반도체설계산업기사
(2011-10-02 기출문제 - 하나씩 풀이)
총 80문제
답안 완료: 0문제
1. PN 접합의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
금지대 폭이 큰 반도체일수록 항복 전압이 낮다.
2.
포화전류가 흐르도록 하는 바이어스 방향은 순방향 바이어스이다.
3.
N 영역이 음(-)이 되도록 외부 전압을 인가하면 포화전류가 흐른다.
4.
역방향 전압을 점점 증가시켜 가면 어느 임계전압에서 전류가 급증하게 되는데 이 현상을 항복 현상이라고 한다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
2. PNP 트랜지스터가 활성영역에서 동작하는 경우는?
정답을 선택하세요
1.
컬렉터-베이스, 이미터-베이스 접합이 모두 순방향 바이어스 상태
2.
컬렉터-베이서, 이미터-베이스 접합이 모두 역방향 바이어스 상태
3.
컬렉터-베이스 접합이 역방향 바이어스, 이미터- 베이스 접합이 순방향 바이어스 상태
4.
컬렉터-베이스 접합이 역방향 바이어스, 이미터- 베이스 접합이 역방향 바이어스 상태
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
3. 과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
정답을 선택하세요
1.
제너다이오드
2.
터널다이오드
3.
리드다이오드
4.
본드형다이오드
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
4. 반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
정답을 선택하세요
1.
기전자대
2.
충만대
3.
금지대
4.
전도대
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
5. MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
정답을 선택하세요
1.
전력소모가 많은 트랜지스터이다.
2.
VDS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 lD가 증가한다.
3.
드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 공급하면 드레인 전류 Ie가 흐른다.
4.
게이트-소스간에 순방향 전입 VDS을 공급하면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
6. 다음 중 Si의 기본 격자구조로 올바른 것은?
정답을 선택하세요
1.
단순입방형 구조
2.
다이아몬드형 격자 구조
3.
세심입방형 구조
4.
원추입방형 구조
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
7. NPN 바이폴리 트랜지스터의 3가지 영역을 분순물의 도핑농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
정답을 선택하세요
1.
이미터 > 베이스 > 컬렉터
2.
이미터 > 컬렉터 > 베이스
3.
컬렉터 > 이미터 > 베이스
4.
컬렉터 > 베이스 > 이미터
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
8. 다음 중 n형 반도체를 만드는 불순물(Donor)이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
안티온(Sb)
2.
비소(As)
3.
연(P)
4.
붕소(B)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
9. PN 접합에서 공간전하용량에 영향을 주지 않는 것은?
정답을 선택하세요
1.
접합 연적의 크기
2.
역포화 전류의 크기
3.
역방향 전압의 크기
4.
공간전하 영역의 폭
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
10. 다음 중 자유전자와 정공을 갖는 반도체에 전계를 가할 때 이들이 움직이는 방향으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
전자 및 정공이 다같이 (+)전극 쪽으로 움직인다.
2.
전자는 (-)전극 쪽으로 정공은 (+)전극 쪽으로 움직인다.
3.
전자 및 정공이 다같이 (-)전극 쪽으로 움직인다.
4.
전자는 (+)전극 족으로, 정공은 (-)전극 쪽으로 움직인다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
11. 진성 반도체의 페르미(Fermi) 준위 위치는?
정답을 선택하세요
1.
금지대의 상단에 위치
2.
금지대의 중앙에 위치
3.
금지대의 하단에 위치
4.
온도에 따라 위치가 변화
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
12. 단결정의 제조방법으로 수소환원법, 열분해법, 불균등화 반응법, 진공열착법 등을 이용하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
인상법(Pulling Method)
2.
존레벨링법(Zone leveling method)
3.
다이아몬드 구조법(Diamond structure Method)
4.
플로팅존법(Floating Zone Method)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
13. PN 접합에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
P형과 N형의 반도체가 같은 물질로 된 것을 헤테로(hetero) 접합이라고 한다.
2.
성장 접합법에서는 접합의 진행과정을 적당히 조절하면 P형에서 갑자기 N형으로 변환하는 계단형 접합을 구현할 수 있다.
3.
일반적으로 Si 반도체 웨이퍼의 제조는 성장 접합법을 이용하며, 웨이퍼 위계 소자를 만들 때에는 확산접합법을 이용한다.
4.
합금 접합법에서는 용융된 실리콘 표면에 종자 결정을 접촉시킨 후 서서히 인상하면서 종자 결정과 같은 구조로 성장시켜 단결정을 얻는 과정에서 P형 및 N형 불순물을 차례로 넣어주어 PN 접합을 만든다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
14. 단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?
