전자기사
(2012-09-15 기출문제 - 하나씩 풀이)
총 100문제
답안 완료: 0문제
1. 자성체 경계면에 전류가 없을 때의 경계 조건으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
자계 H의 접선 성분 H1T=H2T
2.
자속밀도 B의 법선 성분 B1N=B2N
3.
경계면에서의 자력선의 굴절
4.
전속밀도 D의 법선 성분
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
2. 페러데이 법칙 중 옳지 않은 것은? (단, 로서 쇄교 자속수이다.)
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정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
3. 그림과 같은 원통좌표계에서 자속밀도 이다. 0.5≤ r≤ 2.5[m]이고, 0≤ z≤ 2.0[m]로 정의되는 평면을 지나는 자속의 크기를 구하면?
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1.
4.12[Wb]
2.
5.33[Wb]
3.
6.44[Wb]
4.
7.23[Wb]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
4. 전위 V가 V=xy2z[V]일 때, 이 원천인 전하밀도 ρ[C/m3]는?
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2.
-2xzɛ0
3.
-2xy2z
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
5. 커패시터를 제조하는데 A, B, C, D와 같은 4가지의 유전재료가 있다. 커패시터내에서 단위체적당 가장 큰 에너지 밀도를 나타내는 재료부터 순서대로 나열하면? (단, 유전재료 A, B, C, D의 비유전율은 각각 ετA=8, ετB=10, ετC=2, ετD=4이다.)
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1.
C > D > A > B
2.
B > A > D > C
3.
D > A > C > B
4.
A > B > D > C
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
6. 유전율이 ε, 도전율이 σ이고, 반경이 r1, r2(r1＜r2), 길이가 R인 동축케이블에서 저항 R은 얼마인가?
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정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
7. 균일하게 만들어진 알루미늄 도체가 있다. 이 도체의 도전율은 3.5×107[Ωㆍm]-1이고 전류밀도는 8×105[A/m2 ]이라고 한다. 이 도체에서 서로 1[m] 떨어진 두 점사이의 전위차는 약 몇 [V]인가?
정답을 선택하세요
1.
0.023[V]
2.
0.115[V]
3.
0.23[V]
4.
1.15[V]
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
8. 자속밀도가 B=30[Wb/m2]의 자계 내에 i=5[A]의 전류가 흐르고 있는 길이 ℓ=1[m]인 직선 도체를 자계의 방향에 대해서 60°의 각을 짓도록 놓았을 때, 이 도체에 작용하는 힘[N]은?
정답을 선택하세요
1.
75[N]
2.
150[N]
3.
130[N]
4.
120[N]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
9. 한 변의 길이가 ℓ인 정삼각형 회로에 전류 I가 흐르고 있을 때 삼각형 중심에서의 자계의 세기[AT/m]는?
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정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
10. 공기 중에서 1[V/m]의 전계를 2[A/m2]의 변위전류를 흐르게 하려면 주파수는 약 몇 [MHz]가 되어야 하는가?
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1.
18[MHz]
2.
1800[MHz]
3.
3600[MHz]
4.
36000[MHz]
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
11. 도전율 σ, 투자율 μ인 도체에 교류전류가 흐를 때의 표피효과의 관계로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
주파수가 높을수록 작아진다.
2.
μ0가 클수록 작아진다.
3.
σ가 클수록 작아진다.
4.
μs가 클수록 작아진다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
12. 2[Ω]과 4[Ω]의 병렬회로 양단에 40[V]를 가했을 때 2[Ω]에서 발생하는 열은 4[Ω]에서의 열의 몇 배인가?
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1.
2배
2.
4배
3.
6배
4.
8배
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
13. 내원통의 반지름 a, 외원통의 반지름 b인 동축원통 콘덴서의 내외 원통사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 C0이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 하고 공기대신 비유전율 9인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량은?
정답을 선택하세요
1.
C0
2.
9C0
3.
C0/3
4.
C0/9
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
14. 전류에 의한 자계의 법칙으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
암페어의 오른 나사법칙
2.
비오ㆍ사바르의 법칙
3.
암페어 주회 적분의 법칙
4.
가우스의 법칙
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
15. 진공 중에 선전하밀도가 ρ[C/m], 반지름이 a[m]인 아주 긴 직선원통 전하가 있다. 원통 중심축으로부터 a/2[m]인 거리에 점의 전계의 세기는?
