전자기사
(2010-03-07 기출문제 - 하나씩 풀이)
총 100문제
답안 완료: 0문제
1. 수직편파는?
정답을 선택하세요
1.
대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파
2.
대지에 대해서 전계가 수평면에 있는 전자파
3.
대지에 대해서 자계가 수직면에 있는 전자파
4.
대지에 대해서 자계가 수평면에 있는 전자파
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
2. 길이가 100[cm]인 자기회로를 구성할 때, 비투자율이 50인 철심을 이용한다면, 자기저항을 2.5×107 [AT/Wb]이하로 하기 위해서는 단면적을 약 몇 [m2 ]이상으로 하여야 하는가?
정답을 선택하세요
1.
3.6×10-4[m2]
2.
6.4×10-4[m2]
3.
7.9×10-4[m2]
4.
9.2×10-4[m2]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
3. 유전율이 각각 다른 두 유전체를 서로 경계를 이루며 접해있다. 다음 중 옳지 않은 것은? (단, 이 경계면에는 진전하분포가 없다고 한다.)
정답을 선택하세요
1.
경계면에서 전계의 접선성분은 연속이다.
2.
경계면에서 전속밀도의 법선성분은 연속이다.
3.
경계면에서 전계와 전속밀도는 굴절한다.
4.
경계면에서 전계와 전속밀도는 불변이다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
4. 도전도 k = 6×1017 [℧/m], 투자율 μ =6/π× 10-7[H/m]인 평면도체 표면에 10[kHz]의 전류가 흐를 때, 침투되는 깊이 δ[m]는?
정답을 선택하세요
1.
1/6×10-7[m]
2.
1/8.5×10-7[m]
3.
36/π×10-10[m]
4.
36/π×10-6[m]
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
5. 내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부 자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?
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1.
강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질
2.
강자성체 중에서 비투자율이 작은 물체
3.
비투자율이 1보다 작은 역자성체
4.
비투자율에 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
6. 자기인덕턴스의 성질을 옳게 표현한 것은?
정답을 선택하세요
1.
항상 정(正)이다.
2.
항상 부(負)이다.
3.
항상 0이다.
4.
유도되는 기전력에 따라 정(正)도 되고 부(負)도 된다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
7. 어떤 자기회로에 3000[AT]의 기자력을 줄 때, 2×10-3 [Wb]의 자속이 통하였다. 이 자기회로의 자화에 필요한 에너지는 몇 [J]인가?
정답을 선택하세요
1.
3×10-3[J]
2.
3.0[J]
3.
1.5×10-3[J]
4.
1.5[J]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
8. 앙페르의 주회 적분의 법칙(Ampere's circuital law)을 설명한 것으로 올바른 것은?
정답을 선택하세요
1.
폐회로 주위를 따라 전계를 선적분한 값은 폐회로내의 총 저항과 같다.
2.
폐회로 주위를 따라 전계를 선적분한 값은 폐회로내의 총 전압과 같다.
3.
폐회로 주위를 따라 자계를 선적분한 값은 폐회로내의 총 전류와 같다.
4.
폐회로 주위를 따라 자계와 전계를 선적분한 값은 폐회로내의 총 저항, 총 전압, 총 전류의 합과 같다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
9. 자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3ax-6ay+2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Ei의 크기는 몇 [V/m] 인가?
정답을 선택하세요
1.
En = 3, Ei = -6
2.
En = 7, Ei = 0
3.
En = 2, Ei = 3
4.
En = -6, Ei = 0
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
10. 평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때, 전속밀도가 4.8×10-7[C/m2 ]이고 단위체적당 에너지가 5.3×10-3[J/m3]이었다. 이 유전체의 유전율은 몇 [F/m] 인가?
정답을 선택하세요
1.
1.15×10-11[F/m]
2.
2.17×10-11[F/m]
3.
3.19×10-11[F/m]
4.
4.21×10-11[F/m]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
11. 무손실 전송 회로의 특성 임피던스[Ω]는?
정답을 선택하세요
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
12. 자기 인덕턴스 0.05[H]의 회로에 흐르는 전류가 매초 530[A]의 비율로 증가할 때 자기 유도 기전력[V]은?
정답을 선택하세요
1.
-13.3[V]
2.
-26.5[V]
3.
-39.8[V]
4.
