전자기사
(2014-03-02 기출문제)
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1. 1. 전기 쌍극자에 대한 설명 중 옳은 것은?
1.
반경 방향의 전계성분은 거리의 제곱에 반비례
2.
전체 전계의 세기는 거리의 3승에 반비례
3.
전위는 거리에 반비례
4.
전위는 거리의 3승에 반비례
정답: 2번
2. 2. 간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 Єs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
정답: 3번
3. 3. 공기 중에 있는 지름 2m의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 [C]인가? (단, 공기의 절연내력은 3000[kV/m]이다.)
1.
5.3×10-4
2.
3.33×10-4
3.
2.65×10-4
4.
1.67×10-4
정답: 2번
4. 4. 와전류손(eddy current loss)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
도전율이 클수록 작다.
2.
주파수에 비례한다.
3.
최대자속밀도의 1.6승에 비례한다.
4.
주파수의 제곱에 비례한다.
정답: 4번
5. 5. 방송국 안테나 출력이 W(W)이고 이로부터 진공 중에 r(m) 떨어진 점에서 자계의 세기의 실효치 H는 몇 [A/m]인가?
정답: 2번
6. 6. 평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?
1.
E2=4E1
2.
E2=2E1
3.
E2=E1/4
4.
E2=E1
정답: 3번
7. 7. 단면적 S, 길이 ℓ, 투자율 μ인 자성체의 자기회로에 권선을 N회 감아서 I의 전류를 흐르게 할 때의 자속은?
1.
μSI/Nℓ
2.
μNI/Sℓ
3.
NIℓ/μS
4.
μSNI/ℓ
정답: 4번
8. 8. 손실유전체(일반매질)에서의 고유임피던스는?
정답: 4번
9. 9. 자기 감자율 N=2.5×10-3, 비투자율 μs=100의 막대형 자성체를 자계의 세기 H=500[AT/m]의 평등자계 내에 놓았을 때 자화의 세기는 약 몇 [Wb/m2]인가?
1.
4.98×10-2
2.
6.25×10-2
3.
7.82×10-2
4.
8.72×10-2
정답: 1번
10. 10. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
전류가 흐르고 있는 금속선에 있어서 임의 두 점간의 전위차는 전류에 비례한다.
2.
저항의 단위는 옴(Ω)을 사용한다.
3.
금속선의 저항 R은 길이 ℓ에 반비례한다.
4.
저항률(ρ)의 역수를 도전율이라고 한다.
정답: 3번
11. 11. 전속밀도가 D=e-2y(axsin2x+aycos2x)[C/m2]일 때 전속의 단위 체적당 발산량[C/m3]은?
1.
2e-2ycos2x
2.
4e-2ycos2x
4.
2e-2y(sin2x+cos2x)
정답: 3번
12. 12. x＜0 영역에는 자유공간, x＞0 영역에는 비유전율 Єs=2인 유전체가 있다. 자유공간에서 전 E=10ax가 경계면에 수직으로 입사한 경우 유전체 내의 전속밀도는?
1.
5Є0ax
2.
10Є0ax
3.
15Є0ax
4.
20Є0ax
정답: 2번
13. 13. 평면도체 표면에서 d[m] 거리에 점전하 Q[C]이 있을 때, 이 전하를 무한원점까지 운반하는데 필요한 일[J]은?
정답: 3번
14. 14. 대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?
1.
h2에 비례한다.
2.
h2에 반비례한다.
3.
h에 비례한다.
4.
h에 반비례한다.
정답: 4번
15. 15. 그림과 같이 균일하게 도선을 감은 권수 N, 단면적 S[m2], 평균길이 ℓ[m]인 공심의 환상솔레노이드에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 자기인덕턴스 L[H]의 값은?
정답: 3번
16. 16. 다음 ( ) 안에 들어갈 내용으로 옳은 것은?
1.
㉮ 제곱, ㉯ 제곱
2.
㉮ 제곱, ㉯ 세제곱
3.
㉮ 세제곱, ㉯ 제곱
4.
㉮ 세제곱, ㉯ 제곱
정답: 2번
17. 17. 정전계와 정자계의 대응관계가 성립되는 것은?
1.
divD=ρv → divB=ρm
정답: 3번
18. 18. 반지름 a[m], 단위 길이당 권수 N, 전류 I[A]인 무한 솔레노이드 내부 자계의 세기[A/m]는?
1.