정답을 선택하세요
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
16. 철심의 길이를 lc[m], 단면적을 S[m2], 투과율을 μ[H/m]라 하고 공극의 길이를 lg[m], 공극부분의 투과율을μ0[H/m]라 할 때, 합성자기 저항 Rm[AT/Wb]은?
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정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
17. 균등전류가 흐르고 있는 무한히 긴 원주도체의 내부 인덕턴스의 크기는 어떻게 결정되는가?
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1.
도체의 인덕턴스는 0으로 결정된다.
2.
도체의 기하학적 모양에 따라 결정된다.
3.
주위의 자계의 세기에 따라 결정된다.
4.
도체의 재질에 따라 결정된다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
18. 대지의 고유저항이 ρ[Ωㆍm]일 때 반지름 a[m]인 반구형 접지전극의 접지저항은 몇 [Ω]인가?
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3.
ρ/πa
4.
2πρa
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
19. 전하 q와 -q가 S만큼 거리를 두고 위치해 있다. 이 때 외부에서 그림과 같이 전계 E를 가했다. 경우 포텐샬 에너지의 식으로 합당한 것은?
정답을 선택하세요
1.
-2qSE
2.
-qSE
3.
-2q2SE
4.
-q2SE
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
20. 다음 중 전류 운송자(carrier)에 의한 전류가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
전도전류
2.
변위전류
3.
흡수전류
4.
누설전류
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
21. 정현파 교류전압의 평균값이 350[V]일 때 실효값은?
정답을 선택하세요
1.
164[V]
2.
240[V]
3.
389[V]
4.
424[V]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
22. 시정수가 τ인 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 회로에 흐르는 전류는 최종 의 몇 [%]인가? (단, e는 2.718이다.)
정답을 선택하세요
1.
63.2[%]
2.
86.5[%]
3.
95.0[%]
4.
98.2[%]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
23. 구동점 임피던스에 있어서 영점은?
정답을 선택하세요
1.
전압이 가장 큰 상태이다.
2.
회로의 단락상태를 의미한다.
3.
회로의 개방상태를 의미한다.
4.
전류가 흐르지 않는 상태이다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
24. v(t)=100sin ωt[V]이고, i(t)=2sin(ωt-π/3)[A]에 대한 평균 전력은?
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1.
25[W]
2.
50[W]
3.
75[W]
4.
125[W]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
25. 파형률에 관한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
실효값을 평균값으로 나눈 값이다.
2.
클수록 정류를 했을 때 효율이 좋아진다.
3.
어떠한 파형에 대하여도 그 값은 1 이상이다.
4.
동일한 파형에 대하여는 주파수에 관계없이 일정하다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
26. 함수 f(t)=tat를 라플라스 변환시킨 것은?
정답을 선택하세요
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
27. 차단 주파수에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
출력 전압이 최대값의 1/√2이 되는 주파수이다.
2.
전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.
3.
전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.
4.
출력 전류가 최대값의 1/√2이 되는 주파수이다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
28. 다음 회로에서 전압 전달비를 구하면? (단, S=jω이다.)
정답을 선택하세요
1.
1/RCS+1
2.
R/RCS+1
3.
CS/RCS+1
4.
RCS/RCS+1
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
29. 단자 외부에 연결되는 임피던스를 예상해서 도입되는 파라미터는?
정답을 선택하세요
1.
반복 파라미터
2.
영상 파라미터
3.
H 파라미터
4.
임피던스 파라미터
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
30. 1000[mH]인 코일의 리액턴스가 377[Ω]일 때 주파수는?
정답을 선택하세요
1.
6[Hz]
2.
36[Hz]
3.
60[Hz]
4.
360[Hz]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
31. 정 K형 필터에서 임피던스 Z1, Z2와 공칭임피던스 K와의 관계는?
정답을 선택하세요
1.
Z1,Z2=K
4.
Z1Z2=K2
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
32. R-C 직렬 회로망에서 스위치 S가 t=0일 때 닫혔다고 하면 전류 I(t)는? (단, 콘덴서에는 초기 전하가 없었다.)
정답을 선택하세요
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
33. 어떤 회로망의 4단자 정수가 A=8, B=j2, D=3+j2이면 이 회로망의 C는?
정답을 선택하세요
1.
