반도체설계산업기사
(2017-05-07 기출문제 - 하나씩 풀이)
총 80문제
답안 완료: 0문제
1. 1s22s22p63s23p4로 원자가 배열이 되어 있다. 이 원소의 원자 번호는 어떻게 되는가?
정답을 선택하세요
1.
11
2.
13
3.
16
4.
18
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
2. 실리콘 웨이퍼에 인(P) 원자를 2×1018m-3로 도핑 하였다. 열평형 상태에서 홀(hole)의 농도는? (단, ni = 1.5×1018m-3라 가정한다.)
정답을 선택하세요
1.
2.25×1012m-3
2.
1.125×1014m-3
3.
133.33m-3
4.
2.66×1020m-3
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
3. 베이스 공통 트랜지스터의 동작 상태를 4가지로 분류할 때 차단영역에 해당하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
이미터-베이스 접한 순바이어스, 컬렉터-베이스 접합 순바이어스
2.
이미터-베이스 접합 순바이어스,컬렉터-베이스 접합 역바이어스
3.
이미터-베이스 접합 역바이어스, 컬렉터-베이스 접합 순바이어스
4.
이미터-베이스 접합 역바이어스, 컬렉터-베이스 접합 역바이어스
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
4. 제너다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
정답을 선택하세요
1.
높은 전압특성을 가지고 있다.
2.
낮은 역전압에서 예리한 절연파괴를 갖는다.
3.
제어정류기로서 유용하다.
4.
부성 저항특성을 갖는다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
5. 반도체 재료의 성질이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
광전효과가 나타난다.
2.
홀 효과(hall effect)가 나타난다.
3.
온도가 증가하면 도전율이 증가한다.
4.
불순물을 주입하면 도전율이 감소한다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
6. 실리콘 공정에서 산화막(SiO2)의 용도가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
불순물의 선택적 주입을 위한 마스크
2.
전기적인 절연 및 유전체
3.
MOS 트랜지스터의 게이트전극
4.
반도체 소자 표면의 보호막
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
7. n형 실리콘 반도체를 만들려고 할 때, 사용할 수 없는 불순물 원자는?
정답을 선택하세요
1.
B
2.
Sb
3.
As
4.
P
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
8. 공유결합에 관한 설명 중 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
최와각 전자들을 서로 공유하여 이루어진다.
2.
결합력이 강하며 방향성을 가지고 있다.
3.
가전자들이 자유롭게 움직일 수 있다.
4.
실리콘(Si)의 결정결합의 형태에 해당한다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
9. 반도체 재료의 결정을 표시함에 있어서 격자내의 면이나 방향을 표시하는데, 각 방향의 기본 벡터의 정수배로 나타낸 값의 비율을 역수로 나타내는 방법은?
정답을 선택하세요
1.
Diamond Index
2.
Face Index
3.
Miller Index
4.
Body Index
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
10. MOSFET의 단자로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
소스
2.
콜렉터
3.
드레인
4.
게이트
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
11. 증가형 MOSFET의 문턱전압(threshold voltage, VT)에 대한 설명 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
문턱전압이 같으면 외부 바이어스에 무관하게 전류의 크기가 동일하다.
2.
문턱전압은 외부 조건에 의하여 변하지 않고 일정하게 유지된다.
3.
NMOS의 경우 게이트와 소스 사이에 문턱전압 이하의 전압이 걸리면 전류가 흐른다.
4.
PMOS의 경우 문턱전압은 (-)의 값을 갖는다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
12. 반도체 재료에 전계를 인가함에 의해서 발생되는 전류를 무엇이라고 하는가?
정답을 선택하세요
1.
드리프트(drift)전류
2.
확산(diffusion)전류
3.
차단(cutoff)전류
4.
포화(saturation)전류
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
13. pn접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
정답을 선택하세요
1.
확산작용
2.
분리작용
3.
항복작용
4.
