth Algorithm을 설명한 것 중 잘못된 것은?
1.
승수 Q의 Q0와 Q-1을 동시에 고려한다.
2.
승수 Q-1의 초기값은 항상 0 이다.
3.
처리과정 중의 비트의 이동은 항상 산술적 우측시프트로 행해진다.
4.
처리과정 속에서는 피승수와 A레지스터 사이에는 덧셈만이 존재한다.
정답: 4번
93. 93. ROM 회로의 구성요소로 옳게 짝지어진 것은?
1.
Decoder, OR gate
2.
Encoder, OR gate
3.
Encoder, AND gate
4.
Decoder, AND gate
정답: 1번
94. 94. C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언 문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
1.
constant
2.
array
3.
union
4.
pointer
정답: 3번
95. 95. 리처드 스톨먼 등에 의해 만들어졌으며, 품질이 매우 좋고 이식성이 좋은 C 컴파일러는?
1.
GCC
2.
JAVAC
3.
YACC
4.
CC
정답: 1번
96. 96. 1024[word]의 RAM은 몇 개의 어드레스 선을 갖는가?
1.
4
2.
8
3.
10
4.
12
정답: 3번
97. 97. 다음 중 연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있다.
2.
기억 레지스터, 명령 레지스터, 명령 해독기, 명령 계수기 등으로 구성되어 있다.
3.
프로그램과 데이터를 보관하고 있다가 필요할 때 꺼내어 사용하는 기능이다.
4.
처리 대상이 되는 데이터와 처리 과정에 있는 데이터 또는 최종 결과를 저장한다.
정답: 1번
98. 98. 간접주소 지정방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
오퍼랜드 필드에 데이터 유효 기억장치 주소가 저장된다.
2.
기억장치의 구조 변경 등을 통해 확장이 가능하다.
3.
단어 길이가 n 비트라면 최대 2n 개의 기억 장소들을 주소 지정할 수 있다.
4.
실행 사이클 동안 두 번의 기억 장치 액세스가 필요하다.
정답: 3번
99. 99. CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?
1.
IR
2.
PC
3.
MBR
4.
AC
정답: 3번
100. 100. 다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(accumulator)에서 이루어지는 형식은?
1.
스택 구조 형식
2.
1번지 명령 형식
3.
2번지 명령 형식
4.
3번지 명령 형식
정답: 2번