3-j4.5
2.
4+j6
3.
8-j11.5
4.
24+j14
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
34. R-L-C 직렬회로에서 공진주파수보다 큰 주파수에서의 전류는?
정답을 선택하세요
1.
전류가 흐르지 않는다.
2.
인가전압보다 위상이 뒤진다.
3.
인가전압보다 위상이 앞선다.
4.
인가전압의 위상과 동일하다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
35. 두 개의 코일 a, b를 직렬 접속하였을 때 합성 인덕턴스가 121, 반대로 연결하였을 때 합성 인덕턴스가 9였다. 코일 a의 자기인덕턴스가 20[mH]라면 결합계수(k)는?
정답을 선택하세요
1.
0.43
2.
0.68
3.
0.86
4.
0.93
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
36. 전달함수 을 갖는 요소가 있다. 이 요소에 ω=2인 정현파를 주었을 때 |G(jw)|는? (단, s=jω이다.)
정답을 선택하세요
1.
2
2.
4
3.
6
4.
8
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
37. 변압기 결선에서 제 3고조파를 발생하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
Δ-Y
2.
Y-Δ
3.
Δ-Δ
4.
Y-Y
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
38. 감쇠기의 입력전력과 출력전력의 비가 1/00일 때의 감쇠량은?
정답을 선택하세요
1.
1[dB]
2.
10[dB]
3.
20[dB]
4.
100[dB]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
39. 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 40[W]이었다면, 이 형광등의 역률은?
정답을 선택하세요
1.
0.5
2.
0.6
3.
0.7
4.
0.8
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
40. R=80[Ω], Xc=60[Ω]인 R-C 직렬회로에 교류 220[V]를 인가할 때의 역률은?
정답을 선택하세요
1.
0.4
2.
0.6
3.
0.8
4.
0.9
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
41. 연산증폭기의 이득 대역폭 적(GㆍB)은 0.35/상승시간 의 식으로 계산된다. 상승시간이 0.175[μs]인 연산증폭기를 이용하여 10[kHz]의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 [dB]인가?
정답을 선택하세요
1.
26[dB]
2.
34[dB]
3.
40[dB]
4.
46[dB]
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
42. 다음과 같은 회로 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드이다.)
정답을 선택하세요
1.
구형파형
2.
정현파형
3.
삼각파형
4.
톱날파형
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
43. 다음 회로는 어떤 궤환 증폭회로인가?
정답을 선택하세요
1.
전류궤환 증폭회로
2.
전압궤환 증폭회로
3.
정전류궤환 증폭회로
4.
정전압궤환 증폭회로
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
44. Push-Pull 증폭기가 단일 Transistor 증폭기에 비해 그 장점을 잘못 설명한 것은?
정답을 선택하세요
1.
양극 효율 증대
2.
Push-Pull 증폭기의 큰 출력
3.
전원의 맥동에 의한 잡음제거
4.
기수고조파에 의한 일그러짐 감소
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
45. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
정답을 선택하세요
1.
640[W]
2.
600[W]
3.
480[W]
4.
320[W]
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
46. 컬렉터 접지형 증폭기의 특징에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
전류증폭도는 수십에서 수백 정도이다.
2.
전압증폭도는 약 1이다.
3.
입ㆍ출력 전압의 위상은 동위상이다.
4.
입력임피던스는 낮고, 출력임피던스는 높다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
47. α가 0.99, 차단주파수가 30[MHz]인 베이스접지 증폭회로를 이미터접지로 하였을 경우 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가?
정답을 선택하세요
1.
0.1[MHz]
2.
0.3[MHz]
3.
1.2[MHz]
4.
3.0[MHz]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
48. 다음 중 수정발진기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
압전 효과를 이용한다.
2.
발진 주파수의 안정도가 매우 높다.
3.
수정편의 컷 방법에 따라 온도 계수가 달라진다.
4.
수정편이 같은 두께일 때 X컷보다 Y컷의 발진주파수가 높다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
49. 다음 중 발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
체배 증폭단을 둔다.
2.
항온조 시설을 한다.
3.
정전압 회로를 설치한다.
4.
온도 보상용 부품을 사용한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
50. 부궤환 증폭기의 일반적인 특징 중 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
증폭도가 증가한다.
2.
주파수 특성이 좋다.
3.