-53.0[V]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
13. 자유공간에서 전파 E(z, t) =103 sin(ωt - βz)ay [V/m]일 때 자파 H(z, t)[A/m]는?
정답을 선택하세요
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
14. 렌쯔의 법칙을 올바르게 설명한 것은?
정답을 선택하세요
1.
전자유도에 의하여 생기는 전류의 방향은 항상 일정하다.
2.
전자유도에 의하여 생기는 전류의 방향은 자속변화를 방해하는 방향이다.
3.
전자유도에 의하여 생기는 전류의 방향은 자속변화를 도와주는 방향이다.
4.
전자유도에 의하여 생기는 전류의 방향은 자속변화와는 관계가 없다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
15. V=x2 [V]로 주어지는 전위 분포일 때, x=20[cm]인 점의 전계는?
정답을 선택하세요
1.
+x 방향으로 40[V/m]
2.
-x 방향으로 40[V/m]
3.
+x 방향으로 0.4[V/m]
4.
-x 방향으로 0.4[V/m]
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
16. 영구자석에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
한번 자화된 다음에는 자기를 영구적으로 보존하는 자석이다.
2.
보자력이 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.
3.
잔류 자속밀도가 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.
4.
자석재료로 폐회로를 만들면 강한 영구자석이 된다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
17. 유전율이 10인 유전체를 5[V/m]인 전계내에 놓으면 유전체의 표면전하밀도는 몇 [C/m2]인가? (단, 유전체의 표면과 전계는 직각이다.)
정답을 선택하세요
1.
0.5[C/m2]
2.
1.0[C/m2]
3.
50[C/m2]
4.
250[C/m2]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
18. 진공 중에 놓은 Q[C]의 전하에서 발산되는 전기력선의 수는?
정답을 선택하세요
1.
Q
2.
Є0
3.
Q/Є0
4.
Є0/Q
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
19. 대지의 고유저항이 ρ[Ωㆍm]일 때, 반지름 a[m] 인 그림과 같은 반구 접지극의 접지저항[Ω]은?
정답을 선택하세요
1.
ρ/4πa
2.
ρ/2πa
3.
2πρ/a
4.
2πρa
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
20. 비유전율이 εr인 유전체 표면에서 d1만큼 떨어져 있는 점전하 Q에 작용하는 힘의 크기와 유전체 표면에서 d2만큼 떨어져 있는 점전하 2Q에 작용하는 힘의 크기가 같을 때 d2는?
정답을 선택하세요
1.
d2= 0.5d1
2.
d2= d1
3.
d2= 1.5d1
4.
d2= 2d1
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
21. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
정답을 선택하세요
1.
20[kVar]
2.
40[kVar]
3.
60[kVar]
4.
80[kVar]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
22. 단위 계단함수 U(t)와 지수 e-t의 컨볼루션 적분은?
정답을 선택하세요
1.
e-t
2.
1 / e-t
3.
1-e-t
4.
1+e-t
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
23. 그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab=12[Ω]일 때, 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω] 인가?
정답을 선택하세요
1.
3
2.
4
3.
5
4.
6
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
24. RL 직렬 회로에서 그 양단에 직류 전압 E를 연결한 다음 한참 후에 스위치 S를 개방하면 L/R 초 후의 전류는 몇 [A] 인가?
정답을 선택하세요
1.
0.2L/R
2.
0.368L/R
3.
0.5L/R
4.
0.632L/R
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
25. 자기 인덕턴스 L1, L2가 각각 5[H], 2[H]인 두 코일을 같은 방향으로 직렬로 연결하면 합성 인덕턴스는 25[H]이다. 두 코일간의 상호 인덕턴스 M은?
정답을 선택하세요
1.
7[H]
2.
9[H]
3.
18[H]
4.
22[H]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
26. 다음 설명에 해당하는 회로망 정의는?
정답을 선택하세요
1.
노튼(Norton) 정리
2.
테브닌(Thevenin) 정리
3.
중첩(Superposition)의 원리
4.
밀만(Millman)의 정리
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
27. 단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?
정답을 선택하세요
2.
1
3.
u(t)
4.
1-u(t)
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
28. 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 A 값은? (단, A는 개방 역방향 전압 이득임)
정답을 선택하세요
1.
Z1
2.
