전자기사
(2012-03-04 기출문제)
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1. 1. 최대 전계 Em=6[V/m]인 평면전자파가 수중을 전파할 때 자계의 최대치는 약 몇 [AT/m]인가? (단, 물의 비유전율 εs=80, 비투자율 μs=1이다.)
1.
0.071[AT/m]
2.
0.142[AT/m]
3.
0.284[AT/m]
4.
0.426[AT/m]
정답: 2번
2. 2. 자유공간에서 점 P(5, -2, 4)가 도체면상에 있으며, 이 점에서의 전계 E=6ax - 2ay +3az[V/m]이다. 점 P에서의 면전하밀도 ρs[C/m2 ]은?
1.
-2εo[C/m2]
2.
3εo[C/m2]
3.
6εo[C/m2]
4.
7εo[C/m2]
정답: 4번
3. 3. 내압 1000[V] 정전용량 1[μF], 내압 750[V] 정전용량 2[μF], 내압 500[V] 정전용량 5[μF]인 콘덴서 3개를 직렬로 접속하고 인가 전압을 서서히 높이면 최초로 파괴되는 콘덴서는?
1.
1[μF]
2.
2[μF]
3.
5[μF]
4.
동시에 파괴된다.
정답: 1번
4. 4. 공극(air gap)이 있는 환상 솔레노이드에 권수는 1000회, 철심의 길이 I은 10[cm], 공극의 길이 ℓg 는 2[mm], 단면적은 3[cm2], 철심의 비투자율은 800, 전류는 10[A]라 했을 때, 이 솔레노이드의 자속은 약 몇 [Wb]인가? (단, 누설자속은 없다고 한다.)
1.
3×10-2[Wb]
2.
1.89×10-3[Wb]
3.
1.77×10-3[Wb]
4.
2.89×10-3[Wb]
정답: 3번
5. 5. 등자위면의 설명으로 잘못된 것은?
1.
등자위면은 자력선과 직교한다.
2.
자계 중에서 같은 자위의 점으로 이루어진 면이다.
3.
자계 중에 있는 물체의 표면은 항상 등자위면이다.
4.
서로 다른 등자위면은 교차하지 않는다.
정답: 3번
6. 6. 반지름 [m]의 원형판 전기 2중층의 중심축상 x[m]의 거리에 있는 점 P(+전하측)의 전위는?
정답: 2번
7. 7. 변위전류에 의하여 전자파가 발생되었을 때, 전자파의 위상은?
1.
변위전류보다 90° 늦다.
2.
변위전류보다 90° 빠르다.
3.
변위전류보다 30° 빠르다.
4.
변위전류보다 30° 늦다.
정답: 1번
8. 8. 미분방정식의 형태로 나타낸 맥스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?
정답: 2번
9. 9. 그림과 같이 반지름 a[m]인 원형단면을 가지고 중심간격이 d[m]인 평행왕복도선의 단위길이당 자기인덕턴스[H/m]는? (단, 도체는 공기 중에 있고 d >> a로 한다.)
정답: 3번
10. 10. 동일한 금속 도선의 두 점간에 온도차를 주고 고온쪽에서 저온쪽으로 전류를 흘리면, 줄열 이외에 도선속에서 열이 발생하거나 흡수가 일어나는 현상을 지칭하는 것은?
1.
지벡효과
2.
톰슨효과
3.
펠티에효과
4.
볼타효과
정답: 2번
11. 11. 매질이 완전 유전체인 경우의 전자 파동 방정식을 표시하는 것은?
정답: 2번
12. 12. 환상 철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 N회의 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100[mH]이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20[mH], 결합계수가 1일 때, B코일의 권수 N은?
1.
100회
2.
200회
3.
300회
4.
400회
정답: 2번
13. 13. 비유전율 εr=6, 비투자율 μr=1, 도전율 σ=0인 유전체 내에서의 전자파의 전파속도는 약 [m/s]인가?
1.
1.22×108[m/s]
2.
1.22×107[m/s]
3.
1.22×106[m/s]
4.
1.22×105[m/s]
정답: 1번
14. 14. 표면 부근에 집중해서 전류가 흐르는 현상을 표피효과라 하는데 표피효과에 대한 설명으로 잘못된 것은?
1.
도체에 교류가 흐르면 표면에서부터 중심으로 들어갈수록 전류밀도가 작아진다.
2.
표피효과는 고주파일수록 심하다.
3.
표피효과는 도체의 전도도가 클수록 심하다.
4.
