전자기사
(2013-03-10 기출문제)
1 / 100
1. 1. ∇⋅i =0에 대한 설명이 아닌 것은?
1.
도체 내에 흐르는 전류는 연속이다.
2.
도체 내에 흐르는 전류는 일정하다.
3.
단위시간당 전하의 변화가 없다.
4.
도체 내에 전류가 흐르지 않는다.
정답: 4번
2. 2. 1[kV]로 충전된 어떤 콘덴서의 정전에너지가 1[J]일 때, 이 콘덴서의 크기는 몇 [μF]인가?
1.
2[μF]
2.
4[μF]
3.
6[μF]
4.
8[μF]
정답: 1번
3. 3. 진공 중에 선전하 밀도 +λ[C/m]의 무한장 직선전하 A와 -λ[C/m]의 무한장 직선전하 B가 d[m]의 거리에 평행으로 놓여 있을 때, A에서 거리 d/3[m]되는 점의 전계의 크기는 몇 [V/m]인가?
정답: 2번
4. 4. 정전용량 C[F]인 평행판 공기콘덴서에 전극간격의1/2 두께인 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 이때의 정전용량은 몇 [F]인가? (단, 유리의 비유전률은 εs라 한다.)
정답: 1번
5. 5. 자성체 경계면에 전류가 없을 때의 경계조건으로 틀린 것은?
1.
전속밀도 D의 법선성분
2.
자속밀도 B의 법선성분 B1N=B2N
3.
자계 H의 접선성분 H1T=H2T
4.
경계면에서의 자력선의 굴절
정답: 1번
6. 6. 그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때 A코일 자기인덕턴스가 L1[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스 M은 몇 [H]인가? (단, 누설자속은 0이라고 한다.)
정답: 4번
7. 7. 자기유도계수 L의 계산방법이 아닌 것은? (단, N: 권수, ø : 자속, I : 전류, A : 벡터포텐샬, i : 전류밀도, B : 자속밀도, H : 자계의 세기이다.)
정답: 4번
8. 8. 압전기 현상에서 분극이 응력에 수직한 방향으로 발생하는 현상은?
1.
종효과
2.
횡효과
3.
역효과
4.
직접효과
정답: 2번
9. 9. 다음 중 스토크스(stokes)의 정리는?
정답: 4번
10. 10. 전위가 VA인 A점에서 Q[C]의 전하를 전계와 반대 방향으로 ℓ[m]이동시킨 점 P의 전위[V]는? (단, 전계 E는 일정하다고 가정한다.)
1.
VP=VA-Eℓ
2.
VP=VA+Eℓ
3.
VP=VA-EQ
4.
VP=VA+EQ
정답: 2번
11. 11. 그림과 같은 공심 토로이드 코일의 권선수를 N배하면 인덕턴스는 몇 배 되는가?
1.
N-2
2.
N-1
3.
N
4.
N2
정답: 4번
12. 12. 그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계 중에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 [kcal]의 열이 발생하는가? (단, Br=2[Wb/m2], HL=500[AT/m], B=μH에서 μ는 일정하지 않음)
1.
11.7
2.
47.6
3.
70.2
4.
200
정답: 2번
13. 13. 환상 철심에 감은 코일에 5[A]의 전류를 흘려 2000[AT]의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는 얼마로 하여야 하는가?
1.
10000
2.
500
3.
400
4.
250
정답: 3번
14. 14. 전기쌍극자에 의한 전계의 세기는 쌍극자로부터의 거리 r에 대해서 어떠한가?
1.
r에 반비례한다.
2.
r2에 반비례한다.
3.
r3에 반비례한다.
4.
r4에 반비례한다.
정답: 3번
15. 15. Z축의 정방향(+방향)으로 10πaz[A]가 흐를 때 이 전류로부터 5[m] 지점에 발생되는 자계의 세기 H[A/m]는?
1.
H=-ax
2.
H=aø
3.
H=1/2aø
4.