1
3.
1/Z2
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
29. 그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, 이다.)
정답을 선택하세요
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
30. 페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때, 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?
정답을 선택하세요
1.
12.9+j 48.3
2.
-25+j 43.3
3.
25+j 43.3
4.
2.8+j 2.8
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
31. 다음과 같은 계단함수를 시간 a만큼 천이시켰을 때, 이 신호에 대한 라플라스 변환으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
1/s
2.
1/s-1
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
32. R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC는?
정답을 선택하세요
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
33. 다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11은 얼마인가?
정답을 선택하세요
1.
1/7[℧]
2.
1/5[℧]
3.
4/7[℧]
4.
1/3[℧]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
34. 전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시빌(dB) 인가?
정답을 선택하세요
1.
1.414
2.
1.732
3.
5.677
4.
8.686
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
35. R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2를 나타낸 것으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
θ < θ1 < θ2
2.
θ2 < θ1 < θ
3.
θ2 < θ < θ1
4.
θ1 < θ < θ2
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
36. RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때, 전류값이 초기값의 e-1배가 되는 시간은 몇 [s] 인가?
정답을 선택하세요
1.
1/RC
2.
RC
3.
C/R
4.
R
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
37. 10[V]의 기전력으로 300[C]의 전기량이 이동할 때 몇 [J]의 일을 하게 되는가?
정답을 선택하세요
1.
1000[J]
2.
2000[J]
3.
3000[J]
4.
4000[J]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
38. 다음 그림의 브리지가 평형 상태라면 C1의 값은?
정답을 선택하세요
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
39. 다음 회로가 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?
정답을 선택하세요
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
40. 2단자 임피던스가 일 때, 극점(pole)은?
정답을 선택하세요
1.
-3
3.
-1, -2, -3
4.
-1, -2
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
41. 다음과 같은 FET 소신호 증폭기회로에서 입력전압이 10[mV]일 때, 출력전압으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1.
입력전압과 동위상인 100[mV]
2.
입력전압과 역위상인 100[mV]
3.
입력전압과 동위상인 200[mV]
4.
입력전압과 역위상인 200[mV]
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
42. 다음 차동증폭기 회로의 출력 VO로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
정답을 선택하세요
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
43. IDSS=25[mA], VGS(off)=15[V]인 P 채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS=5[V]이다.)
정답을 선택하세요
1.
100[Ω]
2.
270[Ω]
3.
450[Ω]
4.
510[Ω]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
44. 부궤환시 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
전압 직렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
2.
전류 직렬 궤환시 입력임피던스는 증가한다.
3.
전압 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
4.
전류 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
45. 이미터 접지 증폭기에서 ICO=0.01[mA]이고, IB=0.2[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA] 인가? (단, 이 트랜지스터의 β=50이다.)
정답을 선택하세요
1.
10.5[mA]
2.
12.5[mA]
3.
15.1[mA]
4.
24.3[mA]
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
46. 어떤 2단 증폭기에서 각 증폭기의 하한 임계주파수가 500[Hz]이고 상한 임계주파수가 80[kHz]일 때, 2단 등폭기의 전체 대역폭 B는 약 몇 [kHz] 인가?
정답을 선택하세요
1.
30[kHz]
2.
40[kHz]
3.
50[kHz]
4.
60[kHz]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
47. 다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)
정답을 선택하세요
1.
출력증대
2.
주파수 대역증대
3.
동작점의 안정화
4.
바이어스 전압감소
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
48. 커패시터 입력형 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
정답을 선택하세요
1.
감소한다.
2.
증가한다.
3.
변동이 없다.
4.
주파수가 변화한다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
49. 베이스 접지일 때, 차단주파수가 12[MHz]이다. 이미터 접지일 때 차단주파수는 약 몇 [MHz] 인가?
정답을 선택하세요
1.
0.1[MHz]
2.
0.12[MHz]
3.
0.24[MHz]
4.
1.2[MHz]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
50. 트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?
정답을 선택하세요
1.
베이스 주행시간에 비례한다.
2.
베이스 폭의 자승에 비례한다.
3.
정공의 확산계수에 반비례한다.
4.
베이스 폭의 자승에 반비례하고 정공의 확산 계수에 비례한다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
51. 전력증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
C급 전력증폭기는 주파수체배기로 사용할 수 있다.
