전자기사
(2018-09-15 기출문제)
1 / 100
1. 1. 자계의 세기를 표시하는 단위와 관계 없는 것은?
1.
A/m
2.
N/Wb
3.
Wb/h
4.
Wb/H·m
정답: 3번
2. 2. 질량 m=5×10-10[kg]이고, 전하량 q=2.5×10-8[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도를 a=103i +102j 라 하면 전장은?
1.
E = i + 10j
2.
E = 20i + 2j
3.
E = 15i + 10j
4.
E = 10-2i + 10-7j
정답: 2번
3. 3. 두 종류의 유전율(ε1, ε2)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ1, θ2는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E1, E2가 이루는 각이다.)
1.
E1sinθ1=E2sinθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
2.
E1cosθ1=E2cosθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
3.
E1sinθ1=E2sinθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
4.
E1cosθ1=E2cosθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
정답: 3번
4. 4. 자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
투자율에 반비례한다.
2.
자기회로의 단면적에 비례한다.
3.
자기회로의 길이에 반비례한다.
4.
단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다.
정답: 1번
5. 5. 높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?
1.
도전율 관계임
2.
유전율 관계임
3.
투자율 관계임
4.
분극률 관계임
정답: 1번
6. 6. 스토크스(Stokes)의 정리를 표시하는 일반식은?
정답: 3번
7. 7. 평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2 사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?
1.
E2 = E1
2.
E2 = 2E1
3.
E2 = 4E1
4.
E2 = E1 / 4
정답: 4번
8. 8. 코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10A 변화할 때 코일 B에 10V의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?
1.
1/0.3
2.
1/3
3.
1/30
4.
1/300
정답: 3번
9. 9. 전계 E(V/m)가 두 유전체의 경계면에 평행으로 작용하는 경우 경계면의 단위면적당 작용하는 힘은 몇 N/m2 인가? (단, ε1, ε2는 두 유전체의 유전율이다.)
1.
f = E2(ε1-ε2)
2.
4.
정답: 3번
10. 10. 자기 벡터포텐셜 (Wb/m) 일 때, , 1 ＜ ρ ＜ 2m, 0 ＜ Z ＜ 5m 표면을 통과하는 전 자속은 몇 Wb 인가?
1.
2.75
2.
3.25
3.
3.75
4.
4.25
정답: 3번
11. 11. 반지름 a(m), 권수 N, 길이 ℓ(m)인 무한히 긴 공심 솔레노이드의 인덕턴스는 몇 H 인가?
정답: 4번
12. 12. 자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3ax-6ay+2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Ei의 크기는 몇 [V/m] 인가?
1.
En = 2, Ei = 3
2.
En = 7, Ei = 0
3.
En = -6, Ei = 0
4.
En = 3, Ei = -6
정답: 2번
13. 13. 도체 내에서 변위전류의 영향을 무시할 수 있는 조건은? (단, K : 도전도(導電度) 또는 도전율, ε : 유전율, f : 교번 전자계의 주파수이다.)
정답: 1번
14. 14. 공기 중의 원점의 점전하에서 0.5m, 2m 거리의 전위가 각각 30V, 15V일 때 1m 거리인 점의 전위는 몇 V 인가?
1.
15
2.
17.5
3.
20
4.
22.5
정답: 3번
15. 15. 전기력선의 성질에 대한 설명 중 옳은 것은?
1.
전기력선은 등전위면과 평행하다.
2.
전기력선은 도체 표면과 직교한다.
3.
전기력선은 도체 내부에 존재할 수 있다.
4.
전기력선은 전위가 낮은 점에서 높은 점으로 향한다.
정답: 2번
16. 16. 같은 방향의 전류가 흐르는 두 무한 직선 전류가 일정한 거리 떨어져 있을 때 한 무한 직선 전류에 의해 작용되는 다른 무한직선 전류의 전자력은?
1.
두 무한 직선전류의 방향으로 작용한다.
2.
두 무한 직선전류와 수직방향이며 흡인력이다.
3.
두 무한 직선전류간의 거리에 반비례하며 반발력이다.
4.
두 무한 직선전류의 곱에 비례하고 거리의 제곱에 반비례한다.
정답: 2번
17. 17. 전장이 E=ix2+jy2로 주어질 때 전력선의 궤적 방정식을 나타내는 식은? (단, C는 상수이다.)