H=-aø
정답: 2번
16. 16. 전위함수가 V=2x+5yz+3일 때, 점(2,1,0)에서의 전계의 세기는?
1.
-2i-5i-3k
2.
i+2j+3k
3.
-2i-5k
4.
4i+3k
정답: 3번
17. 17. 반지름 2[mm]의 두 개의 무한히 긴 원통 도체가 중심 간격 2[m]로 진공 중에 평행하게 놓여있을 때 1[km]당의 정전용량은 약 몇 [μF]인가?
1.
1×10-3[μF]
2.
2×10-3[μF]
3.
4×10-3[μF]
4.
6×10-3[μF]
정답: 3번
18. 18. 그림과 같은 전기 쌍극자에서 P점의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
정답: 1번
19. 19. 단면적 1000[mm2] 길이 600[mm]인 강자성체의 철심에 자속밀도 B=1[Wb/m2]를 만들려고 한다. 이 철심에 코일을 감아 전류를 공급하였을 때 발생되는 기자력[AT]은? 문제 오류로 실제 시험에서는 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 가번을 누르면 정답 처리 됩니다.)
1.
6×10-4
2.
6×10-3
3.
6×10-2
4.
6×10-1
정답: 1번
20. 20. 다음 중 금속에서의 침투깊이(Skin Depth)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
같은 금속을 사용할 경우 전자파의 주파수를 증가시키면 침투깊이가 증가한다.
2.
같은 주파수의 전자파를 사용할 경우 전도율이 높은 금속을 사용하면 침투깊이가 감소한다.
3.
같은 주파수의 전자파를 사용할 경우 투자율 값이 작은 금속을 사용하면 침투깊이가 감소한다.
4.
같은 금속을 사용할 경우 어떤 전자파를 사용하더라도 침투깊이는 변하지 않는다.
정답: 2번
21. 21. 그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?
정답: 1번
22. 22. RLC 병렬회로가 공진주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
1.
유도성 회로가 된다.
2.
용량성 회로가 된다.
3.
저항성 회로가 된다.
4.
탱크 회로가 된다.
정답: 2번
23. 23. 기본파의 50[%]인 제3고조파와 30[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
1.
0.2
2.
0.4
3.
0.6
4.
0.8
정답: 3번
24. 24. 다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?
정답: 2번
25. 25. 임의의 회로 실효 전력이 30[W]이고, 무효전력이 40[VAR]일 때 역률은?
1.
0.6
2.
0.8
3.
1.0
4.
1.2
정답: 1번
26. 26. 4단자망의 파라미터에 대한 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
h 파라미터에서 h12와 h21는 차원(단위)이 없다.
2.
ABCD 파라미터에서 A와 D는 차원(단위)이 없다.
3.
h 파라미터에서 h11은 임피던스의 차원(단위)을, h22는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.
4.
ABCD 파라미터에서 B는 어드미턴스의 차원(단위)을, C는 임피던스의 차원(단위)을 갖는다.
정답: 4번
27. 27. 단위 임펄스의 라플라스 변환은?
1.
1
2.
1/S
3.
S
4.
1/S2
정답: 1번
28. 28. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
1.
전류는 전압보다 뒤진다.
2.
전류는 전압보다 앞선다.
3.
전류와 전압은 동위상이다.
4.
공진이 되어 지속적으로 발진한다.
정답: 1번
29. 29. 공급 전압이 50[V]이고, 회로에 전류가 15[A]가 흐른다고 할 때 이 회로의 유효전력은 몇 [W]인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)
1.
125√3
2.
245√3
3.
375√3
4.
750√3
정답: 3번
30. 30. 선형시변 인덕터의 자속이 ø(t)=L(t)i(t) 일 때, 전압 V(t)는?
정답: 4번
31. 31. 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 옳지 않은 것은?
1.
A=7
2.
B=48
3.
C=6
4.
D=7
정답: 3번
32. 32. 다음 중 파형의 대칭성에 해당되지 않는 것은?
1.
우함수
2.
기함수
3.