NI
2.
NI/2π
3.
2πNI/a
4.
aNI/2π
정답: 1번
19. 19. 무한장 직선형 도선에 I[A]의 전류가 흐를 경우 도선으로부터 R[m] 떨어진 점의 자속밀도 B[Wb/m2]는?
정답: 1번
20. 20. 자기인덕턴스 L1, L2와 상호인덕턴스 M 사이의 결합계수는? (단, 단위는 H이다.)
정답: 1번
21. 21. 선형 회로망에 가장 관계가 있는 것은?
1.
중첩의 정리
2.
테브난의 정리
3.
키르히호프의 법칙
4.
보상의 정리
정답: 1번
22. 22. 다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?
1.
Z1Z2=R
3.
Z1Z2=R2
정답: 3번
23. 23. "회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다." 이와 관계되는 법칙은?
1.
플레밍의 법칙
2.
렌쯔의 법칙
3.
패러데이의 법칙
4.
키르히호프의 법칙
정답: 4번
24. 24. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때, 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 설명한 것은?
1.
저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
2.
저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
3.
저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
4.
인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.
정답: 1번
25. 25. 다음과 같은 R-C 회로의 구동점 임피던스로 옳은 것은?
정답: 4번
26. 26. 구동점 임피던스에서 영점(zero)은?
1.
전압이 가장 큰 상태이다.
2.
회로를 개방한 상태이다.
3.
회로를 단락한 상태이다.
4.
전류가 흐르지 않는 상태이다.
정답: 3번
27. 27. 그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, 이다.)
정답: 4번
28. 28. 다음과 같은 파형에 대한 라플라스 변환은?
정답: 4번
29. 29. 1[μF]인 정전 용량을 가지는 콘덴서에 실효값1414[V], 주파수 10[kHz], 위상각 0인 전압을가했을 때 순시값 전류는 약 얼마인가?
1.
89 sin(ωt-90°)
2.
89 sin(ωt+90°)
3.
126 sin(ωt-90°)
4.
126 sin(ωt+90°)
정답: 4번
30. 30. 다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?
1.
전압과 전류
2.
단락과 개방
3.
전압원과 전류원
4.
나뭇가지전압과 링크전압
정답: 4번
31. 31. 두 개의 코일 L1과 L2를 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100[mH]이고, 반대방향으로 접속하였더니 합성인덕턴스가 40[mH]이었다. 이 때, L1=60[mH]이면 결합계수 k는 약 얼마인가?
1.
0.5
2.
0.6
3.
0.7
4.
0.8
정답: 2번
32. 32. 다음 중 4단자 파라미터 간의 관계식으로 상반성(reciprocity)과 관계없는 것은?
1.
h12=h21
2.
Y12=Y21
3.
AD-BC=1
4.
Z12=Z21
정답: 1번
33. 33. 그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. 가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
1.
18[H]
2.
26[H]
3.
34[H]
4.
56[H]
정답: 2번
34. 34. 다음 그림에 있어서 e(t)=Em cos ωt의 전원 전압을 인가했을 때 인덕턴스 L에 저축되는 에너지는?
정답: 1번
35. 35. 임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?
정답: 2번
36. 36. 그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임)
1.
1
2.
5
3.
7
4.
15
정답: 2번
37. 37. 다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t=0에서 I=0이다.)
정답: 4번
38. 38. f(t)=1e-at의 라플라스 변환은? (단, a는 상수이다.)
1.
μ(s)-e-as
2.
2S+s/S(S+a)
3.
a/S(S+a)
4.
a/S(S-a)
정답: 3번
39. 39. 2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?
1.
-3
3.
-1, -2
4.
-1, -2, -3
정답: 3번
40. 40. 100[V]에서 250[W]의 전력을 소비하는 저항을 200[V]에 접속하면 소비전력은?
1.
100[W]
2.
250[W]
3.
500[W]
4.
1000[W]
정답: 4번
41. 41. 다음 회로에서 콘덴서 C의 역할은?
1.
중화용
2.
기생진동방지용
3.
상호변조방지용
4.
저주파특성 개선용
정답: 4번
42. 42. 다음의 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 신호 출력 전력은? (단, 입력신호는 정현파이다.)
정답: 2번
43. 43. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 역기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
1.
Early 효과
2.
Miller 효과
3.
Pinchoff 현상
4.