정답을 선택하세요
1.
1
2.
2
3.
3
4.
4
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
15. 트랜지스터의 최대 정격에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
소자가 그 화학적 구조와 전기적 특성에 제한되는 범위내에서 동작할 수 있는 최대 범위
2.
소자가 그 물리적 구조와 전기적 특성에 제한되는 범위내에서 동작할 수 있는 최대 범위
3.
소자가 그 화학적 구조와 전기적 특성에 제한되지 않는 범위 내에서 동작할 수 있는 최대 범위
4.
소자가 그 물리적 구조와 기계적 특성에 제한되지 않는 범위 내에서 동작할 수 있는 최대 범위
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
16. 반도체의 에너지 대역에서 긍지대에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
전도대 위에 있다.
2.
가전자대와 전도대 사이에 있다.
3.
가전자대 바로 밑에 있다.
4.
가전자대를 금지대로 부르기로 한다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
17. 접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 판치오프(Pinch-off) 전압이란?
정답을 선택하세요
1.
JFET 에벌런치 전압
2.
드레인-소스 사이의 전압
3.
채널 폭에 막힐 때의 게이트 역방향 전압
4.
채널 폭이 최대로 되는 게이트 역방향 전압
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
18. n 채널 pn접합 전계효과 트랜지스터의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
게이트에 0볼트를 인가하였을 때, 낮은 VDS에 대하여 lD 대 VD 특성은 거의 선형적이다.
2.
몸의 전압을 게이트에 인가하면 공간 전하 영역은 좁아진다.
3.
게이트에 전압을 인가하지 않아도 전류를 흘릴 수 있는 공팝(deoletion) 소자이다.
4.
트레인 전압을 너무 증가시키면 드레인 영역에서 핀치오프(pinch off)가 발생한다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
19. PN 접합에서 전류가 “0” 일 때의 설명으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1.
접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)가 없다.
2.
접합면을 지니는 소수 캐리어(Carrier)가 없다.
3.
접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)와 소수 캐리어가 같다.
4.
접합면을 지나는 캐리어(Carrier)의 농도가 적다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
20. PN 접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
정답을 선택하세요
1.
확산작용
2.
분리작용
3.
항복작용
4.
제너현상
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
21. 다음 회로의 파형으로 맞는 것은?
정답을 선택하세요
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
22. 직류 증폭기에서 온도 변화 등의 영향으로 인하여 출력이 변동되는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
팔진
2.
초퍼
3.
증폭
4.
드리프트
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
23. 저주파 전력증폭이의 출력측 기본파 전압이 50[V]이고, 제2 및 제3고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]일 때 왜율은?
정답을 선택하세요
1.
5[%]
2.
10[%]
3.
15[%]
4.
20[%]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
24. 다음 중 수정발진기의 특징에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
수정진동지의 0가 매우 높다.
2.
주파수의 안정도가 아주 좋다.
3.
발진조건을 만족하는 리액턴스의 유도성이 되는 주파수 범위가 매우 넓다.
4.
발진주파수를 가변하기가 어려운 단점이 있다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
25. 디지털 변조가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
PM
2.
ASK
3.
FSK
4.
QAM
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
26. 베이스 점지(C3) 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
입력임피던스가 낮다.
2.
전류이득은 1보다 훨씬 크다.
3.
입력에 대한 출력은 통상이다.
4.
높은 주파수를 다루는 음용분야에 주로 사용된다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
27. 다음 그림의 회로는 비안정 멀티바이브레이터(Astable multi vibarator)이다. 발진주파수에 대한 식으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
28. 진폭 변조(AN)에서 반송파 진폭이 20[V] 이다. 25[V]의 진폭을 가지는 신호파를 인가한 경우 변조도는?
정답을 선택하세요
1.
0.65
2.
0.8
3.
1.0
4.
1.25
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
29. 어떤 TR이 VDE= S[V]로 동작 된다. 이 TR의 최대 정격 전력이 250[nA]이라면 견딜 수 있는 최대 컬렉터 전류는 약 몇 [nA] 인가?
정답을 선택하세요
1.
20[nA]
2.
42[nA]
3.
51[nA]
4.
64[nA]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
30. AM에서 1000[kHz]의 반송파가 35[kHz] 사인파에 의해 변조될 때 상측파대 주파수는?
정답을 선택하세요
1.
1000[kHz]
2.