2.
A급 전력증폭기의 최대 전력효율은 50[%]이다.
3.
B급 전력증폭기는 A급 전력증폭기보다 전력효율이 높다.
4.
B급 푸시풀 전력증폭기는 2개의 NPN 트랜지스터로 설계할 수 있다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
52. FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 적을 크게 하려면?
정답을 선택하세요
1.
gm을 크게 한다.
2.
μ를 작게 한다.
3.
부하저항을 작게 한다.
4.
분포된 정전용량을 크게 한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
53. 어떤 증폭기의 개방루프 전압이득이 100이고, 왜율이 10[%]이다. 이 증폭기의 왜율을 1[%]로 하기 위한 부궤환율 β의 값은?
정답을 선택하세요
1.
0.01
2.
0.09
3.
0.1
4.
0.9
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
54. 수정 발진회로의 특징으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1.
가격이 저렴하다.
2.
출력이 매우 높다.
3.
주파수의 변경이 용이하다.
4.
발진 주파수의 안정도가 높다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
55. 짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며, 펄스(디지털) 신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
정답을 선택하세요
1.
A급
2.
B급
3.
C급
4.
D급
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
56. 트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.2[μA]에서 151.2[μA]로 증가되었을 때, 컬렉터 전류는 12[mA]에서 12.6[mA]로 변화하였다면 안정도계수 S는?
정답을 선택하세요
1.
2.5
2.
3.2
3.
4
4.
5
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
57. 어떤 연산증폭기의 개루프 전압이득은 100000이고, 동상이득은 0.2일 때 동상신호제거비(CMRR)는?
정답을 선택하세요
1.
57[dB]
2.
60[dB]
3.
114[dB]
4.
120[dB]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
58. 다음 연산증폭기 회로에서 출력임피던스는 약 몇 [Ω] 인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50[Ω]이다.)
정답을 선택하세요
1.
0.1[Ω]
2.
0.5[Ω]
3.
1.0[Ω]
4.
5.0[Ω]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
59. 어떤 증폭회로에서 무궤환시 전압증폭도가 100이다. 이 증폭기에 궤환율 β=-40[dB]인 부궤환을 걸었을 때 전압이득은?
정답을 선택하세요
1.
10
2.
25
3.
50
4.
75
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
60. 듀티 비가 0.1이고, 주기가 20[μs]인 펄스의 폭[μs]은?
정답을 선택하세요
1.
0.2[μs]
2.
2[μs]
3.
100[μs]
4.
200[μs]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
61. 펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
2.
펀치스루 전압은 베이스 영역폭의 제곱에 비례한다.
3.
컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
4.
펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
62. 열전자를 방출하기 위한 재료의 조건으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
융점이 낮아야 한다.
2.
일함수가 작아야 한다.
3.
방출 효율이 좋아야 한다.
4.
진공 중에서 쉽게 증발되지 않아야 한다.
정답: 1번
해설
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63. 진성 반도체에서 온도가 상승하면?
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1.
반도체의 저항이 증가한다.
2.
원자의 에너지가 증가한다.
3.
정공이 전도대에 발생된다.
4.
금지대가 감소한다.
정답: 2번
해설
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64. 다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?
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1.
일함수
2.
페르미(Fermi)의 상수
3.
플랭크(Plank)의 상수
4.
볼쯔만(Boltzmann)의 상수
정답: 3번
해설
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65. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
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1.
충만대(filled band)
2.
금지대(forbidden band)
3.
가전자대(valence band)
4.
전도대(conduction band)
정답: 4번
해설
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66. 분포함수란 어떤 에너지에 대해 입자가 차지하고 있을 확률을 의미하는데 다음 중 이러한 분포함수가 아닌 것은?
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1.
Bose-Einstein 분포함수
2.
Maxwell-Boltzman 분포함수
3.
Fermi-Dirac 분포함수
4.
De-Brogli 분포함수
정답: 4번
해설
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67. 300[°K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?
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1.
0.02
2.
0.1
3.
0.7
4.
0.98
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
68. 터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?
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1.
부성 저항 특성이다.
2.
역바이어스 상태에서는 도체이다.
3.
작은 정바이어스 상태에서 저항은 대단히 크다.
4.
고속 스위칭 회로와 마이크로웨이브 발진기에 응용된다.
