반도체설계산업기사
(2018-04-28 기출문제 - 하나씩 풀이)
총 80문제
답안 완료: 0문제
1. 빛을 받으면 전자와 정공 쌍생성을 통해 전류를 발생하는 다이오드는?
정답을 선택하세요
1.
스위칭 다이오드(Switching Diode)
2.
정류 다이오드(Rectification Diode)
3.
광 다이오드(Photo Diode)
4.
발광 다이오드(Light emitting Diode)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
2. P형 기판을 갖는 MOS 용량 구조에서 게이트 금속 극판의 전압 VGS가 기판 전압 VBS 보다 큰 경우 VGS가 증가함에 따라 전계가 증가함으로써 실리콘 경계면에 전자가 모여 형성된 층은?
정답을 선택하세요
1.
축적층(accumulation layer)
2.
공핍층(depletion layer)
3.
반전층(inversion layer)
4.
차단층(cut-off layer)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
3. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET: Junction Field Effect Transistor)의 동작은?
정답을 선택하세요
1.
소수 운반자의 흐름에 의한다.
2.
재결합에 의한다.
3.
부성 저항에 의한다.
4.
다수 운반자의 흐름에 의한다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
4. 원소 주기율표에서 반도체 재료로 사용하지 않는 족은?
정답을 선택하세요
1.
Ⅰ족
2.
Ⅲ 족
3.
Ⅳ 족
4.
Ⅴ 족
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
5. PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스 전압이 인가되었을 때 나타나는 현상과 관련이 없는 것은?
정답을 선택하세요
1.
터널 효과(Tunnel effect)
2.
눈사태 항복 효과(Avalanche breakdown effect)
3.
제너 항복 효과(Zener breakdown effect)
4.
홀 효과(Hall effect)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
6. PN접합 다이오드에서 바이어스의 인가방법에 따른 전위장벽은?
정답을 선택하세요
1.
순방향 바이어스때가 역방향 바이어스 때보다 높다.
2.
역방향 바이어스때가 순뱡향 바이어스 때보다 높다.
3.
순방향 바이어스때와 역방향 바이어스때가 같다.
4.
순방향 바이어스때와 역방향 바이어스때는 비교할 수 없다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
7. FET의 차단 주파수에 영향을 주는 요소가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
채널 길이
2.
채널 폭
3.
반도체 캐리어 밀도
4.
이동도
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
8. 다음 중 전도대역의 전자와 가전자대역의 정공이 가전자상태에 있는 전자가 전도대역으로 천이되었을 때 발생되는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
전자 생성
2.
정공 생성
3.
전자-정공 쌍생성
4.
전자-정공 재결합
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
9. 평형 상태의 PN 접합에서 내부 전위장벽은?
정답을 선택하세요
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
10. P형 반도체의 정공이 1m3 당 4.4×1020[m-3]일 때, 반도체의 도전율은 얼마인가? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/V·s]이다.)
정답을 선택하세요
1.
1.197[Ω-1m-1]
2.
11.97[Ω-1m-1]
3.
119.7[Ω-1m-1]
4.
1197[Ω-1m-1]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
11. Si의 물리적 성질 중 해당되지 않는 것은?
정답을 선택하세요
1.
원자번호: 14
2.
격자 상수(A) 2.35
3.
녹는 온도 : 약 1420 °C
4.
원자 질량 : 28.0855[g/mol]
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
12. 반도체의 전기 전도도에 영향을 미치지 않는 것은?
정답을 선택하세요
1.
물질의 광학적인 여기 상태
2.
물질의 온도 변화
3.
물질의 불순물 함량
4.
물질의 질량
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
13. 컬렉터의 역바이어스를 계속해서 증가시키면 컬렉터 접합의 공간전하층이 베이스 영역 안으로 깊숙이 퍼져가며 마지막에는 이미터 접합의 공간 전하층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
정답을 선택하세요
1.
열 폭주 현상
2.
절연파괴 현상
3.
래치-업(latch-up) 현상
4.
펀치-쓰루(punch-through) 현상
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
14. nMOS FET에서 게이트 전압을 높이면 드레인과 소스 사이에 전류 ID가 흐르기 시작한다. 이 시점의 게이트 전압을 무엇이라고 하는가?
정답을 선택하세요
1.
문턱전압
2.
바이어스전압
3.
포화전압
4.
항복전압
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
15. 전력 소자로서 쓰이는 정류기의 필요조건이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
순방향 전압 강하가 작을 것
2.
내열성이 낮을 것
3.
방열 특성이 좋을 것
4.
역내압 전압이 높고, 역방향 전류가 작을 것
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
16. 화합물 반도체 재료가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
GaAs
2.