1.
y = Cx
2.
y = Clnx
정답: 4번
18. 18. 반지름 a(m)의 원주도체(투자율 μ) 내부에 균일하게 전류 I(A)가 흐를 때 도체의 단위길이에 저장되는 내부 에너지는 몇 J/m 인가?
1.
μI2 / 8π
2.
μaI2 / 8π
3.
μI2 / 16π
4.
μaI2 / 16π
정답: 3번
19. 19. 대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?
1.
h에 비례한다.
2.
h2에 비례한다.
3.
h에 반비례한다.
4.
h2에 반비례한다.
정답: 3번
20. 20. 히스테리시스 곡선의 기울기는 다음의 어떤 값에 해당하는가?
1.
투자율
2.
유전율
3.
자화율
4.
감자율
정답: 1번
21. 21. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
정답: 3번
22. 22. 교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?
2.
L = CR1R2
정답: 2번
23. 23. 그림의 회로에서 일정 전압(E)에 대해서 L을 변화시킬 때 선로 전류 (I)는 일 경우 어떻게 되는가?
1.
최대가 된다.
2.
최소가 된다.
3.
지수 함수 형태가 된다.
4.
변하지 않는다.
정답: 2번
24. 24. 지수함수 e-at의 라플라스 변환은?
1.
1 / (S+a)
2.
1 / (S-a)
3.
S + a
4.
S - a
정답: 1번
25. 25. 테브난의 정리와 쌍대의 관계가 있는 것은?
1.
밀만의 정리
2.
중첩의 정리
3.
노튼의 정리
4.
상사 정리
정답: 3번
26. 26. 그림과 같은 T형 회로에서 단자 1-1' 측에서 바라본 개방 임피던스(Z1O) 및 단락 임피던스(Z1S)를 구하면 각각 몇 Ω 인가?
1.
Z1O=1000, Z1S=51
2.
Z1O=100, Z1S=500
3.
Z1O=1000, Z1S=36
4.
Z1O=1000, Z1S=510
정답: 4번
27. 27. RL 및 RC 회로의 과도 상태에 관한 설명 중 틀린 것은?
1.
t=0 일 때 C는 단락 상태가 된다.
2.
시정수가 크면 정상 상태에 빨리 도달한다.
3.
t=0 일 때 L은 개방 상태가 된다.
4.
변화하지 않는 저항만의 회로에서는 과도현상이 없다.
정답: 2번
28. 28. 선형 회로망에서 단자 a, b 간에 200V의 전압을 가할 때 c, d에 흐르는 전류가 10A이었다. 반대로 같은 회로에서 c, d간에 100V를 가하면 a, b에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
1.
2.5
2.
15
3.
10
4.
5
정답: 4번
29. 29. 그림과 같은 회로의 입력 전압의 위상은 출력 전압의 위상에 비해 어떻게 되는가?
1.
앞선다.
2.
뒤진다.
3.
같다.
4.
앞설 수도 있고 뒤질 수도 있다.
정답: 1번
30. 30. 하이브리드 h파라미터 중 V1=h11I1+h12V2, I2=h21I1+h22V2가 주어졌을 때 단락 순방향 전류 이득은?
정답: 3번
31. 31. 다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 테브난 등가저항의 크기는?
1.
3Ω
2.
5Ω
3.
8Ω
4.
12Ω
정답: 3번
32. 32. 정현파 전압이 인가된 회로의 일부에 Z1, Z2가 직렬로 연결되어 있을 때 교류 전압계로서 Z1, Z2 각각의 양단 전압을 측정하였더니 둘 다 100V 이고, Z1, Z2 전체의 양단 전압이 0V 이면 다음 설명 중 옳은 것은?
1.
Z1, Z2 모두 R이다.
2.
Z1, Z2중 하나는 C, 또 하나는 R일 것이다.
3.
Z1, Z2 중 하나는 L, 또 하나는 R일 것이다.
4.
Z1, Z2 중 하나는 C, 또 하나는 L일 것이다.
정답: 4번
33. 33. 의 최종치 정리의 결과값은?
1.
4
2.
2
3.
1
정답: 3번
34. 34. 상수 A를 푸리에 변환(Fourier Transform)하면?
2.
1
3.
2πAδ(w)
4.