1035[kHz]
3.
1070[kHz]
4.
1124[kHz]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
31. 다음의 연산증폭기회로에서 출력 전압 VD는?
정답을 선택하세요
1.
VD=K(V2-V1)
2.
VD=KV2-(K-1)V1
3.
VD=(K+1)V2-KV1
4.
VD=(K+1)(V2-V1)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
32. RC 결함 증폭기에서 주파수 대역폭을 1/4로 줄이면 증폭이득은 약 얼마나 증가하는가?
정답을 선택하세요
1.
8[dB]
2.
10[dB]
3.
12[dB]
4.
14[dB]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
33. 다음 중 연산증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
입력단자는 반전 입력(+)과 비반전 입력(-) 두 개가 있다.
2.
이상적인 연산증폭기의 주파수 대역폭은 매우 좁아 주파수의 선택도가 매우 뛰어나다.
3.
이상적인 연산증폭기의 출력임피던스는 무한대의 값을 갖기 때문에 버퍼회로에 이용된다.
4.
연산증폭기는 선형 집적회로로 동작 전압이 낮고 신뢰도가 매우 높다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
34. 푸시풀(push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
B급이나 AB급으로 동작시킨다.
2.
두 입력의 위상은 동상이어야 한다.
3.
공급 전압에 리플이 포함되어 있으면 부하에 나타난다.
4.
트랜지스터의 비선형 독성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
35. 무궤한 시 전압이득이 100인 증폭기에서 궤환률 0.09의 무궤환을 걸었을 때 전압이득은?
정답을 선택하세요
1.
1
2.
9
3.
10
4.
50
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
36. 다음 부궤환 회로의 특징 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
궤환시 이득이 감소한다.
2.
주파수 대역폭이 좁아진다.
3.
궤환시 왜율이 증가한다.
4.
궤환시 잡음이 증가한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
37. 다음 그림은 반전연상증폭회로이다. 일 때 V1=3[V], V2=4[V]일 때 VD는 몇 [V] 인가?
정답을 선택하세요
1.
-12.5
2.
-13.75
3.
-14.2
4.
-15.25
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
38. 다음의 접합형 FET 회로에서 드레인 전류 l0=4[nA] 일 때 드레인과 소스 전압 Vcs는 몇 [V] 인가?
정답을 선택하세요
1.
1[V]
2.
2[V]
3.
3[V]
4.
4[V]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
39. 연산증폭기 응용회로에서 궤환을 사용하지 않는 것은?
정답을 선택하세요
1.
반전 증폭기
2.
비반전 증폭기
3.
명전위 검출기
4.
사이트 트리거
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
40. 다음과 같이 발진회로의 발진주파수는?
정답을 선택하세요
3.
1/2πR1R2C
4.
1/2πRC
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
41. BCD(B421) 코드는 몇 개의 2진 비트를 사용하는가?
정답을 선택하세요
1.
6개 비트
2.
5개 비트
3.
4개 비트
4.
3개 비트
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
42. 일반적으로 미사용 상태가 발생하더라도 문제없이 정상적인 카운트 루프로 복귀하는 카운터를 사용하는 것이 안전하다. 이와 같이 미사용 상태에서 정상의 카운트 루프로 복귀하지 않는 상태를 무엇이라 하는가?
정답을 선택하세요
1.
glitch
2.
lockout
3.
drop
4.
jitter
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
43. 10진수 5에 대한 3-초과 코드로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
0101
2.
1100
3.
1000
4.
1001
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
44. TTL IC에서 논리 0과 논리 1의 전압범위로 가장 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
논리 D = 0~1.5V, 논리 1 = 3.5-7V
2.
논리 D = 0~1.0V, 논리 1 = 5~10V
3.
논리 D = 0~0.8V, 논리 1 = 2-5V
4.
논리 D = 5~10V, 논리 1 = 0~5V
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
45. 시간 폭이 매우 좁은 트리거 펄스 열이 입력단에 가해진 다면, 이 펄스가 나타나는 순간마다 출력 상태가 바뀌는 플립플롭은?
정답을 선택하세요
1.
JK 플립플롭
2.
T 플립플롭
3.
RS 플립플롭
4.
D 플립플롭
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
46. 불 함수 를 최소항의 합으로 바르게 표시한 것은?
정답을 선택하세요
1.
F(A, B, C) = Σ(1, 4, 5, 6, 7)
2.
F(A, B, C) = Σ(1, 2, 3, 6, 7)
3.
