전자기사
(2011-10-02 기출문제)
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1. 1. 평면도체 표면에서 d[m]의 거리에 점전하 Q[C]이 있을 때, 이 전하를 무한원까지 운반하는데 필요한 일은 몇 [J]인가?
정답: 3번
2. 2. 자기 인덕턴스 L1, L2와 상호 인덕턴스 M일 때, 일반적인 자기 결합 상태에서 결합계수 k는?
1.
k=0
2.
k=1
3.
0＜k＜1
4.
1＜k
정답: 3번
3. 3. 와전류가 이용되고 있는 것은?
1.
수중 음파 탐지기
2.
레이더
3.
자기브레이크(magnetic break)
4.
사이클로트론(cyclotron)
정답: 3번
4. 4. 단면적 S, 길이 ℓ, 투자율 μ인 자성체의 자기회로에 권선을 N회 감아서 I의 전류를 흐르게 할 때 자속은?
정답: 4번
5. 5. 그림과 같은 평행판 콘덴서에 극판의 면적이 S[m2], 진전하밀도를 σ[C/m2], 유전율이 각각 ε1=1, ε2=2인 유전체를 채우고 a, b 양단에 V[V]의 전압을 인가할 때 ε1, ε2인 유전체 내부의 전계의 세기 E1, E2와의 관계식은?
1.
E1=2E2
3.
E1=E2
4.
E1=4E2
정답: 1번
6. 6. 공기 중에 놓여진 반지름 3[cm]의 구(球)도체에 줄 수 있는 최대 전하는 몇 [C]인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 3×106 [V/m]이다.)
1.
1×10-7[C]
2.
2×10-7[C]
3.
3×10-7[C]
4.
4×10-7[C]
정답: 3번
7. 7. N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?
1.
단면적을 2배로 한다.
2.
길이를 1/4로 한다.
3.
전류의 세기를 4배로 한다.
4.
비투자율을 2배로 한다.
정답: 2번
8. 8. 무한장 원주형 도체에 전류가 표면에만 흐른다면 원주 내부의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가?
1.
I/2πr
2.
NI/2πr
3.
I/2r
정답: 4번
9. 9. 전기력선의 기본성질이 아닌 것은?
1.
전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 된다.
2.
전기력선은 전위가 높은 점에서 낮은 점으로 향한다.
3.
전기력선은 정전하에서 시작하여 부전하에서 끝난다.
4.
전기력선은 도체표면과 외부공간에 존재한다.
정답: 1번
10. 10. 중심이 원점에 있고 z=0인 평면에서 반경 r[m]인 원판에 ρs[C/m2]의 면전하밀도가 진공내에 있을 때 원판의 중심축상 z=h 점에서의 전계 E[V/m]는?
정답: 1번
11. 11. 는?
1.
발산의 정리
2.
가우스의 법칙
3.
스토크스의 정리
4.
암페어의 법칙
정답: 1번
12. 12. 반경이 a=10[cm]인 구의 표면전하 밀도를 σ=10-10[C/m2 ]이 되도록 하는 구의 전위는?
1.
21.3[V]
2.
11.3[V]
3.
2.13[V]
4.
1.13[V]
정답: 4번
13. 13. 자극의 세기 8×10-6 [Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm]인가?
1.
1.44×10-4[Nㆍm]
2.
1.44×10-5[Nㆍm]
3.
3.02×10-4[Nㆍm]
4.
3.02×10-5[Nㆍm]
정답: 2번
14. 14. 정전용량 C 인 평행판 콘덴서를 전압 V로 충전하고 전원을 제거한 후 전극 간격을 1/2로 접근시키면 전압은?
3.
V
4.
2V
정답: 2번
15. 15. 그림과 같은 유전속 분포가 이루어질 때 ε1과 ε2의 관계는 어떻게 성립하는가?
1.
ε1 > ε2
2.
ε1 < ε2
3.
ε1 = ε2
4.
ε1 < 0, ε2 > 0
정답: 1번
16. 16. 서로 다른 두 유전체 사이의 경계면에 전하분포가 없다면 경계면 양쪽에서의 전계 및 자속밀도는?
1.
전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
2.
전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
3.
전계 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
4.
전계 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
정답: 1번
17. 17. 그림과 같이 구리로 된 동축케이블의 반지름 a=1.048[mm], c=3.65[mm]이며, 전류 I가 흐른다고 할 때 반지름 a에서의 자계의 세기 Ha와 반지름 b에서의 자계의 세기 Hb와의 비 즉, 이면 반지름 b는 약 몇 [mm]인가?