반파 대칭
4.
고조파 대칭
정답: 4번
33. 33. 전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시벨(dB) 인가?
1.
1.414
2.
1.732
3.
5.677
4.
8.686
정답: 4번
34. 34. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 인가할 때 t=3τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?
1.
86[%]
2.
73[%]
3.
95[%]
4.
100[%]
정답: 3번
35. 35. K의 적분요소를 갖는 회로의 전달함수는?
1.
K
2.
2K
3.
K/s
4.
K/2s
정답: 3번
36. 36. 10[V]의 기전력으로 300[C]의 전기량이 이동할 때 몇 [J]의 일을 하게 되는가?
1.
1000[J]
2.
2000[J]
3.
3000[J]
4.
4000[J]
정답: 3번
37. 37. 이상변압기에서 두 코일의 권선비는?
정답: 2번
38. 38. 두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
2.
K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
3.
K=1은 누설 자속이 전형 없는 경우이다.
4.
결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.
정답: 1번
39. 39. ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?
1.
A
2.
B
3.
C
4.
D
정답: 2번
40. 40. RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, wr은 공진 각 주파수이다.)
정답: 2번
41. 41. 어떤 증폭기에 그림(a)와 같은 파형이 인가되었을 때 그림(b)와 같은 출력파형이 발생되었다면 이 증폭기는?
1.
고주파특성은 좋으나 저주파특성이 좋지 않다.
2.
고주파특성, 저주파특성이 모두 좋지 않다.
3.
저주파특성은 좋으나 고주파특성이 좋지 않다.
4.
고주파특성, 저주파특성이 모두 좋다.
정답: 1번
42. 42. 수정발진자의 등가용량은 Co, 고유주파수는 fs이며, 발진자의 극간의 정전용량은 C, 정전용량을 고려한 주파수를 fP 라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?
정답: 2번
43. 43. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 80[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때 동상이득(Ac)은?
1.
0.1
2.
1
3.
10
4.
12.5
정답: 1번
44. 44. B급 푸시풀 증폭회로의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
컬렉터 손실을 2개로 분산할 수 있으므로 큰 출력을 얻을 수 있다.
2.
전원 효율이 좋다.
3.
입력이 가해지지 않을 때 전력손실이 극히 적다.
4.
크로스오버 찌그러짐이 전혀 생기지 않는다.
정답: 4번
45. 45. 다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)
1.
출력증대
2.
주파수 대역증대
3.
바이어스 전압감소
4.
동작점의 안정화
정답: 4번
46. 46. 부궤환(negative feedback)을 걸지 않은 경우 증폭기의 전압증폭도 A=1000배이다. β=0.05의 부궤환을 걸면 전압증폭도 Af는 약 얼마인가?
1.
500
2.
200
3.
20
4.
50
정답: 3번
47. 47. 다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?
1.
비동기식 2진 카운터
2.
동기식 10진 카운터
3.
링 카운터
4.
존슨 카운터
정답: 3번
48. 48. 수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?
1.
fo < fs
2.
fo > fp
3.
fp < fo < fs
4.
fs < fo < fp
정답: 4번
49. 49. 그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?
1.
12.5[%]
2.
25[%]
3.
50[%]
4.
78.5[%]
정답: 4번
50. 50. 다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?
1.
A
2.
B
3.
C
4.
D
정답: 3번
51. 51. 다음 그림의 연산증폭 회로에서 전압이득 AV는?
1.
-3
2.
2
3.
3
4.
0.5
정답: 3번
52. 52. 피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?
1.
40[V]
2.
56.6[V]
3.
80[V]
4.
113.1[V]
정답: 1번
53. 53. 디지털 신호(2진 데이터)의 정보 내용에 따라서 반송파의 주파수를 변화시키는 것은?
1.
ASK
2.
FSK
3.
PSK
4.
DPSK
정답: 2번
54. 54. 연산 증폭기에서 입력 오프셋 전압이란?
1.
출력전압이 ∞가 되게 하기 위한 입력단자 사이의 전압
2.