F(A, B, C) = Σ(1, 3, 5, 6, 7)
4.
F(A, B, C) = Σ(1, 2, 4, 6, 7)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
47. 다음 그림의 회로 명칭으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
2비트 직렬가산기
2.
2비트 병렬가산기
3.
4비트 직렬가산기
4.
4비트 병렬가산기
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
48. 의 논리 방정식을 가장 간단히 표시한 것은?
정답을 선택하세요
1.
A + B
2.
AB
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
49. 2진코드 1111을 그레이(Gray) 코드로 변환하면?
정답을 선택하세요
1.
1111
2.
1000
3.
0000
4.
1001
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
50. 기억용량 단위인 4 니블(nibble)은 몇 바이트(byte)인가?
정답을 선택하세요
1.
1
2.
2
3.
3
4.
4
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
51. 다음 불 대수(Boolean Algebra) 중 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
A + A ㆍ B = A
2.
A ㆍ (A + B) = B
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
52. 다음 회로를 논리식으로 표현하면?
정답을 선택하세요
2.
X + Y
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
53. 드모르간(De Moragan)의 정리에 속하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
A(A+B)=A
2.
AㆍB=BㆍA
4.
A-(BㆍC)=(A+B)ㆍ(A+C)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
54. 동기식 계수기의 특징과 가장 거리가 먼 것은?
정답을 선택하세요
1.
회로가 복잡하다.
2.
동작 속도가 저속이다.
3.
시간지연(time delay)이 발생하지 않는다.
4.
클록 펄스를 공동(병렬)으로 사용한다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
55. 다음 논리도의 기능은?
정답을 선택하세요
1.
4-to-1 라인 멀티플렉서
2.
4-to-1 디코더
3.
4-to-1 크기 비교기
4.
4-to-1 인코더
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
56. 다음 회로 동작을 설명한 것 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
다수결 회로로 동작한다.
2.
Multiplexer 회로로 동작한다.
3.
Encoder 회로로 동작한다.
4.
A=1, B=1, C=0 일 경우 출력 Y=0 이 된다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
57. F = (ac)′ + ab′ 의 회로로 잘못 설계된 것은?
정답을 선택하세요
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
58. 동기식 모듈로-6 카운터(MOG-6)를 구성하는데 최소 몇 개의 플립플롭이 필요한가?
정답을 선택하세요
1.
2
2.
3
3.
4
4.
5
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
59. RS 플립플롭에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
입력신호가 모두 0일 때는 이전상태의 반전
2.
입력신호가 모두 0일 때는 이전상태의 유지
3.
입력신호가 모두 1일 때는 이전상태의 반전
4.
입력신호가 모두 1일 때는 Reset
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
60. JK 플립플롭에서 J=1, K=1 일 때, 출력(Q)의 값은?
정답을 선택하세요
2.
1
3.
불변
4.
반전
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
61. 미리 설계해 놓은 여러 소재들의 데이터(레이아웃데이터)를 모아 놓은 일종의 데이터베이스를 무엇이라고 하는가?
정답을 선택하세요
1.
셀 라이브러리
2.
패키지
3.
서브 프로그램
4.
고정 배선
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
62. MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 Vs가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
공핍 모드(Depletion mode)
2.
반전 모드(Inversion mode)
3.
축적 모드(Accumulation mode)
4.
바디 바이어스 효과(Body bias effect)
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
63. CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMDS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n 층과 p 층간의 결함(n-p-n-p 또는 p-n-p-n)에 의해 기성 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스터가 결합되어 Vds와 Vss사이에 전류 통로가 형성되는 현상을 무엇이라고 하는가?
정답을 선택하세요
1.
단락(Short)
2.
래치업(Latch-up)
3.
상호연결 기생요소
4.
ESD(Efectroslatic Dischange)
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
64. 다음 중 Integrated Cirouit(IC)에 포함시키기가 어려운 소자는?
정답을 선택하세요
1.
트랜지스터(Transistor)
2.
다이오드(Diode)
3.
코일(Coil)
4.
저항(Resistor)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
65. CMOS 인버터(Inverter) DC 특성 곡선에서 최대 전류가 흐르는 NMOS와 PMOS의 동작 영역은?
정답을 선택하세요
1.
NMOS와 PMOS 모두 선형 영역
2.
NMOS는 포화 영역, PMOS는 선형 영역
3.
NMOS와 PMOS 모두 포화 영역
4.
NMOS는 선형 영역, PMOS는 포화 영역
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
66. 집적회로 구현을 위한 웨이퍼 제조 공정에 해당하지 않는 것은?