Aδ(w)
정답: 3번
35. 35. 기본파의 30%인 제2고조파와 20%인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?
1.
0.24
2.
0.28
3.
0.32
4.
0.36
정답: 4번
36. 36. 저항 3Ω, 유도 리액턴스 4Ω의 직렬회로에 60Hz의 정현파 전압 180V를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?
1.
26A
2.
36A
3.
45A
4.
60A
정답: 2번
37. 37. 정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류 했을 때의 평균값은?
1.
Vm / π
2.
Vm / √2
3.
Vm / 2
4.
2Vm / π
정답: 1번
38. 38. RLC 직렬 회로에서 페이저도(phasor diagram)는?
정답: 3번
39. 39. 회로에서 결합계수가 K일 때 상호인덕턴스 M은?
3.
M = KL1L2
정답: 1번
40. 40. 그림과 같은 페이저(phasor)도가 있을 때 등가 임피던스를 구하면?
1.
38.3 + j30.4
2.
28.3 + j28.3
3.
20.5 + j20.5
4.
61.3 + j57.8
정답: 2번
41. 41. 전압 증폭기에서 A가 기본 증폭회로의 이득이고, β가 귀환회로의 이득일 때, 전압이득이 증가되는 조건은?
1.
| 1-βA | = 0
2.
| 1-βA | ＜ 0
3.
| 1-βA | ＞ 0
4.
| 1-βA | ＜ 1
정답: 4번
42. 42. 변압기의 1차 전압(Vin)이 100Vrms이고, 입력과 출력의 권선비가 10:1일 때, 브리지 정류기에 사용되는 정류다이오드의 최대 역 전압(PIV)은 몇 V 인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
1.
9.3
2.
8.4
3.
13.44
4.
12.74
정답: 3번
43. 43. 다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?
1.
-3.3V ~ +3.3V
2.
-4.4V ~ +4.4V
3.
-5.5V ~ +5.5V
4.
-6.6V ~ +6.6V
정답: 2번
44. 44. 다음 중 발진회로에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?
1.
발진회로는 정귀환 회로로 이루어져 있다.
2.
발진조건은 귀환율 β=1 이다.
3.
위상 변위(phase-shift) 발진기의 귀환 회로는 출력신호의 위상이 180도 변위가 일어나도록 구성되어 있다.
4.
발진이 잘 일어나게 하기 위해서는 개방 루프 이득(open loop gain)을 이론치보다 약간 높게 설정한다.
정답: 2번
45. 45. 발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?
1.
항온조 시설을 한다.
2.
정전압 회로를 설치한다.
3.
주파수 체배기를 사용한다.
4.
온도 보상용 부품을 사용한다.
정답: 3번
46. 46. 그림의 회로에서 R1, R2, R3, Rf가 각각 2kΩ, 3kΩ, 1kΩ, 9kΩ 일 때, 중첩의 원리를 사용하여 출력전압(VO)을 구하면?
1.
VO = 3v1+2v2
2.
VO = 2v1+3v2
3.
VO = 6v1+4v2
4.
VO = 4v1+6v2
정답: 3번
47. 47. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2kV, 400mA 이고, 효율은 80%일 때 부하에서 나타나는 전력은?
1.
640W
2.
600W
3.
480W
4.
320W
정답: 1번
48. 48. 트랜지스터의 직류증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
1.
hre의 온도변화
2.
hfe의 온도변화
3.
VBE의 온도변화
4.
ICO의 온도변화
정답: 1번
49. 49. RC 결합 소신호 증폭기에서, 고역 주파수 응답을 구하는 식으로 옳은 것은? (단, 중역이득은 Am이고, 고역차단 주파수는 fh이다.)
정답: 2번
50. 50. 단위 이득 주파수(fT)가 260MHz인 트랜지스터가 중간 영역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?
1.
2.7MHz
2.
3.5MHz
3.
5.2MHz
4.
25.4MHz
정답: 3번
51. 51. 베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(αo)과 차단 주파수(fo)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동작할 때 전류 증폭율(α)은?
1.
0.642
2.
0.434
3.
0.542
4.
0.145
정답: 2번
52. 52. 다이오드와 커패시터를 사용하여 입력전압의 2배, 3배, 4배로 증가시키는 회로는?
1.
클리퍼 회로
2.