Breakdown 현상
정답: 1번
44. 44. 하틀리(Hartley) 발진기 회로에서 궤환 요소는?
1.
용량
2.
저항
3.
FET
4.
코일
정답: 4번
45. 45. 다음 중 턴-오프 시간(turn-off time)은?
1.
축적시간과 하강시간의 합이다.
2.
상승시간과 지연시간의 합이다.
3.
상승시간과 축적시간의 합이다.
4.
상승시간과 하강시간의 합이다.
정답: 1번
46. 46. 3배 전압기의 입력 전압이 10Vrms일 때 직류 출력의 최대값은 약 몇 [V]인가?
1.
27.9[V]
2.
30.2[V]
3.
32.1[V]
4.
42.4[V]
정답: 4번
47. 47. 10진수 87를 BCD 코드로 변화시킨 것은?
1.
10000111
2.
11111111
3.
01111000
4.
01010111
정답: 1번
48. 48. 트랜지스터의 ha 정수를 측정할 때 필요한 조건은?
1.
출력 단자를 개방시킨다.
2.
출력 단자를 단락시킨다.
3.
입력 단자를 개방시킨다.
4.
입력 단자를 단락시킨다.
정답: 3번
49. 49. h정수 중에서 hie는 무엇을 정의한 것인가?
1.
전류이득
2.
입력 임피던스
3.
출력 어드미턴스
4.
역방향 궤환 전압이득
정답: 2번
50. 50. 트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?
1.
베이스 주행시간에 비례한다.
2.
베이스 폭의 자승에 비례한다.
3.
정공의 확산계수에 반비례한다.
4.
베이스 폭의 자승에 반비례하고 정공의 확산계수에 비례한다.
정답: 4번
51. 51. RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
1.
고역특성이 주로 좋지 않다.
2.
저역특성이 주로 좋지 않다.
3.
중역과 고역특성이 주로 좋지 않다.
4.
저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
정답: 2번
52. 52. 이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100[μA]이고, IB가 1[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA]인가?
1.
109[mA]
2.
120[mA]
3.
137[mA]
4.
154[mA]
정답: 1번
53. 53. 다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가?
1.
Ri=42[kΩ], Ro=10[Ω]
2.
Ri=30[Ω], Ro=102[kΩ]
3.
Ri=102[kΩ], Ro=30[Ω]
4.
Ri=10[Ω], Ro=42[kΩ]
정답: 3번
54. 54. 일반적인 궤환회로에서의 전압증폭도를 라고 하면 이 때 부궤환 작용을 할 수 있는 조건은? (단, A는 궤환이 일어나지 않을 때의 이득이다.)
1.
Aβ=1
2.
|1-Aβ|＞1
3.
|1-Aβ|＜1
4.
Aβ=∞
정답: 2번
55. 55. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1.
A/D 변환기
2.
D/A 변환기
3.
슈미트 트리거
4.
멀티바이브레이터
정답: 3번
56. 56. 다음 회로에서 Re의 주 역할은?
1.
출력증대
2.
동작점의 안정화
3.
바이어스 전압감소
4.
주파수 대역폭 증대
정답: 2번
57. 57. 다음 그림은 연산증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?
1.
-5[V]
2.
-6[V]
3.
-7[V]
4.
-8[V]
정답: 3번
58. 58. 그림의 연산증폭기에서 입력 Vi=-V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
정답: 4번
59. 59. 다음과 같은 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)
1.
정형파형
2.
구형파형
3.
톱니파형
4.
램프파형
정답: 2번
60. 60. 어떤 증폭회로에서 무궤환시 전압 증폭도가 100이다. 이 증폭기에 궤환율 β=-40[dB]인 부궤환을 걸었을 때 전압이득은?
1.
10
2.
25
3.
50
4.
75
정답: 3번
61. 61. 정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6[s]일 때 확산 길이(mean free path)는?
1.
3.7×10-5[m]
2.
3.7×10-4[m]
3.
7.4×10-5[m]
4.
7.4×10-4[m]
정답: 3번
62. 62. 최외각 궤도는 전자로 완전히 채워져 있으며, 금지대의 폭이 5[eV] 이상인 물질은?
1.
도체
2.
홀소자
3.
반도체
4.
절연체
정답: 4번
63. 63. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?
1.
Sommerfeld 분포 함수
2.
Fermi-Dirac 분포 함수
3.
Bose-Einstein 분포 함수
4.