정답: 3번
해설
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69. 쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
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1.
전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.
2.
전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.
3.
깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화된다.
4.
깊은 전위장볍의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파는 정재파이다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
70. 진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?
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1.
가전자대 쪽으로 접근한다.
2.
전도대 쪽으로 접근한다.
3.
금지대 중앙으로 접근한다.
4.
온도와는 무관하다.
정답: 4번
해설
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71. 가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한 쌍의 자유 전자와 정공이 생성되는 현상은?
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1.
광도전 현상
2.
내부 광전 효과
3.
열생성
4.
확산
정답: 2번
해설
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72. 열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
고온으로 가열하면 전자가 튀어나오는 현상이다.
2.
열전자 방사량은 금속의 절대온도에 비례한다.
3.
연전자 방사량은 열음극의 일함수와 관계가 있다.
4.
열전자 방출에 의해 schottky 효과가 발생한다.
정답: 2번
해설
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73. 순수 반도체가 절대온다 0[°K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 바르게 설명한 것은?
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1.
소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
2.
금속 전도체와 같은 행동을 한다.
3.
많은 수의 정공을 갖고 있다.
4.
절연체와 같이 행동한다.
정답: 4번
해설
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74. 어떤 반도체의 금지대폭 Eg가 상온 300[°K]에서 500[kT]일 때 이 반도체가 도전 상태가 되기 위한 필요 에너지는 약 얼마인가?
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1.
2[eV]
2.
8[eV]
3.
13[eV]
4.
20[eV]
정답: 3번
해설
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75. PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
다수 캐리어가 서로 다른 쪽에 주입된다.
2.
P형 쪽 전자만이 N형 영역으로 들어간다.
3.
P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.
4.
어떤 전류도 흐르지 않는다.
정답: 1번
해설
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76. 균일한 정자계 B속으로 자계와 직각 방향으로 속도 V로 전자가 들어갔다. 이때 속도 V를 2배로 변경했을 때 전자의 운동은 어떻게 되겠는가?
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1.
원운동의 주기는 2배가 된다.
2.
원운동의 각속도는 4배가 된다.
3.
원운동의 주기는 변하지 않는다.
4.
원운동의 반경은 변하지 않는다.
정답: 3번
해설
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77. 1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])
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1.
6.24×1016
2.
6.24×1018
3.
6.24×1020
4.
6.24×1022
정답: 2번
해설
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78. CCD(Charge-coupled divice)의 동작 원리와 가장 유사한 전자 소자는?
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1.
MOSFET
2.
접합트랜지스터
3.
서미스터
4.
제너다이오드
정답: 1번
해설
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79. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
채널의 폭에 비례한다.
2.
재료의 비유전율에 반비례한다.
3.
채널 부분의 도핑 밀도에 비례한다.
4.
드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
정답: 1번
해설
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80. 다음 중 서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?
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1.
철의 산화물
2.
망간의 산화물
3.
니켈의 산화물
4.
은의 산화물
정답: 4번
해설
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81. 명령어 중 데이터 처리 명령어에 해당하지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
전송 명령어
2.
로테이트 명령어
3.
논리 명령어
4.
산술 명령어
정답: 1번
해설
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82. 64K인 주소공간과 4K인 기억공간을 가진 컴퓨터의 경우, 한 페이지(page)가 512워드로 구성된다면 페이지와 블록 수는?
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1.
페이지 : 16, 블록 : 12
2.
페이지 : 16, 블록 : 16
3.
페이지 : 128, 블록 : 8
4.
페이지 : 128, 블록 : 16
정답: 3번
해설
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83. 어셀블리 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
기계어를 사람이 이해할 수 있도록 만든 저급 수준의 언어이다.
2.
컴퓨터 하드웨어에 대한 첪분한 지식이 없어도 프로그램을 작성하기가 용이하다.
3.
각 컴퓨터는 시스템별로 고유의 어셈블리 언어를 갖는다.
4.
하드웨어와 밀접한 관계를 갖고 있으므로 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.
정답: 2번
해설
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84. 보수기(complementer)를 구성하는데 필요한 gate는?
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1.
AND 및 OR
2.
XOR
3.
OR와 XOR
4.
NOR
정답: 2번
해설
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85. 논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
정답을 선택하세요
1.