일그러짐과 잡음이 감소한다.
4.
부하 변동에 의한 이득 변동이 감소한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
51. 다음 중 QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1.
QAM 방식은 PSK 변조방식의 일종이다.
2.
QAM 방식은 AM 방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
3.
QAM 방식은 주파수 변조와 위상 변조 방식을 혼합한 것이다.
4.
QAM 방식은 정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK의 한 종류이다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
52. 일반적인 궤환회로에서 전압증폭도 라고 하면 이 때 부궤환 작용을 할 수 있는 조건은? (단, A는 궤환이 일어나지 않을 때의 이득이다.)
정답을 선택하세요
1.
|1-Aβ|＜1
2.
Aβ=1
3.
|1-Aβ|＞1
4.
Aβ=∞
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
53. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1.
윈도우 비교기
2.
A/D 변환기
3.
시미트 트리거
4.
멀티바이브레이터
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
54. 2진수 (11100101)2를 8진수와 16진수로 바르게 변환한 것은?
정답을 선택하세요
1.
345(8), E5(16)
2.
711(8), E5(16)
3.
345(8), D5(16)
4.
711(8), D5(16)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
55. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.3[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]이라면 안정도 계수 S는?
정답을 선택하세요
1.
1
2.
2.3
3.
4.2
4.
6.3
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
56. 다음과 같은 FET 소신호 증폭기회로에서 입력전압이 20[mV]일 때 출력전압으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1.
입력전압과 동위상인 100[mV]
2.
입력전압과 역위상인 200[mV]
3.
입력전압과 동위상인 300[mV]
4.
입력전압과 역위상인 400[mV]
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
57. 다음과 같은 윈 브리지형 발진 회로의 발진 주파수는?
정답을 선택하세요
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
58. α=0.98, ICO=5[μA]인 트랜지스터에서 IB=100[μA]일 때 IC는 몇 [mA]인가?
정답을 선택하세요
1.
2.98[mA]
2.
3.98[mA]
3.
5.15[mA]
4.
7.25[mA]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
59. 어떤 파형의 상부와 하부의 두 레벨을 동시에 잘라내어 입력 파형의 극히 좁은 레벨을 꺼내는 회로는?
정답을 선택하세요
1.
클리퍼
2.
슬라이서
3.
리미터
4.
클램퍼
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
60. 그림과 같은 브리지 정류회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
RL에는 A쪽에서 B쪽으로 전류가 흐른다.
2.
RL에 흐르는 전류는 전파 정류된 파형이다.
3.
다이오드에 걸리는 역방향 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치의 2배에 가깝다.
4.
RL에 걸리는 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치에 가깝다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
61. 원자의 성질로 4가지 양자수(n, l, m, s)로서 결정되는 한 개의 양자 상태에는 한 개만의 전자 밖에 들어갈 수 없다는 원리는?
정답을 선택하세요
1.
루더포드(Rutherford)의 분사의 원리
2.
파우리(Pauli)의 배타 원리
3.
보어(Bohr)의 이론
4.
아인슈타인(Einstein)의 에너지 보존 법칙
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
62. 페르미 디락(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
고체내의 전자는 Pauli의 배타 원리의 지배를 받는다.
2.
대부분의 전자는 이 분포의 저에너지역에 존재한다.
3.
금속은 온도에 관계없이 무관하다.
4.
이 분포에 의하며, 도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
63. 다음 중 전자의 비전하를 의미하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
전자와 전하의 비(ratio)를 의미
2.
전자와 전류의 비(ratio)를 의미
3.
전자와 질량의 비(ratio)를 의미
4.
전류와 질량의 비(ratio)를 의미
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
64. 전자의 전체 에너지를 E, 운동량을 P라 하면 위치에너지는? (문제 오류로 실제 시험에서는 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
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정답: 1번
해설
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65. Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?
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1.
2d cosθ = nλ
2.
2d sinθ = nλ
3.
2d cosθ = 1/2nλ
4.
2d sinθ = 1/2nλ
정답: 2번
해설
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66. 반도체에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?
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1.
전계와 같은 방향이다.
2.
전계와 반대 방향이다.
3.
전계와 직각 방향이다.
4.
전계와 무관한 지그재그 운동을 한다.
정답: 1번
해설
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67. 트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?
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1.
베이스 전극을 만들기 위해서
2.