제너현상
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
14. 터널 다이오드에 관한 설명 중 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
가하는 도너 밀도를 매우 낮게 하면 공핍층이 좁아지고 전계의 세기가 증가한다.
2.
역 바이어스 상태에서 저항이 작다.
3.
펄스 및 계수회로에 유익하게 응용된다.
4.
부성저항 특성을 갖는다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
15. 다이오드에 바이어스를 인가할 때 P형에 양(+)전원을 N형에 음(-) 전원을 연결하는 방식은?
정답을 선택하세요
1.
액티브 바이어스 (Active Bias)
2.
패시브 바이어스 (Passive Bias)
3.
순방향 바이어스 (Forward Bias)
4.
역방향 바이어스 (Reveres Bias)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
16. MOSFET과 JFET의 가장 큰 차이점은?
정답을 선택하세요
1.
JFET는 정격전력이다.
2.
JEFT는 접합에 의해 게이트와 채널이 분리되어 있다.
3.
MOSFET에는 두 개의 게이트가 있다.
4.
MOSFET에는 물리적 채널이 없다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
17. pn접합의 항복현상 중의 하나인 사태항복(avalanche breakdown)이 발생되는 경우는?
정답을 선택하세요
1.
순방향 전류가 과잉될 때
2.
전위장벽이 영(zero)으로 감소될 때
3.
순방향 바이어스 전압이 어떤 값을 가질 때
4.
역방향 바이어스 전압이 어ᄄᅠᆫ 값을 가질 때
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
18. 다음 실리콘의 원소 배열 표현이 맞는 것은?
정답을 선택하세요
1.
1s22s42p23s43p2
2.
1s22s22p43s23p2
3.
1s22s22p43s23p4
4.
1s22s22p63s23p2
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
19. 다음 그림과 같은 소자와 관련하여 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
기판(substrate)과 드레인 사이에는 순방향 전압을 건다.
2.
정상적인 경우 전류는 드레인에서 소스로 흐른다.
3.
증가형 n채널 MOSFET 이다.
4.
게이트에 (+) 전압 인가시 전류가 흐른다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
20. pn접합에서 순방향 바이어스를 인가하였을 때 일어나는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
이온화가 증가한다.
2.
전류가 흐르지 않는다.
3.
접합변의 정전용량이 증가한다.
4.
접합면의 전위장벽이 낮아진다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
21. 펄스부호변조(PCM)에 대한 설명 중 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
점유 주파수 대역이 넓다.
2.
PCM 고유의 잡음이 발생한다.
3.
전송 방해가 많은 통신로에서도 전송 품질이 좋은 통신이 가능하다.
4.
원신호 펄스 재생은 진폭 변동이나 파형 찌그러짐에 영향을 받는다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
22. 교차 일그러짐(crossover distortion) 현상은 어느 증폭기에서 발생하는가?
정답을 선택하세요
1.
A급 증폭기
2.
AB급 증폭기
3.
B급 증폭기
4.
C급 증폭기
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
23. 부귀환 증폭기에서 Aβ≫1의 경우 증폭기 이득의 안정성이 향상되는 이유는?
정답을 선택하세요
1.
증폭기 이득 A가 크기 때문이다.
2.
귀환계수 β가 작기 때문이다.
3.
증폭기의 부하 저항이 만큼 감소되기 때문이다.
4.
증폭기의 이득이 귀환회로의 β에 의해서 결정되기 때문이다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
24. 펄스회로의 출력이 Vo = 1 – e-0.1t일 때 시정수 몇 초인가?
정답을 선택하세요
1.
20초
2.
10초
3.
1초
4.
0.1초
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
25. 맥동률(γ)에 관한 설명으로 올바른 것은?
정답을 선택하세요
1.
교류를 직류로 바꾸는 과정이다.
2.
맥동률(γ)은 로 구할 수 있다.
3.
정류된 직류 출력에 교류성분이 얼마나 포함되어 있는지의 정도를 나타낸다.