Ge
3.
SiC
4.
GaN
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
17. 다음 반도체의 종류에 따른 다수캐리어와 소수캐리어에 관한 내용 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
n형 반도체의 소수캐리어는 전자이다.
2.
p형 반도체의 소수캐리어는 정공이다.
3.
n형 반도체의 다수캐리어는 전자이다.
4.
p형 반도체의 다수캐리어는 전자이다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
18. 쌍극성 접합 트랜지스터의 바람직한 조건이 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
이미터 영역의 캐리어 밀도를 낮게 해야 한다.
2.
컬렉터 영역의 캐리어 밀도를 낮게 해야 한다.
3.
베이스 영역의 고유저항은 이미터 영역의 고유저항보다 훨씬 커야 한다.
4.
증폭기 동작을 위해서는 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스를 인가한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
19. PN 접합에서 공핍층의 두께는 역방향 바이어스전압(Vr)에 어떤 관계가 있는가?
정답을 선택하세요
1.
√Vr에 비례
2.
√Vr에 반비례
3.
v2r에 비례
4.
v2r에 반비례
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
20. NPN 바이폴라 트랜지스터의 3가지 영역을 불순물의 도핑 농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
정답을 선택하세요
1.
이미터 ＞ 베이스 ＞ 컬렉터
2.
이미터 ＞ 컬렉터 ＞ 베이스
3.
컬렉터 ＞ 이미터 ＞ 베이스
4.
컬렉터 ＞ 베이스 ＞ 이미터
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
21. 1mH의 인덕터에 전압 1V, 주파수 1kHz의 신호를 인가할 경우 리액턴스 값은?
정답을 선택하세요
1.
1[Ω]
2.
1[H]
3.
2π[Ω]
4.
2π[H]
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
22. LED 세그먼트의 활용법으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
공통 애노드(Common Anode) 끝단에 전원을 연결한다.
2.
공통 애노드(Common Anode) 끝단에 접지을 연결한다.
3.
공통 애노드(Common Anode) 세그먼트의 캐소드 단자를 각각 전원을 연결한다.
4.
공통 애노드(Common Anode) 세그먼트의 캐소드 단자를 각각 접지에 연결한다.
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
23. 부귀환 증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
왜곡의 감소
2.
잡음의 감소
3.
대역폭의 증가
4.
안정도의 감소
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
24. 이상적인 연산증폭기(OP-AMP)의 특징으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1.
입력 임피던스는 무한대(∞) 이다.
2.
입력은 반전과 비반전 단자로 구분할 수 있다.
3.
전압이득은 무한대(∞) 이다.
4.
출력 임피던스는 무한대(∞) 이다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
25. 5V 직류전압원에 저항(R) 30Ω과 LED가 직렬로 연결된 회로에서 LED에서 소모되는 전력은? (단, LED의 전압강하는 1.4V 이다.)
정답을 선택하세요
1.
124mW
2.
168mW
3.
432mW
4.
600mW
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
26. 그림과 같이 1kΩ저항과 다이오드의 직렬회로에서 전압(VO)의 크기는 약 몇 V 인가?
정답을 선택하세요
2.
0.1
3.
0.7
4.
5
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
27. 다음 회로에서 전압 이득이 –100이 되기 위한 R2값은 얼마인가?
정답을 선택하세요
1.
2.2kΩ
2.
110kΩ
3.
220kΩ
4.
440kΩ
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
28. 다이오드에 관한설명으로 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
다이오드는 역바이어스와 순바이어스로 동작한다.
2.
다이오드는 이상적인 스위치로 볼 수 있다.
3.
다이오드는 역 항복에서 동작해서는 아니된다.
4.
항복전압은 장벽전위보다 낮다.
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
29. 다음 회로에 Vi = Vmsinωt 의 파형을 인가하였을 때 출력 파형에 해당되는 회로는? (단, Vm은 3V 보다 크다.)
정답을 선택하세요
1.
양단 클리퍼 회로
2.
톱니파 발생 회로
3.
정현파 발생 회로
4.
AND 게이트 회로
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
30. AM 변조에서 반송파의 전력이 500mW, 변조도가 60%일 때, 피변조파의 전력은 몇 mW 인가?
정답을 선택하세요
1.
180
2.
300
3.
590
4.
900
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
31. 귀환 발진기의 발진조건에 대한 설명 중 틀린 것은? (단, A는 증폭도, β는 귀환량이다.)
정답을 선택하세요
1.
정귀환을 이용한다.
2.
A의 위상 변화는 180°이다.
3.
β의 위상 변화는 0°이다.
4.