출력전압이 ∞가 될 때 입력단자의 최대 전류
3.
증폭기의 평형을 유지하기 위한 입력단자 사이에 공급하여야 할 전압
4.
출력전압과 입력전압이 같게 될 때 증폭기의 입력전압
정답: 3번
55. 55. T형 플립플롭을 사용하여 4단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?
1.
8개
2.
16개
3.
32개
4.
64개
정답: 2번
56. 56. 다음 그림과 같이 연산증폭기를 이용하여 적분기 회로를 구성하는데 가장 알맞은 것은?
정답: 2번
57. 57. 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 베이스 전압의 파형은?
1.
구형파
2.
정현파
3.
삼각파
4.
스텝파
정답: 3번
58. 58. RL=16[Ω], VCC=30[V]인 B급 전력증폭기에 20[V]의 신호를 공급할 때 입력전력 Pi(dc), 출력전력 Po(ac) 및 효율 η는 약 얼마인가?
1.
Pi(dc)=12.5[W], Po(ac))=23.9[W], η=42.3[%]
2.
Pi(dc)=23.9[W], Po(ac)=12.5[W], η=42.3[%]
3.
Pi(dc)=23.9[W], Po(ac)=12.5[W], η=52.3[%]
4.
Pi(dc)=12.5[W], Po(ac))=23.9[W], η=52.3[%]
정답: 3번
59. 59. 연산 증폭기에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
출력의 일부를 반전입력으로 되돌려서 출력전압을 감소시키는 것을 부궤환이라 한다.
2.
출력의 일부를 비반전입력으로 되돌려서 출력전압을 증가시키는 것을 정궤환이라 한다.
3.
개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 집적화로 이루어진 증폭기이다.
4.
매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계되었다.
정답: 4번
60. 60. 동기 3단 2진 카운터를 JK F/F 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 설계할 수 있는가?
1.
AND
2.
OR
3.
NOT
4.
EX-OR
정답: 1번
61. 61. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
1.
인듐(In)
2.
안티몬(Sb)
3.
붕소(B)
4.
알루미늄(Al)
정답: 2번
62. 62. 확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?
1.
캐리어 농도가 큰 쪽에서 작은 쪽으로 이동한다.
2.
온도가 높을수록 충돌 빈도가 커지므로 확산이 어렵다.
3.
열평형이란 전자의 드리프트와 정공의 드리프트 전류가 동시에 발생하는 경우이다.
4.
충돌빈도가 클수록 평균 자유 행정과 평균 속도가 작아져서 확산이 쉽다.
정답: 1번
63. 63. 서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?
1.
트랜지스터 회로의 온도 보상
2.
마이크로파 전력 측정
3.
온도 검출
4.
발진기
정답: 4번
64. 64. 반도체에 관한 내용으로 잘못 짝지워 놓은 것은?
1.
홀발진기 - 자기 효과
2.
열전대 - 지벡 효과
3.
전자냉각 - 펠티어 효과
4.
광전도 셀 - 외부 광전 효과
정답: 4번
65. 65. 일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?
1.
충만대 쪽으로 접근한다.
2.
전도대 쪽으로 접근한다.
3.
금지대 쪽으로 접근한다.
4.
가전자대 쪽으로 접근한다.
정답: 2번
66. 66. 금속 표면에서 전자를 끌어내는 방향으로 전계를 가하면 금속표면의 전위장벽이 낮아진다. 이와 같은 효과는?
1.
홀 효과
2.
펠티어 효과
3.
지벡 효과
4.
쇼트키 효과
정답: 4번
67. 67. pn 접합에 역바이어스 전압을 걸어주면 어떠한 현상이 일어나는가?
1.
이온화가 증가한다.
2.
접합면의 정전용량이 증가된다.
3.
접합면의 장벽전위가 낮아진다.
4.
접합면의 공간 전하용량이 증가한다.