4.
교류를 직류로 만들 때 직류가 되지 않고 남아 있는 교류 성분으로 모양이 파도모양처럼 나타난다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
26. PCM 회로에서 빈칸 A의 회로는?
정답을 선택하세요
1.
부호화 회로
2.
비교기 회로
3.
증폭 회로
4.
필터 회로
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
27. 회로의 전달 특성은? (단, Q1과 Q2 트랜지스터는 스위치용이다.)
정답을 선택하세요
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
28. 그림의 입출력 특성을 가지는 회로는?
정답을 선택하세요
1.
반파정류회로
2.
전파정류회로
3.
연산증폭기
4.
클리핑 회로
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
29. 소신호 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
부하선의 작은 부분만을 사용한다.
2.
항상 mV 범위의 출력신호를 갖는다.
3.
각 입력 주기에 포화가 일어난다.
4.
항상 공통 이미터 증폭기이다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
30. FM신호의 검파회로에서 별도의 진폭제한회로가 필요 없는 회로는?
정답을 선택하세요
1.
제곱 검파회로
2.
복동조 주파수 변별 회로
3.
포스토 실리(Forster-Seeley)주파수 변별회로
4.
비검파기(ratio detector)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
31. 전압 증폭도가 100인 증폭기의 전압이득은 몇 dB인가?
정답을 선택하세요
1.
10
2.
20
3.
30
4.
40
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
32. 컬렉터 접기 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
이미터 플로어라고도 한다.
2.
전압 이득은 1보다 약간 작다.
3.
입력전압과 출력전압의 위상은 역상이다.
4.
입력 임피던스는 높고, 출력 임피던스는 매우낮다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
33. 회로에서 Ei=1V일 때 전류 IL은 몇 mA인가?
정답을 선택하세요
1.
0.1
2.
0.4
3.
-0.5
4.
-0.6
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
34. FET 증폭기의 고주파 응답을 결정하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
바이패스 커패시터
2.
트랜지스터의 내부 커패시터
3.
전압이득
4.
전류이득
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
35. 회로에서 컬렉터 전류 IC를 구하면?（단, β=100 이고, VBE=0.7 이다.)
정답을 선택하세요
1.
39mA
2.
25mA
3.
46mA
4.
32mA
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
36. 연산증폭기 회로에 그림(a)를 입력할 때 그림(b)와 같은 출력이 나타나는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
슬루 레이트(slew rate)
2.
입력 바이어스 전류
3.
DC 오프세트(offset) 전압
4.
유한한 전압이득
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
37. 연산증폭기의 스위칭 특성에 가장 크게 영향을 주는 것은?
정답을 선택하세요
1.
입출력 임피던스
2.
슬루 레이트
3.
출력 오프셋 전압
4.
동위상제거비(CMRR)
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
38. 증폭도 A가 매우 큰 증폭기에 귀환율 β의 부귀환을 가한 경우 전압이득은?
정답을 선택하세요
1.
Aβ
2.
1/β
3.
1/βA
4.
A/1+A
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
39. 교류를 직류전원으로 변환할 때 사용되지 않는 부품은?
정답을 선택하세요
1.
변압기
2.
정류다이오드
3.
제너다이오드
4.
트라이액
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
40. 다이오드의 전하축적 효과가 없을 때 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
순방향 전류값이 적다.
2.
순방향 전류값이 크다.
3.
역방향 회복시간이 무한대이다.
4.
역방향 회복시간이 “0”이다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
41. 그림과 같은 전가산기(Full adder)의 입력이 A=1,B=0,C=1일 때 출력으로 옳은 것은? (단, So : Sum, Co : Carry이다.)
정답을 선택하세요
1.
Co = 0, So = 0
2.
Co = 0, So = 1
3.
Co = 1, So = 0
4.