귀환이득 Aβ=1이며, 위상 변화는 0°이다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
32. 일반적인 펄스 파형의 구간별 명칭에 관한 설명 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
지연시간: 목표량에 0~40[%]까지 접근하는 시간
2.
정정시간: 목표량에 ±3[%]까지 접근하는 시간
3.
상승시간: 목표량에 10~90[%]까지 접근하는 시간
4.
하강시간: 목표량에 10~90[%]까지 하강하는 시간
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
33. n형 반도체를 만들기 위하여 사용하는 불순물은?
정답을 선택하세요
1.
인(P)
2.
알루미늄(Al)
3.
인듐(In)
4.
갈륨(Ga)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
34. 다음 같은 회로에서 RL에 100mA의 전류가 흐를 때 RL의 값은? (단, Vi=5V, R1=47k, R2=470kΩ이다.)
정답을 선택하세요
1.
5Ω
2.
50Ω
3.
500Ω
4.
5kΩ
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
35. 연산증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
정귀환 회로를 추가한 고이득 직결증폭기를 말하며, 병렬 증폭기를 이용한다.
2.
IC화된 연산증폭기는 신뢰도, 안정도가 떨어지지만 저가, 회로의 소형화 등의 장점을 가진다.
3.
이상적 연산증폭기인 경우 대역폭은 ∞를 갖는다.
4.
가상 접지는 실제 물리적 접지와 전기적 특성이 동일하다.
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
36. 신호의 일그러짐이 가장 적고 안정한 증폭기는?
정답을 선택하세요
1.
A급
2.
B급
3.
C급
4.
AB급
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
37. 그림과 같은 회로를 여파기로 사용하면 주파수 특성은?
정답을 선택하세요
1.
고역통과특성
2.
저역통과특성
3.
대역통과특성
4.
대역저지특성
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
38. 트랜지스터에서 β는 다음 중 어느 조건에서 결정할 수 있겠는가?
정답을 선택하세요
1.
IE가 일정할 때 VCB와 IB의 변화
2.
IE가 일정할 때 IC와 IB의 변화
3.
VCE가 일정할 때 VCB와 IB의 변화
4.
VCE가 일정할 때 IC와 IB의 변화
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
39. 트랜지스터를 증폭기로 사용할 때의 동작영역으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
차단영역
2.
포화영역
3.
활성영역
4.
비포화영역
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
40. 정류 전원의 구성 중 정류기 회로와 필터 사이에 나타나는 파형의 형태는? (단, 입력전압은 사인파 교류전압이라 가정한다.)
정답을 선택하세요
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
41. 다음 회로가 나타내는 기능은?
정답을 선택하세요
1.
가산기
2.
감산기
3.
비교기
4.
디코더
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
42. 0 과 1의 조합에 의하여 어떠한 기호라도 표현될수 있도로 부호화를 행하는 회로를 무엇이라고 하는가?
정답을 선택하세요
1.
Encoder
2.
Decoder
3.
Comparator
4.
Detector
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
43. 다음은 전가산기의 진리표 일부이다. A, B, C, D의 값은? (단, Z는 밑의 자리에서 올라오는 캐리(carry)이며, 출력 중 C는 다음 자리로 올라가는 캐리이다.)
정답을 선택하세요
1.
A=0, B=1, C=0, D=1
2.
A=1, B=1, C=1, D=0
3.
A=1, B=1, C=0, D=1
4.
A=1, B=0, C=1, D=1
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
44. 읽기 전용의 기억장치는?
정답을 선택하세요
1.
Mask Rom
2.
RAM
3.
HDD
4.
SSD
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
45. 1비트 단위의 2진수 정보를 저장(기억)할 수 있는 2진 셀(cell)을 무엇이라 하는가?
정답을 선택하세요
1.
RAM
2.
RO
3.
플립플롭
4.
멀티플렉서
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
46. JK 플립플롬을 다음 그림과 같이 연결했을 때 같은 기능을 수행하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
D 멀티플렉서
2.
RS 멀티플렉서
3.
T 멀티플렉서
4.
래치(latch)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
47. 기억장치에 관한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1.
프로그램이나 데이터를 저장하는 곳을 기억장치라 한다.
2.
기억장치를 기능상 크게 주기기억장치와 입 · 출력 장치로 분류한다.
3.
주기억장치는 전자계산기 중앙처리장치와 직접 연결되어 있다.
4.
보조기억장치의 종류에는 자기저장장치(HDD, 폴로피디스크)와 반도체저장장치(SSD, 플래시 메모리)가 있다.