Maxwell-Boltzmann 분포 함수
정답: 3번
64. 64. N형 반도체를 만들기 위해서는 진성 반도체에 어떤 불순물을 도핑해야 하는가?
1.
B
2.
Ga
3.
In
4.
P
정답: 4번
65. 65. 전계의 세기 E=105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
1.
1600[m/s2]
2.
1.602×10-14[m/s2]
3.
5.93×105[m/s2]
4.
1.75×1016[m/s2]
정답: 4번
66. 66. 다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?
1.
확산(Diffusion)
2.
산란(Scattering)
3.
드리프트(Drift)운동
4.
격자간격
정답: 3번
67. 67. 펀치슬루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
베이스 중성영역이 없는 상태이다.
2.
컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
3.
베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치슬루 현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
4.
회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.
정답: 3번
68. 68. 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?
1.
자속밀도
2.
전자의 전하
3.
전자의 질량
4.
전자의 속도
정답: 4번
69. 69. 열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
고온으로 가열하면 전자가 튀어나오는 현상이다.
2.
열전자 방사량은 금속의 절대온도에 비례한다.
3.
열전자 방사량은 열음극의 일함수와 관계가 있다.
4.
열전자 방출에 의해 schottky 효과가 발생한다.
정답: 2번
70. 70. 전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?
1.
0이 된다.
2.
무한대가 된다.
3.
정지 질량과 같다.
4.
정지 질량보다 감소한다.
정답: 2번
71. 71. 한 금속 표면에 6500[Å] 미만의 파장을 갖는 빛을 조사하였을 경우에만 광전자가 튀어 나왔다면 이 금속의 일함수는 약 얼마인가?
1.
1.3[eV]
2.
1.9[eV]
3.
2.7[eV]
4.
4.2[eV]
정답: 2번
72. 72. PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때의 특징이 아닌 것은?
1.
전장이 약해진다.
2.
전위장벽이 높아진다.
3.
공간저하 영역의 폭이 좁아진다.
4.
다수 캐리어에 의한 확산 전류는 증대된다.
정답: 2번
73. 73. 접합트랜지스터에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, )
정답: 2번
74. 74. PN접합 다이오드의 역포화 전류를 감소하기 위한 필요조건에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
저항률을 높인다.
2.
접합 면적을 적게 한다.
3.
다수캐리어의 밀도를 높인다.
4.
소수캐리어의 밀도를 줄인다.
정답: 1번
75. 75. 도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 EH, 전류밀도 J 및 자계 B 사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)
1.
EH=RH∙B∙J
2.
EH=RH∙B/J
3.
EH=RH∙J/B
4.
EH=RH/B∙H
정답: 1번
76. 76. 1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])
1.
6.24×1014
2.
6.24×1016
3.
6.24×1018
4.
6.24×1020
정답: 3번
77. 77. 진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.25[eV]이다.)
1.
4.52[J]
2.
18.127×10-18[J]
3.
11.602×10-19[J]
4.
7.24×10-19[J]
정답: 4번
78. 78. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1.
채널의 폭에 비례한다.
2.
재료의 비유전율에 반비례한다.
3.
채널 부분의 도핑 밀도에 비례한다.
4.
드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
정답: 1번
79. 79. 진성반도체의 페르미 준위는?
1.
온도에 따라 변화하지 않는다.
2.
온도가 감소하면 전도대로 향한다.
3.
온도가 감소하면 충만대로 향한다.
4.
온도가 감소하면 가전대로 향한다.
정답: 1번
80. 80. 금속표면에 매우 높은 주파수의 빛을 가하였더니 표면으로부터 전자가 방출되었다. 이런 현상은?
1.
콤프턴효과(Compton Effect)
2.
광학효과(Optical Effect)
3.
광전효과(Photoelectric Effect)
4.
애벌런치효과(Avalanche Effect)
정답: 3번
81. 81. 단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?
1.
MOVE 연산
2.
Complement 연산
3.
Shift 연산
4.
OR 연산
정답: 4번
82. 82. 16×8 ROM을 설계하고자 할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
1.
AND 8개, OR 8개
2.
AND 8개, OR 16개
3.
AND 16개, OR 8개
4.
AND 16개, OR 16개
정답: 3번
83. 83. 주기억장치의 용량이 512[KB]인 컴퓨터에서 32비트의 가상주소를 사용하는데, 페이지의 크기가 1K워드이고 1워드가 4바이트라면 주기억장치의 페이지 수는?