표피효과는 도체의 투자율이 작을수록 심하다.
정답: 4번
15. 15. 자유공간 중에서 x=-2, y=4[m]를 통과하고 z축과 평행인 무한장 직선도체에 +z축 방향으로 직류전류 I[A]가 흐를 때 점(2, 4, 0)[m]에서의 자계 H[A/m]는?
정답: 4번
16. 16. 비유전률 εs =2.2, 고유저항 ρ=1011[Ω∙m]인 유전체를 넣은 콘덴서의 용량이 200[μF]이었다. 여기에 500[kV] 전압을 가하였을 때, 누설전류는 약 몇 [A]인가?
1.
4.2[A]
2.
5.1[A]
3.
51.3[A]
4.
61.0[A]
정답: 3번
17. 17. 평등자계와 직각방향으로 일정한 속도로 발사된 전자의 원운동에 관한 설명 중 옳은 것은?
1.
플레밍의 오른손법칙에 의한 로렌쯔의 힘과 원심력의 평형 원운동이다.
2.
원의 반지름은 전자의 발사속도와 전계의 세기의 곱에 반비례한다.
3.
전자의 원운동 주기는 전자의 발사 속도와 관계되지 않는다.
4.
전자의 원운동 주파수는 전자의 질량에 비례한다.
정답: 3번
18. 18. 그림과 같은 회로에서 스위치를 최초 A에 연결하여 일정전류 I0[A]를 흘린 다음, 스위치를 급히 B로 전환할 때 저항 R[Ω]에는 1[s]간에 얼마만한 열량[cal]이 발생하는가?
정답: 1번
19. 19. 30[V/m]의 전계내의 80[V] 되는 점에서 1[C]의 전하를 전계 방향으로 80[cm] 이동한 경우, 그 점의 전위[V]는?
1.
9[V]
2.
24[V]
3.
30[V]
4.
56[V]
정답: 4번
20. 20. 강자성체의 세 가지 특성에 포함되지 않는 것은?
1.
와전류 특성
2.
히스테리시스 특성
3.
고투자율 특성
4.
포화 특성
정답: 1번
21. 21. 저항 3[Ω], 유도 리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[Hz]의 정현파 전압 180[V]를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?
1.
26[A]
2.
36[A]
3.
45[A]
4.
60[A]
정답: 2번
22. 22. 다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?
1.
3, 0
2.
-3, 0
3.
1, -3
4.
-1, -3
정답: 2번
23. 23. 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 A 값은? (단, A는 개방 역방향 전압 이득임)
1.
Z1
2.
1
3.
1/Z2
정답: 4번
24. 24. 그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab=12[kΩ]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?
1.
3
2.
4
3.
5
4.
6
정답: 1번
25. 25. 라플라스 변환식 의 역 변환은?
정답: 1번
26. 26. 다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?
정답: 3번
27. 27. 페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때, 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?
1.
12.9+j 48.3
2.
-12+j 43.3
3.
25+j 43.3
4.
2.8+j 2.8
정답: 1번
28. 28. 다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?
정답: 3번
29. 29. 일 때, e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
1.
√2900
2.
√3400
3.
√3900
4.
√4400
정답: 3번
30. 30. 무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, C, G 는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)
정답: 2번
31. 31. 1[neper]는 약 몇 [dB]인가?
1.
3.146
2.
8.686
3.
7.076
4.
6.326
정답: 2번
32. 32. RLC 직렬회로에 t=0인 순간, 직류전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?
정답: 2번
33. 33. 공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
1.
전압과 전류가 동상이 될 때이다.
2.
역률이 1이 되는 상태이다.
3.
공진이 되었을 때 최대전력이 전달된다.
4.
직렬공진회로에서는 전압이 최대가 된다.
정답: 4번
34. 34. 다음 회로망의 합성 저항은?
1.
6[Ω]
2.
12[Ω]
3.
30[Ω]
4.
50[Ω]
정답: 2번
35. 35. RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-1배가 되는 시간은 몇 [s]인가?
1.
1/RC
2.
RC
3.
C/R
4.
R
정답: 2번
36. 36. 다음 그림과 같은 구형파의 라플라스 변환은?
정답: 4번
37. 37. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
정답: 3번
38. 38. 원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
1.
원점을 지나는 직선이 된다.
2.
원점을 지나는 원이 된다.
3.
원점을 지나지 않는 직선이 된다.
4.
원점을 지나지 않는 원이 된다.
정답: 2번
39. 39. 다음 회로에서 2[Ω] 저항에 흐르는 전류 I는?