베이스 영역을 좁게 만들기 위해서
3.
낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서
4.
낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서
정답: 4번
해설
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68. 서미스터(Thermistor) 소자에 대한 설명 중 틀린 것은?
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1.
반도체로 만들어진다.
2.
저항의 온도계수가 + 값이다.
3.
온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.
4.
온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상 등에 사용된다.
정답: 2번
해설
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69. 다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?
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1.
역 다이오드
2.
쇼트키 다이오드
3.
바렉터 다이오드
4.
유니정션 트랜지스터(UJT)
정답: 4번
해설
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70. 자속밀도 B[Wb/m2]인 평등자계 중에 자계와 직각 방향으로 속도 r=mv/eB[m]로 원운동을 한다. 이때 전자의 운동 주기 T[sec]는?
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정답: 3번
해설
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71. 27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1[eV] 상위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, Boltzmann 상수 k는 1.38×10-23[J/K]이다.)
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1.
약 0.01
2.
약 0.02
3.
약 0.03
4.
약 0.05
정답: 2번
해설
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72. 열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?
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1.
쇼트키 효과
2.
펠티어 효과
3.
지벡 효과
4.
홀 효과
정답: 1번
해설
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73. 실리콘으로 된 PN 접합에서 단면적이 0.5[mm2]이고 공간전하 영역의 폭이 2×10-4[cm]일 때 공간 전하 용량은? (단, 실리콘의 비유전율은 12, 진공의 유전율은 8.85×10-12[F/m]이다.)
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1.
약 1.62[pF]
2.
약 26.6[pF]
3.
약 30.4[pF]
4.
약 36.6[pF]
정답: 2번
해설
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74. 서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흘릴 때 전류의 방향에 따라 접합 부위에 온도차가 발생되는 현상은?
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1.
Seebeck Effect
2.
Peltier Effect
3.
Zeemann Effect
4.
Hall Effect
정답: 2번
해설
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75. 트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?
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1.
컬렉터 전압 VCB가 증가함에 따라 베이스 중성 영역의 폭이 줄어든다.
2.
베이스 폭의 감소는 베이스 영역의 소수 캐리어 농도의 기울기를 증대시킨다.
3.
컬렉터 역바이어스의 증가에 따라 이미터 전류와 컬렉터 전류가 감소하다.
4.
베이스 폭이 감소하면 전류증폭률 α가 증대한다.
정답: 3번
해설
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76. Si 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
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1.
인듐(In)
2.
비소(As)
3.
붕소(B)
4.
알루미늄(Al)
정답: 2번
해설
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77. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
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1.
열전자 방출
2.
냉음극 방출
3.
2차 전자 방출
4.
광전자 방출
정답: 4번
해설
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78. 서로 떨어져 있는 원자를 접근시켜 고체를 형성할 경우, 인접된 원자 간의 상호작용으로 분할된 에너지 준위(Level)가 본질적으로 연속적인 에너지 대역(Band)으로 변하게 되는데 이와 관련이 깊은 것은?
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1.
Dulong-Petit 법칙
2.
Rayleigh-Jeans 법칙
3.
Pauli의 배타원리
4.
공유결합 원리
정답: 3번
해설
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79. PN 접합에 순방향 바이어스가 인가되었을 때에 대한 설명 중 옳은 것은?
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1.
단지 P형 쪽의 정공만이 N형 쪽으로 주입되어 전류가 흐른다.
2.
단지 N형 쪽의 전자만이 P형 쪽으로 주입되어 전류가 흐른다.
3.
PN 접합의 공간 전하영역의 폭이 증가한다.
4.
전위장벽이 낮아진다.
정답: 4번
해설
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80. 부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나며, 일명 에사키(Esaki) 다이오드라고도 하는 것은?
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1.
광 다이오드
2.
터널 다이오드
3.
제너 다이오드
4.
쇼트키 다이오드
정답: 2번
해설
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81. 기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성 요소가 아닌 것은?
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1.
연산부(ALU)
2.
제어부(control unit)
3.
주소 버스(address bus)
4.
레지스터부(registers)
정답: 3번
해설
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82. 다음 중 스택과 가장 관련이 없는 것은?
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1.
FIFO
2.
PUSH
3.
POP
4.
LIFO
정답: 1번
해설
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83. 인터럽트(interrupt)의 발생과 처리 과정에서 수행되는 내용이 아닌 것은?