정답: 1번
68. 68. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1.
saturation 현상
2.
break down 현상
3.
thermal runaway 현상
4.
pinch off 현상
정답: 3번
69. 69. 300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV]인가?
1.
0.02
2.
0.08
3.
0.2
4.
0.8
정답: 1번
70. 70. 페르미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
전자의 존재 확률이 0[%]이다.
2.
절대온도 0[K]에서 전자의 최대에너지가 된다.
3.
P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 가까이 위치한다.
4.
n형 반도체의 페르미 준위는 전도대 가까이 위치한다.
정답: 1번
71. 71. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?
1.
40
2.
43
3.
46
4.
49
정답: 4번
72. 72. 열평형 상태에서 PN 접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?
1.
전위 장벽이 없어졌다는 것이다.
2.
접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
3.
접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
4.
접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.
정답: 4번
73. 73. 가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한쌍의 자유 전자의 정공이 생성되는 현상은?
1.
광도전 현상
2.
내부 광전 효과
3.
열생성
4.
확산
정답: 2번
74. 74. 접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?
1.
포화 영역, 활성 영역
2.
활성 영역, 차단 영역
3.
포화 영역, 차단 영역
4.
활성 영역, 역할성 영역
정답: 3번
75. 75. 일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
반도체의 저항이 증가한다.
2.
정공이 전도대로 이전한다.
3.
원자의 에너지가 증가한다.
4.
원자의 에너지가 감소한다.
정답: 3번
76. 76. 다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?
1.
홀 효과(Hole effect)
2.
콤프턴 효과(Compton effect)
3.
에디슨 효과(Edison effect)
4.
광전 효과(Photo electric effect)
정답: 2번
77. 77. PN 접합에서 접촉전위차에 대한 설명 중 옳은 것은?
1.
불순물 농도가 커지면 전위차는 작아진다.
2.
진성캐리어는 농도가 낮을수록 전위차는 높아진다.
3.
온도가 높아지면 전위차도 높아진다.
4.
전계작용에 의해 발생한다.
정답: 2번
78. 78. 어떤 도선에 1[A]의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적을 1[s] 동안에 1[C]의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 수는?
1.
6.25×1018 [개]
2.
12.5×1018 [개]
3.
62.5×1018 [개]
4.
18.75×1018 [개]
정답: 1번
79. 79. 어떤 금속의 전위장벽 높이(E0)가 13.47[eV]이고, 페르미에너지(Ef)가 8.95[eV]일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?
1.
4.52[eV]
2.
9.04[eV]
3.
11.21[eV]
4.
22.42[eV]
정답: 1번
80. 80. 초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
1.
물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
2.
저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
3.
저온에서 격자 진동이 저하하여 결국 저항이 0으로 된다.
4.
전자의 이동도 μ가 전계강도 E의 평방근에 비례한다.
정답: 3번
81. 81. 컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?
1.
Polling
2.
interrupt
3.
Paging
4.
handshaking
정답: 4번
82. 82. 비주얼 베이직(Visual Basic) 기본 문법 설명 중 옳은 것은?
1.
한 행에 복수의 문장을 쓸 수 없다.
2.
변수명과 프로시저 명에는 한글을 사용할 수 없다.
3.
대문자와 소문자를 구분하지 않는다.
4.
컨트롤, 폼, 클래스 및 표준 모듈의 이름에는 한글을 사용할 수 있다.
정답: 3번
83. 83. 주소 공간이 20[bit]이고 각 주소당 저장되는 데이터의 크기가 8[bit]일 때 주기억 장치의 용량은?
1.
1[Mbyte]
2.
2[Mbyte]
3.
3[Mbyte]
4.
4[Mbyte]
정답: 1번
84. 84. 컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?
1.
컴파일(Compile)
2.
프로그램(Program)
3.
알고리즘(algorithm)
4.
프로그래머(Programmer)
정답: 2번
85. 85. MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
2.
맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
3.
2진수의 보수
4.
8진수의 보수
정답: 1번
86. 86. 다음 운영체제(OS)의 구성용소 중 제어 프로그램(Control program)에 포함되지 않는 것은?