1.
3[A]
2.
4[A]
3.
5[A]
4.
7[A]
정답: 1번
40. 40. 그림에 표시한 여파기는 다음 중 어디에 속하는가?
1.
고역통과 여파기
2.
대역통과 여파기
3.
대역소거 여파기
4.
저역통과 여파기
정답: 1번
41. 41. 다음 중 불 공식으로 옳지 않은 것은?
1.
X+XZ=(X+Y)(X+Z)
2.
X((X+Y)=X
정답: 4번
42. 42. 어떤 2단 증폭기에서 각 증폭기의 하한 임계 주파수가 500[Hz]이고 상한 임계 주파수가 80[kHz]일 때 2단 증폭기의 전체 대역폭 B는 약 몇 [kHz]인가?
1.
30[kHz]
2.
40[kHz]
3.
50[kHz]
4.
60[kHz]
정답: 3번
43. 43. 병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
1.
전압
2.
전류
3.
전력
4.
임피던스
정답: 2번
44. 44. 부궤환시 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
전압 직렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
2.
전류 직렬 궤환시 입력임피던스는 증가한다.
3.
전압 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
4.
전류 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.
정답: 1번
45. 45. 두 개의 입력이 일치하면 출력이 High가 되는 회로는?
1.
AND
2.
NAND
3.
EX-OR
4.
EX-NOR
정답: 4번
46. 46. 전압이득이 60[dB], 왜율 10[%]인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1[%]로 개선하기 위해서는 부궤환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
1.
0.9
2.
0.22
3.
0.12
4.
0.099
정답: 4번
47. 47. 맥동 전압주파수가 전원주파수의 3배가 되는 정류방식은?
1.
단상 전파정류
2.
단상 브리지정류
3.
3상 반파정류
4.
3상 전파정류
정답: 3번
48. 48. 그림과 같은 AM변조 회로는 어떠한 변조 방법인가?
1.
이미터 변조
2.
베이스 변조
3.
컬렉터 변조
4.
이미터-베이스 변조
정답: 1번
49. 49. 증폭기의 입력전압이 0.028[V]일 때, 출력전압이 28[V]이다. 이 증폭기에서 궤환율 β=0.012로 부궤환시켰을 때의 출력전압은 약 몇 [V]인가?
1.
2.15[V]
2.
3.23[V]
3.
4.75[V]
4.
5.34[V]
정답: 1번
50. 50. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1.
Schmitt 트리거 회로
2.
톱니파발생회로
3.
Monostable 회로
4.
Astable 회로
정답: 1번
51. 51. 미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?
1.
출력은 입력의 변화율에 반비례한다.
2.
출력은 입력의 변화율에 비례한다.
3.
출력은 입력의 변화율에 무관하다.
4.
출력은 입력의 변화율의 제곱에 비례한다.
정답: 2번
52. 52. 0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는가?
1.
주파수 일그러짐
2.
진폭 일그러짐
3.
교차 일그러짐
4.
위상 일그러짐
정답: 3번
53. 53. RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
1.
고역특성이 주로 좋지 않다.
2.
중역특성이 주로 좋지 않다.
3.
저역특성이 주로 좋지 않다.
4.
고역과 저역특성이 모두 좋지 않다.
정답: 3번
54. 54. 지연시간이 80[ns]인 플립플롭을 사용한 5단의 리플 카운터의 최고 동작주파수는 몇 [MHz]인가?
1.
1.25
2.
2.5
3.
5
4.
10
정답: 2번
55. 55. 다음 부궤환 연산증폭기 회로에서 궤환율 β는?
정답: 2번
56. 56. 다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?
1.
A급 증폭기
2.
B급 증폭기
3.
C급 증폭기
4.
AB급 증폭기
정답: 3번
57. 57. 그림과 같은 게이트의 기능은?
1.
PMOS NOT
2.
PMOS NAND
3.
CMOS NOT
4.
CMOS NAND
정답: 1번
58. 58. 그림의 연산증폭기에서 입력 Vi=-V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기는 이상적인 것이라 한다.)
정답: 4번
59. 59. 다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
1.
감소한다.
2.
증가한다.
3.
1/hoe이 된다.
4.
변함이 없다.
정답: 1번
60. 60. 이상적인 RC 결합증폭회로에서 주파수 대역폭을 4배로 증가하려면 전압증폭 이득은 약 몇 [dB] 감소시켜야 하는가?
1.
3[dB]
2.
6[dB]
3.