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
48. BCD 코드에 3을 더하여 변형시킨 코드로 10진수에 대한 보수를 자체에 포함하고 있어 자기보수 코드로 이용되는 코드는?
정답을 선택하세요
1.
BCD 코드
2.
그레이 코드
3.
3초과 코드
4.
5421 코드
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
49. 다음 회로도의 A 값이 0011이고, B 값이 1000일 때 출력 Y는?
정답을 선택하세요
1.
1100
2.
0011
3.
1011
4.
1101
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
50. 다음 회로 중 조합논리회로가 아닌 것은?
정답을 선택하세요
1.
디코더
2.
멀티플렉서
3.
가산기
4.
카운터
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
51. 10진수 0.6875를 2진수로 변환할 때 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
0.1010
2.
0.1101
3.
0.1011
4.
0.1111
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
52. n단으로 구성된 일반 카운터는 2n개의 모드를 갖는데 반해, n단으로 구성된 시프트 카운터는 몇 개의 모드를 갖는가?
정답을 선택하세요
1.
n
2.
n+1
3.
2n
4.
3n
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
53. 3개의 입력과 2개의 출력을 가지는 회로이며 앞 디지트에 빌려준 1을 고려하여 뺄셈을 수행하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
디코더
2.
인코더
3.
반감산기
4.
전감산기
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
54. 판독/기록 메모리에 데이터를 넣는 동작으로 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
읽기(read)
2.
제어(control)
3.
기록(write)
4.
인출(fetch)
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
55. 순서논리회로를 설계하려 할 때 그 순서로 가장 옳은 것은?
정답을 선택하세요
1.
㉡→㉢→㉣→㉠
2.
㉠→㉡→㉢→㉣
3.
㉠→㉣→㉡→㉢
4.
㉣→㉢→㉡→㉠
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
56. T형 플립플롭에서 입력 T=0일 때 다음 상태 Q(t+1)는? (단, 현재 상태는 Q(t)이다.)
정답을 선택하세요
1.
1
4.
Q(t)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
57. 10진수 0.1875를 8진수로 변환한 결과는?
정답을 선택하세요
1.
0.13
2.
0.14
3.
0.15
4.
0.16
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
58. 논리식 를 가장 간략히 간소화 시킨 것은?
정답을 선택하세요
2.
B
3.
AB
4.
A+B
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
59. 디코더의 출력 선이 8개라면 입력 선은 몇 개 인가?
정답을 선택하세요
1.
1
2.
2
3.
3
4.
4
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
60. 다음 회로의 논리식은?
정답을 선택하세요
1.
AB(C+D)
2.
(A+B)CD
3.
(A+B)(C+D)
4.
ABCD
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
61. 시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하는 것은?
정답을 선택하세요
1.
C-언어
2.
Verilo
3.
Pascal
4.
COBOL
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
62. 다음 집적회로의 제조 과정에서 가장 늦게 진행되는 작업은?
정답을 선택하세요
1.
논리회로 설계
2.
패키징
3.
레이아웃 설계
4.
마스크 제작
정답: 2번
해설
아직 해설이 없습니다.
63. MOSFET에서 출력 논리 레벨이 완전히 복원되어 안정화되는 트랜지스터는?
정답을 선택하세요
1.
CMOS
2.
I-MOS
3.
nMOS
4.
pMOS
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
64. 실제의 IC 소자들이 가지고 있는 지연시간을 고려한 시뮬레이션 방법으로 여러 단이 종속적(cascade)으로 연결되었을 경우, 최종출력에서 발생하는 spike나 glitch 등을 방지하기 위한 방법은?
정답을 선택하세요
1.
타이밍 시뮬레이션(Timing Simulation)
2.
구조적시뮬레이션(Structural Simulation)
3.
계층적시뮬레이션Hierarchical Simulation)
4.
기능성시뮬레이션(Functionality Simulation)
정답: 1번
해설
아직 해설이 없습니다.
65. VLSI 설계에서 강조되는 구조적 설계의 원칙으로 거리가 먼 것은?
정답을 선택하세요
1.
정규성(Regularity)
2.
모듈성(Modularity)
3.
국지성(Locality)
4.
반복성(Repeatability)
정답: 4번
해설
아직 해설이 없습니다.
66. 플로우(flow) 플랜부터 라우팅까지 수동으로 진행하며 개발기간이 길어지는 대신 의도한 대로 레이아웃이 가능한 설계방식은?
정답을 선택하세요
1.
반 주문형
2.
FPGA
3.
완전 주문형
4.
표준 셀
정답: 3번
해설
아직 해설이 없습니다.
67. 다음 설명 중 Pseudo-nMOS 회로에 대한 설명으로 옳은 것은?