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1.
모든 register의 내용을 clear 한다.
2.
실행중인 프로그램을 중단하고, return address를 stack에 보관한다.
3.
interrupt vector table을 loading 한다.
4.
interrupt service routine을 실행한다.
정답: 1번
해설
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84. 다음 중 일반적으로 ROM에 저장하는 것이 아닌 것은?
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1.
시스템 초기화 프로그램 및 진단 프로그램
2.
제어유니트의 마이크로프로그램
3.
일반 PC의 운영체제
4.
빈번히 사용되는 함수들을 위한 서브루틴
정답: 3번
해설
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85. 컴퓨터에서 여러 개의 마이크로프로세서가 하나의 프로그램 상의 서로 다른 태스크(task)를 동시에 처리함으로써 부하를 분담하여 처리속도를 향상시킨 방식은?
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1.
병렬처리 방식
2.
일괄처리 방식
3.
실시간처리 방식
4.
원격처리 방식
정답: 1번
해설
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86. 다음 C 프로그램의 출력은?
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1.
결과: 10 10
2.
결과: 10 20
3.
결과: 20 10
4.
결과: 20 20
정답: 3번
해설
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87. 부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?
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1.
표준화(standardization)
2.
소수점 자리 맞추기(alignment)
3.
정규화(normalization)
4.
세그먼트화(segmentation)
정답: 3번
해설
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88. 파이프라인에서 단계의 수를 "k", 실행할 명령어의 수를 "N"이라고 할 때, 파이프라이닝을 이용하여 얻을 수 있는 속도향상 Sp로 가장 타당한 것은?
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정답: 4번
해설
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89. 분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대 주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 -75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?
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1.
24F2H 번지
2.
24F5H 번지
3.
24F8H 번지
4.
256DH 번지
정답: 3번
해설
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90. 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
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1.
compiler
2.
assembler
3.
interpreter
4.
micro-assembler
정답: 3번
해설
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91. 마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징으로 볼수 없는 것은?
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1.
구조적이고 임의적인 설계가 가능하다.
2.
경제적이며 시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
3.
보다 용이한 유지보수 관리가 가능하다.
4.
시스템이 간단하고 많은 제어 결정을 필요로 하지 않을 때 유리하다.
정답: 4번
해설
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92. 연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터는?
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1.
누산기(accumulator)
2.
기억 레지스터(storage register)
3.
메모리 레지스터(memory register)
4.
인스트럭션 카운터(instruction counter)
정답: 1번
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93. 다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?
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1.
회로비용을 절감할 수 있다.
2.
많은 논리기능을 부여할 수 없다.
3.
게이트들의 출력단자를 묶어서 사용한다.
4.
컴퓨터 내부에서 버스구조를 만드는데 이용된다.
정답: 2번
해설
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94. 다른 세 가지와 그 값이 같지 않은 것은?
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1.
2진수 101111
2.
8진수 57
3.
10진수 48
4.
16진수 2F
정답: 3번
해설
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95. 명령어의 오퍼랜드를 연산 자료의 주소로 이용하는 주소지정 방식은?
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1.
relative address
2.
indexed address
3.
indirect address
4.
direct address
정답: 4번
해설
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96. op-code가 4비트이면 연산자의 종류는 최대 몇 개가 생성될 수 있는가?
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1.
23-1
2.
23
3.
24-1
4.
24
정답: 4번
해설
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97. 10비트로 표현된 어떤 수 A를 2의 보수로 변환하였다. 이때 변환한 결과를 B라고 할 때 A와 B의 합은?
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2.
512
3.
1024
4.
2048
정답: 1번
해설
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98. RISC에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
주기억장치 주기(cycle)를 최소화
2.
인스트럭션 종류의 축소화
3.
기억장치의 접근 빈도 증가
4.
사용빈도가 높은 인스트럭션의 고속화 설계
정답: 3번
해설
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99. 논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
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1.
OR
2.
AND
3.
EX-OR
4.
NOT
정답: 2번
해설
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100. 어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 관계가 먼 것은?
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1.
label
2.
mnemonic
3.
operand
4.
procedure
정답: 4번
해설
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문제 정보
강의: 전자기사
연도: 2012-09-15
총 문제: 100문제
현재 문제: 1번
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