12[dB]
4.
24[dB]
정답: 3번
61. 61. 펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1.
베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
2.
펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
3.
컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
4.
펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
정답: 4번
62. 62. FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?
1.
전력 소모가 적기 때문
2.
대량 생산에 적합하기 때문
3.
입력 임피던스가 매우 높기 때문
4.
오프 셋 전압이 매우 작기 때문
정답: 4번
63. 63. 100[V] 전압으로 가속된 전자 속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?
1.
√2
2.
2
3.
5
4.
5√2
정답: 2번
64. 64. 다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?
1.
게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
2.
전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
3.
소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
4.
다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
정답: 4번
65. 65. 온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?
1.
전도대 쪽으로 근접 접근
2.
가전자대 쪽으로 근접 접근
3.
충만대 쪽으로 근접 접근
4.
금지대 영역 중앙으로 근접 접근
정답: 4번
66. 66. 다음 중 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
1.
Thomson 효과
2.
Hall 효과
3.
Seebeck 효과
4.
Peltier 효과
정답: 4번
67. 67. 페르미준위 Ef 에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포함수의 값은?
2.
0.5
3.
0.25
4.
1
정답: 2번
68. 68. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.6×10-19[C]이다.)
1.
2.97×107[m/s]
2.
2.97×108[m/s]
3.
0.94×106[m/s]
4.
0.94×107[m/s]
정답: 1번
69. 69. 다음 중 열음극을 갖는 것은?
1.
계전기 방전관
2.
네온관
3.
정전압 방전관
4.
수은 정류관
정답: 4번
70. 70. 진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?
1.
가전자대 쪽으로 접근한다.
2.
전도대 쪽으로 접근한다.
3.
금지대 중앙으로 접근한다.
4.
온도와는 무관하다.
정답: 4번
71. 71. 접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
2.
불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
3.
베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
4.
베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 많이 넣는다.
정답: 3번
72. 72. Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)
1.
T=0[K]일 때 E＞Ef이면 f(E)=0이다.
2.
T=0[K]일 때 E＜Ef이면 f(E)=1이다.
3.
절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.
4.
T=0[K]에서는 Ef보다 낮은 에너지준위는 전부 전자로 채워있으며, Ef 이상의 준위는 전부 비어있다.
정답: 3번
73. 73. 1[eV]를 가장 잘 설명한 것은?
1.
1개의 전자가 1[J]의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.
2.
1개의 전자가 1[m]의 간격을 통과할 때 필요한 전압이다.
3.
1개의 전자가 1[V]의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지이다.
4.
1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.
정답: 3번
74. 74. 다음 중 에필택셜(epitaxial) 성장이란?
1.
다결정의 Ge 성장
2.
다결정의 Si 성장
3.
기판에 매우 얇은 단결정의 성장
4.
기판에 매우 얇은 다결정의 성장
정답: 3번
75. 75. 낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?
1.
바랙터(Varactor)
2.
바리스터(Varistor)
3.
세미스터(semistor)
4.
서미스터(thermistor)
정답: 2번
76. 76. pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?
1.
공간 전하에 의한 용량이다.
2.
다수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
3.
역바이어스에 의한 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
4.
순바이어스에 의하여 주입된 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
정답: 4번
77. 77. 홀(Hall) 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?
1.
캐리어의 종류만을 구할 수 있다.
2.
캐리어 농도와 도전율을 알 수 있다.
3.
캐리어 종류와 도전율을 구할 수 있다.
4.
캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다.
정답: 4번
78. 78. 입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h는 프랑크 상수)
정답: 3번
79. 79. 베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때, 이미터 접지시 전류증폭률은?
1.
20
2.
40
3.
49
4.
98
정답: 3번
80. 80. 반도체에서 아이슈타인(Einstein)의 관계식은 확산계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?
1.
이동도
2.
유효 질량
3.
캐리어 농도
4.
내부 전압
정답: 1번
81. 81. (42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?
1.
20
2.
21
3.
84
4.
85
정답: 2번
82. 82. 다음 중 입력장치를 모두 나타낸 것은?
1.
1, 2, 3, 4, 5, 6
2.
1, 2, 3, 4, 5
3.
1, 2, 3, 4
4.
1, 2, 3
정답: 1번
83. 83. 다음 중 값이 다른 것은?
1.
(10101010)2
2.
(AA)16
3.
(252)8
4.
(171)10
정답: 4번
84. 84. 중앙처리장치에 의한 입출력 방식이 아닌 것으로만 묶인 것은?
1.