정답을 선택하세요
1.
현상 공정
2.
확산 공정
3.
박막 공정
4.
칩 테스팅 공정
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
67. 다음 모노리틱(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
정답을 선택하세요
1.
에피택셜(Epitaxial) 성장
2.
산화막(Oxide) 생성
3.
알루미늄 증착
4.
불순물 확산
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
68. 전달게이트(transmission gate)에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
스위치로 사용하기 위하여 NMOS와 PMOS를 병렬로 연결한 것이다.
2.
두 개의 MOS 중 하나가 고장일 경우에도 동작을 한다.
3.
실리콘 사용 면적이 감소하여 회로가 단순화 된다.
4.
ON 상태에서 NMOS와 PMOS가 모두 도통이 되므로 패스트랜지스터보다 ON 상태의 저항이 적다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
69. 다음 중 직접회로설계의 전반부(front-end) 설계에 해당하지 않는 것은?
정답을 선택하세요
1.
레이아웃 설계(layout design)
2.
논리회로 설계(logic design)
3.
구조수준 설계(structural-level design)
4.
행위수준 설계(behavloral-level design)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
70. 시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
C-LANGUAGE
2.
VERILOG
3.
PASCAL
4.
COBOL
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
71. VLSI 레이아웃 설계 후 레이아웃 도면으로부터 추출한 저항 및 커패시턴스 값을 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 실시하는 과정을 일컫는 것은?
정답을 선택하세요
1.
floor planning
2.
back annotation
3.
logic synthesis
4.
self-alignment
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
72. 동적 CMOS 로직과 거의 같으나, 출력단에 인버팅래치가 달려있는 점이 다른 로직은?
정답을 선택하세요
1.
도미노 로직
2.
카미노 로직
3.
슈도 로직
4.
트랜스 로직
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
73. 다음 중 문턱전압(threshold voltage)에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
전류가 포화상태일 때의 드레인 전압
2.
채널이 사라지기 시작하는 게이트 전압
3.
전류가 포화상태로 진압하는 게이트 저압
4.
드레인 전류가 흐를 수 있도록 채널이 형성되는 시점의 게이트 전압
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
74. MOSFET에서 K×M/L는 무엇을 정의하는 식인가? (단, K:공정 전달 전도도, W:트랜지스터 채널폭, L:트랜지스터 길이)
정답을 선택하세요
1.
소자 전달 전도도
2.
캐리어 이동도
3.
게이트 유전막
4.
유효채널
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
75. 게이트 전압(V)이 기관 전압(V )보다 낮은 전위를 갖는 경우, MOS 구조의 동작 모드는?
정답을 선택하세요
1.
반전 모드(Inversion Mode)
2.
공정 모드(Depletion Mode)
3.
증가 모드(Enhancement Mode)
4.
축적 모드(Accumulation Mode)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
76. 다음 중 직접회로 공정에서 불순물을 첨가하는 방법이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
확산
2.
이온 주입
3.
성장
4.
산화
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
77. 두 pMOS를 병렬 연결하여 반드시 한 게이트 입력에 “0”을 일력할 경우 형성되는 전도 패스의 기능을 볼 함수로 옳게 표현한 것은?
정답을 선택하세요
1.
aㆍb
2.
a+b
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
78. 게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
웨이퍼를 절약할 수 있다.
2.
칩 제조 공정의 시간이 절약된다.
3.
회로 설계의 유연성이 증가한다.
4.
표준 셀 방식보다 칩의 크기가 작다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
79. 실제로 클럭 신호는 MOS의 저항 및 용량 특성에 따라서 전달 과정에서 지연 효과를 갖게 되어 클럭의 시간차가 생긴다. 이와 같은 현상을 무엇이라고 하는가?
정답을 선택하세요
1.
글리치(glitch)
2.
해저드(hazard)
3.
경합(race)
4.
스큐(skew)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
80. MOS 트랜지스터에서 게이트 출력이 ‘1“ 또는 ”0“레벨에 있을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는?
정답을 선택하세요
1.
n-MOS
2.
p-MOS
3.
I-MOS
4.
CMOS
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
문제 목록
문제 정보
강의: 반도체설계산업기사
연도: 2011-10-02
총 문제: 80문제
현재 문제: 1번
댓글 0
댓글 수정
정정요청
문제에 오류가 있거나 개선사항이 있다면 정정요청을 보내주세요. 빠르게 확인하고 수정하겠습니다.