1.
32개
2.
64개
3.
128개
4.
512개
정답: 3번
84. 84. 컴퓨터 시스템에서 캐시메모리의 접근시간은 100[nsec], 주기억장치의 접근시간은 1000[nsec]이며, 히트율이 0.9인 경우의 평균접근시간은?
1.
90[nsec]
2.
200[nsec]
3.
550[nsec]
4.
910[nsec]
정답: 2번
85. 85. 레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?
1.
Complement
2.
Rotate
3.
Shift
4.
Move
정답: 3번
86. 86. 서브루틴(subroutine) 호출 처리 작업시 복귀주소를 저장하고 조회하는 용도에 적합한 자료구조는?
1.
힙
2.
큐
3.
스택
4.
연결 리스트
정답: 3번
87. 87. 흐름도(Flow Chart)의 필요성으로 거리가 먼 것은?
1.
프로그램의 흐름을 이해하기 쉽다.
2.
프로그램을 수정하기 쉽다.
3.
프로그램의 코딩이 쉽다.
4.
프로그램의 길이를 조절할 수 있다.
정답: 4번
88. 88. CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?
1.
IR
2.
PC
3.
MBR
4.
AC
정답: 3번
89. 89. 스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
1.
0-주소 형식
2.
1-주소 형식
3.
2-주소 형식
4.
3-주소 형식
정답: 1번
90. 90. 프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
1.
레지스터 모드
2.
간접번지 모드
3.
상대번지 모드
4.
인덱스 어드레싱 모드
정답: 3번
91. 91. 프로그램이 정상적으로 실행되다가 어떤 명령어에 의해 실행 목적을 바꾸는 명령을 무엇이라 하는가?
1.
시프트(Shift)
2.
피드백(Feed back)
3.
브랜칭(Branching)
4.
인터럽트(Interrupt)
정답: 3번
92. 92. C언어에서 for문이 무한반복을 실행하는 도중에 빠져 나오기 위한 명령어는?
1.
break
2.
while
3.
if
4.
default
정답: 1번
93. 93. 다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)
1.
R1 ← B
3.
R3 ← R2+1, R4 ← A
4.
R4 ← R3+R4
정답: 2번
94. 94. 모든 처리장치(Processing element : PE)들이 하나의 제어 유닛(Control unit : CU)의 통제하에 동기적으로 동작하는 시스템은?
1.
배열처리기(Array processor)
2.
다중처리기(Multiple processor)
3.
병렬처리기(Parallel processor)
4.
파이프라인 처리(Pipeline processor)
정답: 1번
95. 95. 시프트레지스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1.
시프트레지스터의 가능한 입출력 방식에는 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력이 있다.
2.
n 비트 시프트레지스터는 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성되어 있다.
3.
레지스터는 왼쪽 시프트, 오른쪽 시프트 중에 하나일 수 있고, 둘을 겸할 수도 있다.
4.
시프트레지스터를 왼쪽으로 한번 시프트하면 2로 나눈 결과가 되고 오른쪽으로 한번 시프트하면 2로 곱한 결과가 된다.
정답: 4번
96. 96. 패리티 비트에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
256가지의 서로 다른 문자를 나타낼 수 있다.
2.
정보교환의 단위에 여유를 두기 위한 방법이다.
3.
10진 숫자에 3을 더하여 체크한다.
4.
데이터 전송시 발생하는 오류를 검색하는데 사용된다.
정답: 4번
97. 97. 언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
1.
assembler
2.
interpreter
3.
compiler
4.
linkage editor
정답: 4번
98. 98. 상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?
1.
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 주소이다.
2.
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 가리키는 포인터의 주소이다.
3.
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 연산에 사용할 실제 데이터이다.
4.
프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다.
정답: 4번
99. 99. 중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?
1.
기억기능 : 레지스터(register)
2.
연산기능 : 연산기(ALU)
3.
전달기능 : 누산기(accumulator)
4.
제어기능 : 조합회로와 기억소자
정답: 3번
100. 100. 입출력 제어기(Input Output Controller) 기능에 해당되지 않는 것은?
1.
기억 장치에 접근 요청기능
2.
자료 입출력이 완료되었을 때 중앙처리장치에 보고 기능
3.
입출력 중 어느 동작을 수행하는가를 나타내는 기능
4.
자료이동과 통신을 수행하는 기능
정답: 4번