클램퍼 회로
3.
체배기 회로
4.
적분기 회로
정답: 3번
53. 53. 다음 회로에 vi=100sinwt의 입력이 가해질 경우 출력파형의 형태와 최대치 전압으로 가장 적합한 것은? (단, D1, D2는 이상적인 다이오드이다.)
1.
정현파, 약 10V
2.
구형파, 약 10V
3.
정현파, 약 40V
4.
구형파, 약 40V
정답: 4번
54. 54. 다음 중 플립플롭과 같은 기능을 가지는 회로는?
1.
무안정 멀티바이브레이터
2.
슈미트 트리거
3.
쌍안정 멀티바이브레이터
4.
단안정 멀티바이브레이터
정답: 3번
55. 55. 빈 브리지 발진기에서 R=3.3kΩ, C=5nF일 때 발진 주파수는 몇 kHz 인가?
1.
9.65
2.
8.54
3.
6.53
4.
10.56
정답: 1번
56. 56. 베이스 변조와 비교한 컬렉터 변조의 특징으로 적합하지 않은 것은?
1.
조정이 어렵다.
2.
변조효율이 좋다.
3.
대전력 송신기에 적합하다.
4.
높은 변조도에서 일그러짐이 적다.
정답: 1번
57. 57. 다음 회로는 한 쌍의 이미터 폴로어가 직렬로 연결된 달링턴 증폭기이다. 전압이득은 1에 근사한 값인데 달링턴 증폭기가 많이 사용되는 이유는?
1.
입력 임피던스가 높고 출력 임피던스도 높기 때문
2.
입력 임피던스는 높고 출력 임피던스는 낮기 때문
3.
입력 임피던스는 낮고 출력 임피던스는 높기 때문
4.
입력 임피던스가 낮고 출력 임피던스도 낮기 때문
정답: 2번
58. 58. 다음과 같은 클램프(Clamp)회로의 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드는 이상적이고, RC의 시정수는 대단히 크다.)
정답: 3번
59. 59. 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 출력 전압의 파형은?
1.
구형파
2.
정현파
3.
삼각파
4.
스텝파
정답: 1번
60. 60. 전원 정류 회로의 리플 함유율을 작아지게 하는 방법으로서 가장 적당한 것은?
1.
출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.
2.
출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.
3.
입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.
4.
입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.
정답: 1번
61. 61. Ge과 비교하였을 때, Si의 장점이 아닌 것은?
1.
이동도(mobility)가 크다.
2.
안정된 SiO2을 만들 수 있다.
3.
금지대(forbidden gap)가 크기 때문에 온도 특성이 우수하다.
4.
선택된 작은 부분에서 불순물의 농도를 조절할 수 있다.
정답: 1번
62. 62. 열전자 방출현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?
1.
Einstein의 관계식
2.
Langmuir-Child의 관계식
3.
Richardson-Dushmann의 관계식
4.
Schottky의 관계식
정답: 3번
63. 63. 광전자 방출에 관한 특징과 거리가 먼 것은?
1.
방출전자의 개수는 빛의 세기에 비례한다.
2.
방출전자의 초속도는 빛의 세기에 의하여 변화된다.
3.
빛을 조사한 즉시 전자가 방출한다.
4.
방출전자의 개수 및 속도는 광범한 온도 범위에서 온도와 관계없이 일정하다.
정답: 2번
64. 64. 전자의 수가 33인 원자의 가전자 수는?
1.
2개
2.
3개
3.
4개
4.
5개
정답: 4번
65. 65. 어떤 물질에 일정한 진동수의 X선을 비추면 그 물질에 의해 산란된 X선 중에서 입사 X선보다 파장이 긴 X선 성분이 포함되는 현상을 무엇이라고 하는가?
1.
광전효과
2.
초전효과
3.
콤프턴효과
4.
기전효과
정답: 3번
66. 66. pn 접합이 충분히 역바이어스 되어있는 경우 접합용량(junction capacitance)과 역바이어스 전압(V)과의 관계로 옳은 것은?
정답: 1번
67. 67. 광전자 방출 현상에서 방출된 전자의 운동에너지(Ek)는 다음과 같이 표시된다. 여기서 Ew는 무엇을 의미 하는가? (단, ν는 광자의 주파수, h는 프랭크(plank) 상수이다.)
1.