1.
2.95[mm]
2.
3.14[mm]
3.
3.49[mm]
4.
3.62[mm]
정답: 3번
18. 18. 다음 중 그 양이 증가함에 따라 무한장 솔레노이드의 자기인덕턴스 값이 증가하지 않는 것은 무엇인가?
1.
철심의 투자율
2.
철심의 길이
3.
철심의 반경
4.
코일의 권수
정답: 2번
19. 19. 비투자율 1000인 철심이 든 환상솔레노이드의 권수가 600회, 평균지름 20[cm], 철심의 단면적 10[cm2]이다. 이 솔레노이드에 2A의 전류가 흐를 때 철심내의 자속은 약 몇 [Wb]인가?
1.
1.2×10-3[Wb]
2.
1.2×10-4[Wb]
3.
2.4×10-3[Wb]
4.
2.4×10-4[Wb]
정답: 3번
20. 20. 전자계에 대한 맥스웰의 기본 이론이 아닌 것은?
1.
전하에서 전속선이 발산된다.
2.
고립 단자극은 존재하지 않는다.
3.
변위전류는 자계를 발생하지 않는다.
4.
자계의 시간적 변화에 따라 전계의 회전이 생긴다.
정답: 3번
21. 21. 콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 Vc(t)는?
2.
Vc(t)=C
4.
Vc(t)=Cu(t)
정답: 3번
22. 22. 교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?
1.
L = R2 / (R1C)
2.
L = CR1R2
3.
L = C / (R1R2)
4.
L = (R1R2) / C
정답: 2번
23. 23. 인 감쇠지수 함수의 진폭 스펙트럼은?
정답: 2번
24. 24. 일반적으로 f(t) = -f(-t)의 조건을 만족하는 경우 f(t)를 무슨 함수라 하는가?
1.
기함수
2.
우함수
3.
삼각함수
4.
초월함수
정답: 1번
25. 25. 다음 그림과 같은 삼각파의 파고율은?
1.
1.12
2.
1.73
3.
1
4.
1.41
정답: 2번
26. 26. 다음을 역 Laplace로 변환하면?
1.
cos 3t
2.
sin 3t
3.
sin 9t +cos 9t
4.
sin 3t +cos 3t
정답: 4번
27. 27. 100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 20[W]이었다면 이 형광등의 역률은?
1.
0.4
2.
0.5
3.
0.6
4.
0.8
정답: 1번
28. 28. 두 개의 코일 L1과 L2를 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100[mH]이고, 반대방향으로 접속하였더니 합성인덕턴스가 40[mH]이었다. 이 때, L1=60[mH]이면 결합계수 K는 약 얼마인가?
1.
0.4
2.
0.6
3.
0.8
4.
1.0
정답: 2번
29. 29. 저항 R과 리액턴스 X를 직렬로 연결할 때의 역률은?
정답: 2번
30. 30. 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?
정답: 3번
31. 31. 100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류 전압을 가할 때의 무효전력은 몇 [VAR]인가?
1.
-40π
2.
-60π
3.
-120π
4.
-240π
정답: 3번
32. 32. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?
1.
원점을 지나는 원
2.
원점을 지나는 직선
3.
원점을 지나지 않는 원
4.
원점을 지나지 않는 직선
정답: 3번
33. 33. 그림과 같은 4단자 회로망에서 하이브리드 파라미터 h11은?
정답: 1번
34. 34. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
정답: 4번
35. 35. e-atcosωt의 라플라스(Laplace) 변환은?
정답: 2번
36. 36. 다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A]인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])
1.
8.95
2.
7.24
3.
4.63
4.
3.52
정답: 1번
37. 37. RC 직렬회로에서 t= 2RC일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?
1.
13.5
2.
36.7
3.
63.3
4.
86.5
정답: 1번
38. 38. 다음과 같은 회로에서 저항 RL 양단자(RL을 개방)에서 본 테브난 등가저항[Ω]은?
1.
2[Ω]
2.
4[Ω]
3.
6[Ω]
4.
8[Ω]
정답: 2번
39. 39. 단위계단함수의 라플라스 변환은?
1.
1
2.
S
3.
1/S
4.
1/S-1
정답: 3번
40. 40. 다음 회로가 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?