Co = 1, So = 1
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
42. Shift register 안에 있는 binary number가 5번 Shift left 되었다. 현재 number 크기는 다음 중 어느 것에 해당되는가? (단, shift register의 길이는 충분하며 shift-in되는 bit는 모두 0 이다.)
정답을 선택하세요
1.
맨처음 binary number × 5
2.
맨처음 binary number ÷ 5
3.
맨처음 binary number × 32
4.
맨처음 binary number ÷ 32
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
43. 반가산기의 합 또는 반감산기의 차를 얻기 위해 필요한 게이트는?
정답을 선택하세요
1.
AND
2.
OR
3.
XNOR
4.
XOR
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
44. 4단 하향 Counter에서 10번째 클록펄스가 인가되면 각 단이 나타내는 2진수를 10진수로 변환하면?
정답을 선택하세요
1.
6
2.
7
3.
8
4.
9
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
45. 다음 중 조합논리회로에 해당하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
RAM
2.
레지스터
3.
디코더
4.
카운터
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
46. D 플립플롭에서 D 입력에 입력한 데이터의 각 비트는 클럭 펄스 몇 개의 시간만큼 늦어서 Q 출력에 도달하는가?
정답을 선택하세요
1.
1
2.
2
3.
3
4.
4
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
47. 다음 논리회로의 출력식으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
X=A+B
2.
Y=A⊕B
3.
X=A⊕B
4.
Y=A⊕B
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
48. n비트의 입력으로 2n개의 출력 중의 하나를 1로 설정하도록 하는 장치는?
정답을 선택하세요
1.
디코더
2.
인코더
3.
카운터
4.
플립플롭
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
49. 원 정보부호가 1011 일 때 이것의 짝수 패리티 해밍코드(Hamming Code)를 구하면?
정답을 선택하세요
1.
1011010
2.
0101011
3.
0001100
4.
0110011
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
50. 시프트 레지스터(shift register)를 만드는데 가장 적합한 플립플롭은?
정답을 선택하세요
1.
RS 플립플롭
2.
D 플립플롭
3.
T 플립플롭
4.
JK 플립플롭
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
51. 아래 펄스발생기 중에서 한 상태에서만 안정되고 다른 상태에서는 불안정하여 일정한 시간 후에는 안정상태로 돌아가는 회로는?
정답을 선택하세요
1.
비안정 멀티바이브레이터
2.
다안정 멀티바이브레이터
3.
쌍안정 멀티바이브레이터
4.
플립플롭
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
52. 다음과 같이 연결된 RS 플립플롭은 어떤 플립플롭과 같은 기능을 하는가?
정답을 선택하세요
1.
D 플립플롭
2.
T 플립플롭
3.
JK 플립플롭
4.
마스터-슬레이브 플립플롭
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
53. JK 플립플롭에서 J=1, K=1 일 때의 출력 결과는?
정답을 선택하세요
2.
1
3.
불변
4.
반전
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
54. 다음 논리회로의 출력 D를 불대수 식으로 간략화하여 옳게 나타낸 것은?
정답을 선택하세요
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
55. 5개의 플립플롭으로 구성된 상향 계수기의 모듈러스(modulus)와 이 계수기로 계수 할 수 있는 최댓값은?
정답을 선택하세요
1.
modulus : 32 최댓값 : 31
2.
modulus : 31 최댓값 : 32
3.
modulus : 6 최댓값 : 32
4.
modulus : 5 최댓값 : 32
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
56. 다음은 2개 입력 A,B를 가지는 NAND게이트의 진리표이다. z0,z1,z2,z3에 알맞은 이진 값은?
정답을 선택하세요
1.
0001
2.
0111
3.
1110
4.
0110
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
57. 10진수 22를 3초과 코드(Excess-3 code)로 변환한 것은?
정답을 선택하세요
1.
0101 0101
2.
1011 1100
3.
0011 1011
4.
1100 1100
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
58. 일반적으로 n비트의 2진 병렬가산기는 어떻게 구성되는가?