광전물질의 일함수
2.
광자의 충돌 에너지
3.
광전물질의 열에너지
4.
광전물질 내부의 전자 에너지
정답: 1번
68. 68. 반도체의 자유전자는 전도대에 있고, 결합전자는 가전자대에 있을 경우 틀리게 설명한 것은?
1.
정공은 가전자대에만 있다.
2.
정공은 주로 전도대에 있다.
3.
가전자대는 거의 충만 되어 있다.
4.
전도대로 전이된 전자는 가전자대에 정공을 만든다.
정답: 2번
69. 69. 27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1eV 상위 및 하위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, 볼츠만의 상수(k)는 1.38×10-23 [J/K]이다.)
1.
상위 : 0.01, 하위 : 0.99
2.
상위 : 0.02, 하위 : 0.98
3.
상위 : 0.09, 하위 : 0.91
4.
상위 : 0.10, 하위 : 0.90
정답: 2번
70. 70. 양자역학의 보어(Bohr) 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은? (단, 주양자수는 n이다.)
1.
n에 비례한다.
2.
n2에 비례한다.
3.
1/n 에 비례한다.
4.
1/n2 에 비례한다.
정답: 2번
71. 71. 서미스터(Thermistor) 소자에 관한 설명 중 틀린 것은?
1.
반도체로 만들어진다.
2.
저항 온도계수가 항상 +(양)의 값이다.
3.
온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.
4.
온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상 등에 사용된다.
정답: 2번
72. 72. 반도체에 관한 효과에 따른 용도가 틀리게 짝지어진 것은?
1.
자기 효과 : 홀소자
2.
제베크 효과 : 열전대
3.
펠티에 효과 : 전자냉각
4.
외부 광전 효과 : 광전도 셀
정답: 4번
73. 73. 열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(po)와 전도대 전자농도(no)를 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?
1.
온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
2.
온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
3.
불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
4.
불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
정답: 2번
74. 74. MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?
1.
입력 임피던스가 크다.
2.
저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
3.
제작이 간편하고, IC화하기에 적합하다.
4.
사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.
정답: 4번
75. 75. 진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?
1.
n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
2.
n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
3.
n은 Eg에 반비례한다.
4.
n은 Eg에 비례한다.
정답: 2번
76. 76. 접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?
1.
hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.
2.
hFE는 베이스 폭에 비례한다.
3.
hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.
4.
hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.
정답: 2번
77. 77. 전계에 의하여 일함수가 작아져 열전자 방출이 쉬워지는 효과는?
1.
쇼트키(Schottky) 효과
2.
펠티에(Peltier) 효과
3.
제벡(Seebeck) 효과
4.
홀(Hall) 효과
정답: 1번
78. 78. 진공 속의 알루미늄(Al) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 필요한 최소에너지는 얼마인가? (단, 알루미늄의 일함수는 4.08eV이다.)
1.
4.08[J]
2.
2.55×10-19[J]
3.
6.53×10-19[J]
4.
2.70×10-33[J]
정답: 3번
79. 79. pn 접합에 관한 설명으로 가장 적합한 것은?
1.
p형 반도체와 n형 반도체를 접촉하여 만든 것이다.
2.
한 개의 단 결정에 억셉터와 도너 불순물을 혼합하여 만든 것이다.
3.
단결정 반도체 내에서 도너 불순물이 많은 영역과 억셉터 불순물이 많은 영역이 접합되어 있는 것이다.
4.
별개의 단결정체에 억셉터 불순물과 도너 불순물을 도핑하여 만든 것을 접촉한 것이다.
정답: 3번
80. 80. 가전자대의 전자밀도가 1025[m-3 ]인 금속에 전류밀도가 107[A/m2 ]인 전류가 흐르면, 이때의 드리프트 속도는 몇 m/s 인가?
1.
0.31
2.
6.25
3.
31.00
4.
62.50
정답: 2번
81. 81. MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
1.
맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
2.
맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
3.
2진수의 보수
4.
8진수의 보수
정답: 1번
82. 82. 다음 순서도 기호의 기능은?
1.
처리
2.
시작과 끝
3.
반복
4.
비교·판단
정답: 4번
83. 83. 캐시메모리의 적중(Hit)률이 0.9, 캐시메모리 접근시간이 50ns, 주기억장치 접근시간이 400ns일 때, 평균 기억장치 접근시간은 얼마인가? (단, 캐시 적중여부 판별에 소요되는 시간은 무시한다.)