정답: 1번
41. 41. 다음과 같은 FET 소신호 증폭기 회로에서 입력전압이 10[mV]일 때 출력전압으로 가장 적합한 것은?
1.
입력전압과 동위상인 100[mV]
2.
입력전압과 역위상인 100[mV]
3.
입력전압과 동위상인 200[mV]
4.
입력전압과 역위상인 200[mV]
정답: 4번
42. 42. 공간 전하 용량을 변화시켜 콘덴서 역할을 하도록 설계된 다이오드는?
1.
제너 다이오드
2.
터널 다이오드
3.
바렉터 다이오드
4.
Gunn 다이오드
정답: 3번
43. 43. 트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
1.
컬렉터 용량에만 비례한다.
2.
컬렉터 인가 전압에 비례한다.
3.
베이스 폭과 컬렉터 용량에 각각 반비례한다.
4.
베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.
정답: 4번
44. 44. 전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부궤환을 걸때 전압증폭도 Af= 800이 되었다. 이 때 궤환율 β는 몇 [%]인가?
1.
0.105[%]
2.
0.205[%]
3.
0.305[%]
4.
0.405[%]
정답: 1번
45. 45. 불 방정식 를 간단하게 하면 어떻게 되는가?
정답: 2번
46. 46. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
1.
Early 효과
2.
Miller 효과
3.
Pinchoff 현상
4.
Breakdown 현상
정답: 1번
47. 47. 다음 중 부궤환에 의한 출력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
전압 직렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
2.
전압 병렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
3.
전류 직렬 궤환시 출력임피던스는 증가한다.
4.
전류 병렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
정답: 4번
48. 48. FET와 BJT의 전기적 특성을 비교했을 때 적합하지 않은 것은?
1.
FET는 BJT보다 잡음이 적다.
2.
FET는 BJT보다 입력저항이 작다.
3.
FET는 BJT보다 이득대역폭적이 작다.
4.
FET는 BJT보다 온도변화에 따른 안정성이 높다.
정답: 2번
49. 49. Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
이득 감소
2.
sensitivity 감소
3.
대역폭 감소
4.
잡음 감소
정답: 3번
50. 50. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
1.
VO = 0일 때 (IB1+IB2) / 2
2.
VO = ∞일 때 (IB1+IB2) / 2
3.
VO = 0일 때 (IB1+IB2)
4.
VO = ∞일 때 (IB1+IB2)
정답: 1번
51. 51. 다음 회로의 동작에 대한 설명으로 가장 적합한 것은? (단, 입력신호는 진폭이 Vm인 정현파이고, 다이오드는 이상적인 것이며, RC 시정수는 신호파의 주기에 비해 매우 크다.)
1.
출력은 Vi이다.
2.
출력은 2Vi이다.
3.
출력전압은 VR - Vm인 정현파이다.
4.
부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프한다.
정답: 3번
52. 52. 연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
주파수 대역폭이 좁다.
2.
입력 임피던스가 낮다.
3.
동상신호제거비가 크다.
4.
온도변화에 따른 드리프트가 크다.
정답: 3번
53. 53. 펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?
1.
1×10-4
2.
3×10-4
3.
6×10-4
4.
9×10-4
정답: 4번
54. 54. 듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1이고 주기가 30[μs]인 펄스의 폭은 몇 [μs]인가?
1.
0.3
2.
1
3.
3
4.
10
정답: 3번
55. 55. 다음 중 C급 전력 증폭기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
1.
유통각은 180도 미만이다.
2.
광대역 증폭기로 적합하다.
3.
최대 효율은 78.5[%] 이상이다.
4.
RF 전력증폭기, 주파수 체배기 등에 주로 사용된다.
정답: 2번
56. 56. 궤환 발진기의 발진 조건을 나타내는 식은? (단, A는 증폭도, β는 궤환율이다.)
1.
βA = 1
2.
βA = 0
3.
βA = ∞
4.
βA = 100
정답: 1번
57. 57. 트랜지스터의 직류 증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
1.
hfe의 온도변화
2.
hre의 온도변화
3.
VBE의 온도변화
4.
ICO의 온도변화
정답: 2번
58. 58. 전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?
1.
감소한다.
2.
변화가 없다.
3.
증가한다.
4.
입력신호의 크기에 따라 증가 또는 감소한다.
정답: 3번
59. 59. 다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf양단에 걸리는 전압 Vf = (25 If2 +50 If+3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 VO는?
1.
-3[V]
2.
-3.2[V]
3.
-4.1[V]
4.