OR
2.
AND
3.
XOR
4.
NOT
정답: 2번
해설
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86. ASCII 코드의 존(zone) 비트와 디짓(digit) 비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?
정답을 선택하세요
1.
존 비트 : 4, 디짓 비트 : 3
2.
존 비트 : 3, 디짓 비트 : 4
3.
존 비트 : 4, 디짓 비트 : 4
4.
존 비트 : 3, 디짓 비트 : 3
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
87. 수평 마이크로프로그램의 특징이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.
2.
데이터 해독에 따른 시간지연이 발생하지 않는다.
3.
제어기억장치의 사용용량이 작아진다.
4.
마이크로명령어의 길이가 증가한다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
88. 2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
고정소수점(fixed point) 표현 방식보다 수를 표현할 수 있는 범위가 넓다.
2.
지수(exponent)를 사용하여 소수점의 범위를 넓게 이동시킬 수 있다.
3.
소수점이하의 수를 나타내는 가수(mantissa)의 비트수가 늘어나면 정밀도가 증가한다.
4.
IEEE 754 부동소수점 표준 중 64비트 복수 정밀도 형식은 32비트 지수를 가진다.
정답: 4번
해설
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89. 태스크 스케줄링 방법 중 Round-Robin 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
FIFO 방식으로 선점(preemptive)형 기법이다.
2.
대화식 사용자에게 적당한 응답시간을 보장한다.
3.
처리하여야 할 작업의 시간이 가장 적은 프로세스에게 CPU를 할당하는 기법이다.
4.
시간할당량이 작을 경우 문맥교환에 따른 오버헤드가 커진다.
정답: 3번
해설
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90. 마이크로프로세서 내부에 있는 레지스터에서 일반적으로 사용되는 기억소자는?
정답을 선택하세요
1.
Magnetic Tape
2.
Magnetic Disk
3.
Magnetic Core
4.
Flip-Flop
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
91. 서브루팀 호출시 필요한 자료 구조는?
정답을 선택하세요
1.
스택(stack)
2.
환형 큐(circular queue)
3.
다중 큐(multi queue)
4.
트리(tree)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
92. 전파 지연 시간이 가작 적은 IC는?
정답을 선택하세요
1.
TTL
2.
ECL
3.
CMOS
4.
Schottky TTL
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
93. 컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
스택 메모리의 번지 레지스터로서 스택 포인터가 있으며 LIFO로 동작한다.
2.
메모리에 항목을 저장하는 것을 PUSH라 하고 빼내는 동작을 POP이라고 한다.
3.
PUSH, POP 동작시 SP를 증가시키거나 감소시키는 문제는 스택의 구성에 따라 달라질 수 있다.
4.
PUSH, POP 명령에서 스택과 오퍼랜드 사이의 정보 전달을 위해서는 번지 필드가 필요없다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
94. 디스크 판의 같은 위치에 놓여있는 트랙들의 집합은?
정답을 선택하세요
1.
실린더
2.
하드디스크
3.
섹터
4.
블록
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
95. java 언어에서 지역 변수나 멤버 변수를 변경할 수 없음을 나타내는 상수로 지정하는 제한자(한정자)는?
정답을 선택하세요
1.
public
2.
private
3.
protected
4.
final
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
96. C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
auto
2.
default
3.
enum
4.
jump
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
97. 다음 C 프로그램의 출력은?
정답을 선택하세요
1.
결과: 10 10
2.
결과: 10 20
3.
결과: 20 10
4.
결과: 20 20
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
98. 분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대 주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 -75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?
정답을 선택하세요
1.
24F2H 번지
2.
24F5H 번지
3.
24F8H 번지
4.
256DH 번지
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
99. 어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
정답을 선택하세요
1.
direct addressing mode
2.
indirect addressing mode
3.
absolute addressing mode
4.
relative addressing mode
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
100. 인터럽트(interrupt)의 발생과 처리과정에서 수행되는 내용이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
모든 register의 내용을 clear 한다.
2.
실행 중인 프로그램을 중단하고, return address를 stack에 보관한다.
3.
interrupt vector table을 loading 한다.
4.
interrupt service routine을 실행한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
문제 목록
문제 정보
강의: 전자기사
연도: 2010-03-07
총 문제: 100문제
현재 문제: 1번
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