프로그램에 의한 입출력, 인터럽트 처리에 의한 입출력
2.
DMA에 의한 입출력, 채널 제어기에 의한 입출력
3.
프로그램에 의한 입출력, 채널 제어기에 의한 입출력
4.
DMA에 의한 입출력, 인터럽트 처리에 의한 입출력
정답: 2번
85. 85. 다음 10진수 -426을 팩 십진수(pack decimal)로 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, 맨 오른쪽 4비트가 부호 비트이다.)
1.
0100 0010 0110 1111
2.
0100 0010 0110 1101
3.
0100 0010 0110 0001
4.
0100 0010 0110 1100
정답: 2번
86. 86. C 언어의 특징을 잘못 설명한 것은?
1.
C언어 자체에는 입출력 기능을 제공하는 함수가 있다.
2.
C는 포인터의 주소를 계산할 수 있다.
3.
연산자가 풍부하지 못하다.
4.
데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.
정답: 3번
87. 87. 한 명령어의 수행이 끝나기 전에 다른 명령어의 수행을 시작하는 연산 방법을 무엇이라 하는가?
1.
Vector processor 기법
2.
neural network computer 기법
3.
Pipeline 기법
4.
Data flow computer 기법
정답: 3번
88. 88. 필요 없는 비트나 문자를 삭제하기 위해 가장 필요한 연산은?
1.
AND
2.
OR
3.
Complement
4.
MOVE
정답: 1번
89. 89. 디코더와 OR 게이트를 이용하여 전가산기를 구현하고자 한다. 다음 중 필요한 디코더의 크기는?
1.
2× 4 디코더
2.
3× 8 디코더
3.
2× 16 디코더
4.
5× 32 디코더
정답: 2번
90. 90. 디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?
1.
윈체스터 디스크
2.
이동 디스크
3.
콤팩트 디스크
4.
플로피 디스크
정답: 1번
91. 91. 홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)
1.
(x⊙ y )⊙ z
2.
(x⊕ y )⊕ z
3.
(x⊕ y )⊙ z
4.
(x + y )ㆍz
정답: 3번
92. 92. 마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
구조화된 제어 구조를 제공한다.
2.
한 컴퓨터에서 다른 컴퓨터의 에뮬레이팅(emulating)이 가능하다.
3.
시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
4.
명령 세트를 변경할 수 없으므로 설계 사이클의 마지막으로 연기가 가능하다.
정답: 4번
93. 93. RISC(Reduced Instruction Set Computer) 시스템과 관련이 없는 것은?
1.
하나의 명령어가 한 가지 이상의 명령어를 갖고 있다.
2.
대부분의 명령어가 하나의 머신 사이클 내에 수행된다.
3.
고정된 길이의 명령어를 제공한다.
4.
제어 방식은 하드와이어(hardwired)적이다.
정답: 1번
94. 94. 다음 명령은 명령 형식 중 어디에 속하는가?
1.
3주소 명령
2.
2주소 명령
3.
1주소 명령
4.
0주소 명령
정답: 1번
95. 95. 16비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?
1.
36
2.
72
3.
86
4.
512
정답: 2번
96. 96. 한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?
1.
간접 주소지정방식
2.
직접 주소지정방식
3.
상대 주소지정방식
4.
인덱스 주소지정방식
정답: 1번
97. 97. java 언어에서 지역 변수나 멤버 변수를 변경할 수 없음을 나타내는 상수로 지정하는 제한자(한정자)는?
1.
public
2.
private
3.
protected
4.
final
정답: 4번
98. 98. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
1.
Compiler
2.
Translator
3.
Assembler
4.
Language Decoder
정답: 3번
99. 99. 다중처리(multi-processor) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?
1.
주기억장치를 여러 개의 CPU가 공유하여 동시에 사용할 수 있다.
2.
여러 개의 CPU 중에 한쪽의 CPU가 고장이 날 경우 다른 쪽의 CPU를 이용하여 업무처리를 계속할 수 있다.
3.
CPU를 두 개 이상 두고 동시에 여러 프로그램을 수행할 수 있다.
4.
두 개 이상의 CPU가 각자의 업무를 분담하여 처리할 수 없다.
정답: 4번
100. 100. 일반적인 명령어 형식을 나타낸 것으로 옳은 것은?
1.
연산자(OP 코드)와 데이터
2.
연산자(OP 코드)와 오퍼랜드(Operand)
3.
오퍼랜드(Operand)와 데이터
4.
데이터와 주소부
정답: 2번