-5.8[V]
정답: 2번
60. 60. 전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?
1.
X-OR 2개, AND 2개, OR 1개
2.
X-OR 2개, AND 1개, OR 2개
3.
X-OR 1개, AND 2개, OR 2개
4.
X-OR 2개, AND 2개, OR 2개
정답: 1번
61. 61. 길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
1.
160[m/sec]
2.
180[m/sec]
3.
16[m/sec]
4.
18[m/sec]
정답: 1번
62. 62. 절대온도 0[K]에서 금속 내 자유전자 평균 온동 에너지는? (단, EF는 페르미 준위이다.)
2.
EF
정답: 4번
63. 63. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)
정답: 2번
64. 64. 컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?
1.
Early 효과
2.
Tunnel 효과
3.
punch-through
4.
Miller 효과
정답: 1번
65. 65. 절대온도 0[K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?
1.
E=Ef
3.
E＞Ef
4.
E＜Ef
정답: 1번
66. 66. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?
1.
2.97×107[m/s]
2.
9.07×107[m/s]
3.
2.97×106[m/s]
4.
9.07×106[m/s]
정답: 1번
67. 67. Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1.
Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에
2.
Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에
3.
Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에
4.
Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에
정답: 1번
68. 68. 금속의 2차 전자 방출비에 대하여 가장 옳게 설명한 것은?
1.
항상 일정하다.
2.
방출비 값은 항상 1보다 작다.
3.
금속의 종류에 따라서 달라진다.
4.
2차 전자는 반사되는 전자를 의미한다.
정답: 3번
69. 69. MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
입력 임피던스가 크다.
2.
저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
3.
제작이 간편하고, IC화 하기에 적합하다.
4.
사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.
정답: 4번
70. 70. 전자와 정공의 이동도가 각각 0.32[m2/Vㆍs], 0.18[m2/Vㆍs]이고 저항률이 0.5[Ωㆍm]인 진성반도체의 캐리어 밀도는? (단, 전자의 전하량은 -1.6×10-19 [C]이다.)
1.
1.2×1018 [개/m3]
2.
1.8×1018 [개/m3]
3.
2.5×1019 [개/m3]
4.
3.6×1019 [개/m3]
정답: 3번
71. 71. 다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)
1.
n = p
2.
n > p
3.
n < p
4.
np = 0
정답: 2번
72. 72. 피에조 저항(piezo resistance)은?
1.
압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2.
자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3.
온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4.
광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
정답: 1번
73. 73. 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?
1.
TRIAC(트라이액)
2.
FET(Field Effect Transistor)
3.
SCR(Silicon Controlled Rectifier)
4.
UJT(Unijunction Junction Transistor)
정답: 2번
74. 74. 캐리어의 확산 거리는 무엇에 의존하는가?
1.
반도체의 모양
2.
캐리어의 이동도에만 의존
3.
캐리어의 수명시간에만 의존
4.
캐리어의 이동도와 수명시간에 의존
정답: 4번
75. 75. 실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
1.
인듐(In)
2.
갈륨(Ga)
3.
인(P)
4.
알루미늄(Al)
정답: 3번
76. 76. 다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?
1.
광전 효과(photo electric effect)
2.
콤프턴 효과(compton effect)
3.
에디슨 효과(Edison effect)
4.
홀 효과(Hole effect)
정답: 2번
77. 77. 기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?
1.
전리 현상
2.
절연 파괴
3.
광전 효과
4.
절연
정답: 2번
78. 78. 에너지 준위도에서 0 준위는?
1.
페르미 준위
2.
이탈 준위
3.
금속내 준위
4.
금속외 준위
정답: 2번
79. 79. 열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0이라면, 그 의미는?
1.
전위장벽이 없어졌다.
2.
접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
3.
접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
4.
접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.
정답: 4번
80. 80. 다음 중 반도체 레이저의 일반적인 특징에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
소형화가 가능하다.
2.
가스 레이저에 비해 증폭, 발진, 변조가 쉽다.
3.
고체, 기체 및 액체 레이저에 비해 효율이 낮다.
4.
루비 및 기체 레이저에 비해 낮은 전력으로 동작한다.
정답: 3번
81. 81. 기억장치에 대한 설명 중 틀린 것은?
1.
주기억장치는 CPU와 직접 자료교환이 가능하다.
2.
보조기억장치는 CPU와 직접 자료교환이 불가능하다.
3.