정답을 선택하세요
1.
2n개의 반가산기로 구성된다.
2.
2n개의 전가산기로 구성된다.
3.
n개의 반가산기로 구성된다.
4.
n개의 전가산기로 구성된다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
59. 한 플립플롭의 출력이 다른 플립플롭을 구동시키는 계수기는?
정답을 선택하세요
1.
링 계수기
2.
존슨 계수기
3.
트위스트링 계수기
4.
직렬 계수기
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
60. 우측이동 레지스터가 1001을 기억하고 있을 때, 클럭펄스가 2개 인가되면 각단의 값은? (단, 입력 데이터는 0 이다.)
정답을 선택하세요
1.
0100
2.
0110
3.
1001
4.
0010
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
61. 동적 CMOS 로직과 거의 같으나, 출력단에 인버팅 래치가 달려있는 점이 다른 로직은?
정답을 선택하세요
1.
카미노 로직
2.
슈도 로직
3.
도미노 로직
4.
트랜스 로직
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
62. nMOS 인버터의 레이아웃 설계에서 A를 풀다운 트랜지스터 그리고 B를 풀업 트랜지스터라고 할 경우 A의 게이트 폭과 길이는 각각 4λ, 2λ 이고 B게이트의 폭과 길이를 각각 2λ, 8λ 라고 하면 이 인버터가 정상동작을 위하여 필요로 하는 형상비(ratio circuit)는 얼마인가?
정답을 선택하세요
1.
2
2.
4
3.
6
4.
8
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
63. 집적회로 레이아웃 설계에서 제일 처음 해야 할 일은?
정답을 선택하세요
1.
평면 계획
2.
블록 레이아웃
3.
블록 배치
4.
배선
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
64. 회로의 물리적인 크기만 스케일링할 때 소자 파라미터와 스케일링 비율이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 물리적 스케일링 비율은 α이다.)
정답을 선택하세요
1.
게이트 채널 길이(L)는 1/α로 스케일링 된다.
2.
게이트 채널 폭(W)은 1/α로 스케일링 된다.
3.
게이트 산화막 두께(D)는 1/α로 스케일링 된다.
4.
게이트 기생 접합 커패시턴스(Cj)는 1/α로 스케일링 된다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
65. CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMOS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n층과 p층간의 결합(n-p-n-p 또는 p—n-p-n-)에 의해 기생 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스터가 결합되어 Vdd와 Vss사이에 전류 통로가 형성되는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
단락(Short)
2.
래치업(Latch-up)
3.
상호연결 기생요소
4.
ESD(Electrostatic Discharge)
정답: 2번
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66. 다음 VHDL 관련 표준에서 다중 값 논리를 규정한 부분은?
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1.
IEEE std_1076
2.
IEEE std_1076.4
3.
IEEE std_1164
4.
IEEE std_1076.3
정답: 3번
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67. 다음 중 MOSFET 특성이 아닌 것은?
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1.
세 개의 층(금속, 산화층, 반도체)이 적층구조를 형성한다.
2.
스위치 역할을 수행하여 전류의 흐름을 차단 또는 연결한다.
3.
전류흐름에 전자와 정공이 모두 작용한다.
4.
금속 층의 대용으로 현재는 다결정 실리콘을 사용한다.
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68. nMOSFET의 반전 모드에서 게이트 전압을 증가(VG ＞ 0) 시키면 산화층과 실리콘의 경계면에 캐리어가 정공에서 전자로 바뀌게 되는데, 이때 형성된 층을 무엇이라고 하는가?
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1.
채널
2.
공핍층
3.
핀치오프
4.
금속층
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69. 다음 중 IC 패키지 타입이 아닌 것은?
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1.
DIP
2.
SMP
3.
PLCC
4.
QFP
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70. MOS 동적 논리회로를 정적논리와 비교한 것 중 장점에 해당하지 않는 것은?
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1.