1.
120ns
2.
85ns
3.
67.5ns
4.
53.5ns
정답: 2번
84. 84. n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 옳게 나타낸 것은?
1.
-2n ~ 2n-1
2.
-2n-1 ~ 2n-1
3.
-2n-1 ~ (2n-1-1)
4.
-(2n-1-1) ~ (2n-1-1)
정답: 3번
85. 85. 2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?
1.
고정소수점(fixed point) 표현 방식보다 수를 표현할 수 있는 범위가 넓다.
2.
지수(exponent)를 사용하여 소수점의 범위를 넓게 이동시킬 수 있다.
3.
소수점 이하의 수를 나타내는 가수(mantissa)의 비트수가 늘어나면 정밀도가 증가한다.
4.
IEEE 754 부동소수점 표준 중 64비트 복수 정밀도 형식은 32비트 지수를 가진다.
정답: 4번
86. 86. 1비트의 전가산기는 3개의 입력 A, B, Ci 와 2개의 출력 Sum, Cout로 구성된다. A=0, B=1, Ci=0일 때 출력의 값은?
1.
Sum=0, Cout=0
2.
Sum=0, Cout=1
3.
Sum=1, Cout=0
4.
Sum=1, Cout=1
정답: 3번
87. 87. 한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?
1.
간접 주소지정방식
2.
직접 주소지정방식
3.
상대 주소지정방식
4.
인덱스 주소지정방식
정답: 1번
88. 88. 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
1.
compiler
2.
assembler
3.
interpreter
4.
micro-assembler
정답: 3번
89. 89. push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?
1.
MBR
2.
queue
3.
stack
4.
cache
정답: 3번
90. 90. JK 플립플롭에서 J=1, K=0으로 입력될 때 Q(t+1) 상태는?
1.
먼저 내용에 대한 complement로 된다.
2.
먼저 내용이 그대로 남는다.
3.
1로 변한다.
4.
0으로 변한다.
정답: 3번
91. 91. 프로그램 카운터가 명령의 주소 부분과 더해져서 유효 주소가 결정되는 주소지정 방식은?
1.
절대주소지정방식
2.
직접주소지정방식
3.
상대주소지정방식
4.
간접주소지정방식
정답: 3번
92. 92. 다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?
1.
자료가 기억된 장소에 직접 혹은 간접으로 사상시킬 수 있는 주소가 기억된 장소에 사상시키는 주소
2.
주소에 상수 또는 레지스터에 기억된 주소의 일부분을 계산 또는 접속시켜서 사상시키는 주소
3.
명령어 내에 가지고 있는 데이터를 계산한 자료자신에 대하여 사상시키는 주소
4.
자료가 기억된 장소에 직접 사상시킬 수 있는 주소
정답: 3번
93. 93. 다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?
1.
6
2.
5
3.
4
4.
2
정답: 3번
94. 94. 다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?
1.
즉치(immediate) 주소지정
2.
오퍼랜드 주소지정
3.
레지스터 주소지정
4.
인덱스 주소지정
정답: 2번
95. 95. 기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성요소가 아닌 것은?
1.
연산부(ALU)
2.
제어부(control unit)
3.
주소 버스(address bus)
4.
레지스터부(registers)
정답: 3번
96. 96. LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?
1.
플라즈마(Plasma)
2.
CRT(Cathode Ray Tube)
3.
TFT(Thin Film Transistor)
4.
HGC(Hercules Graphic Card)
정답: 3번
97. 97. T형 플립플롭을 사용하여 5단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?
1.
5개
2.
16개
3.
32개
4.
64개
정답: 3번
98. 98. 범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합하거나 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시 프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 정비한 것은?
1.
Problem State
2.
PSW(Program Status Word)
3.
Interrupt
4.
Program library
정답: 4번
99. 99. 어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 가장 관계없는 것은?
1.
label
2.
mnemonic
3.
operand
4.
procedure
정답: 4번
100. 100. 4비트 데이터를 1의 보수로 표현할 수 있는 수의 범위는?
1.
-7 ~ +7
2.
-8 ~ +7
3.
-7 ~ +8
4.
-8 ~ +8
정답: 1번