주기억장치 소자는 대부분 외부와 직접 자료교환을 할 수 있는 단자가 있다.
4.
기억장치에서 사용하는 정보의 단위는 와트(watt)이다.
정답: 4번
82. 82. 마이크로프로세서의 명령어 형식이 OP-code 5비트, Operand 11비트로 이루어져 있다면, 명령어의 최대 개수와 사용할 수 있는 최대 메모리 크기는?
1.
32개, 1024워드
2.
32개, 2048워드
3.
64개, 1024워드
4.
64개, 2048워드
정답: 2번
83. 83. 어셈블러 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?
1.
기계어를 사람이 이해할 수 있도록 만든 저급 수준의 언어이다.
2.
컴퓨터 하드웨어에 대한 충분한 지식이 없어도 프로그램을 작성하기가 용이하다.
3.
각 컴퓨터는 시스템별로 고유의 어셈블리 언어를 갖는다.
4.
하드웨어와 밀접한 관계를 갖고 있으므로 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.
정답: 2번
84. 84. 부동소수점 표현의 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 포함되지 않는 것은?
1.
0(zero)인지 여부를 조사한다.
2.
가수의 위치를 조정한다.
3.
가수를 곱한다.
4.
결과를 정규화한다.
정답: 2번
85. 85. C 언어에서 for문이 무한반복을 실행하는 도중에 빠져 나오기 위한 명령어는?
1.
break
2.
while
3.
if
4.
default
정답: 1번
86. 86. 다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)
1.
Addition
2.
Subtraction
3.
Multiplication
4.
Division
정답: 2번
87. 87. 주소 명령 형식 중 3-주소 명령의 장점은?
1.
비트가 많이 필요하다.
2.
연산 후 입력 자료가 변한다.
3.
레지스터의 수가 적게 필요하다.
4.
프로그램의 길이를 짧게 할 수 있다.
정답: 4번
88. 88. 다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?
1.
제어 버스
2.
주소 버스
3.
데이터 버스
4.
I/O 버스
정답: 4번
89. 89. 일반적으로 컴퓨터가 가지는 CPU의 구조로 틀린 것은?
1.
단일 누산기 구조(single accumulator organization)
2.
범용 레지스터 구조(general register organization)
3.
특수 레지스터 구조(special register organization)
4.
스택 구조(stack organization)
정답: 3번
90. 90. 프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?
1.
FORTRAN
2.
ALGOL
3.
어셈블리어
4.
C++
정답: 4번
91. 91. 전자계산기에서 실행되는 계산 수행 장치는?
1.
입력장치
2.
연산장치
3.
기억장치
4.
제어장치
정답: 2번
92. 92. 65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가요구되는가?
1.
6
2.
7
3.
8
4.
9
정답: 2번
93. 93. 10진수 255.875를 16진수로 변환하면?
1.
FE.D
2.
FF.E
3.
9F.8
4.
FF.5
정답: 2번
94. 94. 컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레그사 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
1.
LOCK
2.
STOP
3.
IDSEL
4.
TRDY
정답: 3번
95. 95. 스택(LIFO : Last In First Out)의 용도에 적당하지 않은 것은?
1.
수식의 계산
2.
서브루틴의 복귀주소 저장
3.
인터럽트 처리
4.
우선순위 결정
정답: 4번
96. 96. 다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
1.
3-주소지정 방식
2.
2-주소지정 방식
3.
1-주소지정 방식
4.
0-주소지정 방식
정답: 3번
97. 97. 주기억장치와 I/O장치 사이와의 시간적, 공간적 특성 차이를 나타낸 것이 아닌 것은?
1.
동작속도
2.
정보의 처리 단위
3.
동작의 자율성
4.
버스구성
정답: 4번
98. 98. 부동소수점 표현 방식의 설명으로 잘못된 것은?
1.
2의 보수 표현 방법을 많이 사용한다.
2.
매우 큰 수와 작은 수를 표시하기에 편리하다.
3.
부호, 지수부, 가수부 등으로 구성되어 있다.
4.
연산이 복잡하고 시간이 많이 걸린다.
정답: 1번
99. 99. LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?
1.
플라즈마(Plasma)
2.
CRT(Cathode Ray Tube)
3.
TFT(Thin Film Transistor)
4.
터치스크린(Touch Screen)
정답: 3번
100. 100. 아래의 C 프로그램을 수행하였을 때, C의 값으로 적절한 것은?
1.
3
2.
12
3.
15
4.
-9
정답: 2번