1.
Data management program
2.
Job management program
3.
Supervisor program
4.
Service program
정답: 4번
87. 87. 객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 알맞게 만들어진 언어는?
1.
포트란(FORTRAM)
2.
C
3.
자바(java)
4.
SQL
정답: 3번
88. 88. interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?
1.
I/O interrupt
2.
program interrupt
3.
external interrupt
4.
supervisor call interrupt
정답: 3번
89. 89. CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?
1.
ALU(Arithmetic Logic Unit)
2.
IR(Instruction Register)
3.
PC(Program Counter)
4.
MAR(Memory Address Register)
정답: 2번
90. 90. push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?
1.
MBR
2.
queue
3.
stack
4.
cache
정답: 3번
91. 91. 수치적 연산에 관한 설명 중 가장 옳은 것은?
1.
산술적 시프트는 덧셈, 나눗셈에 보조역할을 담당한다.
2.
고정소수점 연산에서 부호-절대치인 경우 음수의 표현이 간편하여 하드웨어적으로도 간편한 이점이 있다.
3.
우측 시프트의 경우 최소 유효 비트가 1이면 범람이 생긴다.
4.
정수 연산에서 1의 보수와 2의 보수 표현은 덧셈과 산술 시프트로 모든 연산이 가능하며, 특히 2의 보수방식이 좋다.
정답: 4번
92. 92. 컴퓨터의 클록 펄스 주기가 5[MHz]이고, 16비트 레지스터를 통해 데이터를 직렬 전송한다면, 순수 데이털의 비트 전송시간과 워드 전송시간은?
1.
0.2[μs], 0.5[μs]
2.
0.2[μs], 3.2[μs]
3.
0.4[μs], 6.4[μs]
4.
0.4[μs], 12.8[μs]
정답: 2번
93. 93. 부동 소수점(floating point) 표현방식에서 정규화하는 이유는?
1.
숫자를 지수형으로 표시하기 위해서
2.
유효숫자를 크게 하기 위해서
3.
소수점을 없애기 위해서
4.
정밀도를 낮추기 위해서
정답: 2번
94. 94. 주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
1.
어소시어티브 매핑(Associative Mapping)
2.
직접 매핑(Direct Mapping)
3.
간접 매핑(Indirect Mapping)
4.
세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)
정답: 3번
95. 95. 다음 중 DRAM의 특징이 아닌 것은?
1.
휘발성 메모리이다.
2.
SRAM보다 액세스 속도가 빠르다.
3.
집적 밀도가 SRAM보다 높다.
4.
재충전 회로가 필요하다.
정답: 2번
96. 96. 2의 보수로 표현되는 수가 A, B 레지스터에 저장되어 있다. A ← A-B 연산을 수행한 후의 A 레지스터는?
1.
00000012
2.
FFFFFF12
3.
000000B0
4.
FFFFFFB0
정답: 2번
97. 97. RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?
1.
RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.
2.
RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행 속도가 느린 단점이 있다.
3.
CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.
4.
CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.
정답: 2번
98. 98. 마이크로컴퓨터에서 isolated I/O 방식과 비교하여 memory-mapped I/O 방식의 특징으로 옳은 것은?
1.
하드웨어가 복잡하다.
2.
기억장치 명령과 입출력 명령을 구별하여 사용한다.
3.
기억장치의 주소 공간이 줄어든다.
4.
입출력 장치들의 주소 공간이 기억장치 주소 공간과 별도로 할당된다.
정답: 3번
99. 99. 다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?
1.
레지스터-메모리 instruction
2.
AC instruction
3.
스택 instruction
4.
메모리-메모리 instruction
정답: 3번
100. 100. 다음 중 순차 논리회로가 아닌 것은?
1.
전가산기(Full Adder)
2.
master-Slave 방식의 JK 플립플롭
3.
8진 UP 카운터(Counter)
4.
4비트 시프트 레지스터
정답: 1번