부하소자가 on 되었을 때만 전력을 소모하는 회로를 설계할 수 없다.
2.
스위칭 동작으로 인하여 정적 논리회로에 비해 전력 소모가 크다.
3.
시스템의 타이밍 문제를 간소화할 수 있다.
4.
클럭을 사용하기 때문에 클럭 부하를 갖는다.
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71. 전압 제어 소자인 MOS FET를 기본 소자로 사용한 것은?
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1.
CMOS
2.
TTL
3.
ECL
4.
SOI
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72. 다음 중 MOS 트랜지스터를 만드는 공정기술이 아닌 것은?
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1.
n-well 공정
2.
twin-well 공정
3.
SOI(Silicon On Insulator) 공정
4.
bipolar 공정
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73. 게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
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1.
웨이퍼를 절약할 수 있다.
2.
칩 제조 공정의 시간이 절약된다.
3.
회로 설계의 유연성이 증가한다.
4.
표준 셀 방식보다 칩의 크기가 작다.
정답: 4번
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74. NAND 게이트 함수를 정적 CMOS 로직으로 설계할 경우 nMOS 로직과 pMOS 로직 구현을 위한 부울 식을 올바르게 표현한 것은?
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1.
pMOS 로직의 경우 nMOS 로직의 경우
2.
pMOS 로직의 경우 nMOS 로직의 경우
3.
pMOS 로직의 경우 nMOS 로직의 경우
4.
pMOS 로직의 경우 nMOS 로직의 경우
정답: 1번
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75. 다음 회로와 같은 nMOS의 병렬구조에 대한 설명 중 틀린 것은?
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1.
OR 게이트 구조이다.
2.
a = 0, b = 1 일 때, 스위치 ON 상태이다.
3.
a = 1, b = 1 일 때, 스위치 OFF 상태이다.
4.
a = 1, b = 0 일 때, 스위치 ON 상태이다.
정답: 3번
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76. MOS 트랜지스터에서 게이트 출력이 “1” 또는 “0” 레벨에 있을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는?
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1.
n-MOS
2.
p-MOS
3.
I-MOS
4.
CMOS
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77. 다음 중 디지털 회로 설계에서 회로 추출(circuit extraction)에 관한 설명 중 옳은 것은?
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1.
전체 시스템 관점에서 서례회로를 분할하는 과정
2.
타이밍(timing)을 검증하는 과정
3.
실제회로의 배치구도를 잡는 과정
4.
회로 전반에서 발생하는 지연시간 등을 뽑아주는 과정
정답: 4번
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78. CMOS 디지털 집적회로의 동적 전력소모에 대한 설명으로 틀린 것은?
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1.
전원 전압이 클수록 증가한다.
2.
동작 주파수가 클수록 감소한다.
3.
커패시턴스 성분이 클수록 증가한다.
4.
전력소모가 크면 동작온도가 증가한다.
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79. 정적 CMOS 로직(static CMOS logic)에 대한 설명으로 틀린 것은?
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1.
서로 반대로 동작하는 nMOS와 pMOS를 이용하여 풀업과 풀다운(pull-down)의 동작을 대칭적으로 시키는 회로이다.
2.
nMOS 트랜지스터의 개수와 pMOS 트랜지스터의 개수가 같다.
3.
시간이 비교적 많이 경과해도 출력전압이 변하지 않는 대신 동적회로보다 속도가 빠르다.
4.
nMOS 트랜지스터가 직렬 연결된 부분에 해당하는 pMOS 트랜지스터 부분은 병렬연결된다.
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80. n채널 증가형 MOSFET에서 VGS = -5V, VDS = 13V일 때, 드레인에 흐르는 전류는 얼마인가?
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1.
26[mA]
2.
3.6[mA]
3.
6.3[mA]
4.
0[mA]
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문제 정보
강의: 반도체설계산업기사
연도: 2017-05-07
총 문제: 80문제
현재 문제: 1번
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