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1.
nMOS 논리의 공핍모드 부하 nMOS를 pMOS로 대체하고 pMOS가 항상 ON상태가 되도록 pMOS의 게이트 입력을 항상 Vss에 연결한 회로
2.
nMOS 논리의 공핍모드 부하 nMOS를 pMOS로 대체하고 pMOS가 항상 OFF 상태가 되도록 pMOS의 게이트 입력을 Vss에 연결한 회로
3.
pMOS 논리의 공핍모드 부하 pMOS를 nMOS로 대체하고 nMOS가 항상 ON 상태가 되도록 nMOS의 게이트 입력을 Vss에 연결한 회로
4.
pMOS 논리의 공핍모드 부하 pMOS를 nMOS로 대체하고 nMOS가 항상 OFF 상태가 되도록 nMOS의 게이트 입력을 Vss에 연결한 회로
정답: 1번
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68. 모노리식(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
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1.
에피택셜(Epitaxial) 성장
2.
산화막(Oxide) 생성
3.
알루미늄 증착
4.
불순물 확산
정답: 3번
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69. 입력 정적 CMOS NAND 게이트에 대한 설명 중 틀린 것은?
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1.
2개의 PMOS와 2개의 NMOS로 구성된다.
2.
PMOS는 출력과 VDD 사이에 병렬로 연결된다.
3.
NMOS는 출력과 GND 사이에 직렬로 연결된다.
4.
2개의 입력 단자들이 모두 안정된 상태에 있을 때 전류가 흐른다.
정답: 4번
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70. 다음 CMOS 회로에서 NOR 게이트는?
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정답: 2번
해설
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71. 게이트 어레이의 일종인 SoG(Sea of Gates) 설계방식의 특징으로 틀린 것은?
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1.
게이트 어레이와 같이 배선을 위한 배선 영역(채널)을 둔다.
2.
게이트 어레이 방식보다 훨씬 더 많은 게이트를 집적시킬 수 있다.
3.
배선을 위한 메탈 레이어가 추가로 필요하기 때문에 공정비용이 늘어난다.
4.
게이트 어레이와 마찬가지로 NAND 또는 NOR 게이트만으로 구성되어 있다.
정답: 1번
해설
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72. 일정한 이동도를 갖는 이상적인 MOSFET에서 아래와 같은 파라미터를 주었을 때 차단주파수는? (단, 채널길이 L=4um, 채널 폭 W=20um, 전자의 이동도 μn=4000cm/V·s, 문턱전압 vT=0.642, 게이트 전압 VGS=3V로 한다.)
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1.
6.69 GHz
2.
9.38 GHz
3.
8.96 GHz
4.
2.37 GHz
정답: 2번
해설
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73. CMOS 집적회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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1.
pMOS와 nMOS를 상보적으로 사용하여 회로를 구성한다.
2.
정적인 전류를 최소화하여 저전력 특성을 갖는다.
3.
BJT 집적회로에 비하여 고밀도 집적에 유리하다.
4.
BJT 집적회로에 비하여 고속 동작에 유리하다.
정답: 4번
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74. SPICE로 CMOS 인버터의 입출력 전압 전달특성을 확인할 때 사용되는 해석 방법은?
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1.
잡음 해석
2.
AC 해석
3.
과도(transient) 해석
4.
DC 해석
정답: 4번
해설
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75. MOS 동적 논리회로를 정적논리와 비교한 설명으로 옳지 않은 것은?
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1.
용량성 부하에 저장되는 전하량을 이용하여 신호를 저장,유지하는 특성을 갖는다.
2.
시스템의 타이밍 문제를 간소화할 수 있다.
3.
MOS소자가 적게 소요된다.
4.
부하소자가 ON되었을 때만 전력을 소모하는 회로를 설계할 수 없으므로 전력소모가 낮다.
정답: 4번
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76. 게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 배선하는 기술은?
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1.
SOG(Sea of Gate)
2.
PLD(Programmable Logic Device)
3.
CPLD(Complexed Programmable Logic Device)
4.
FPGA(Field Programmable Gate Array)
정답: 1번
해설
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77. 다음 중 집적회로의 종류가 아닌 것은?
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1.
표준 집적회로
2.
마이크로 집적회로
3.
주문형 집적회로
4.
자동 집적회로
정답: 4번
해설
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78. 동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 채널 폭이 2배로 증가하고, 채널의 길이가반으로 감소하면 차단주파수(ft)의 변화는? (단, 포화영역으로 가정하고, 모든 기생 용량의 영향은 무시한다.)
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1.
2배로 증가
2.
4배로 증가
3.
0.5배 감소
4.
0.25배 감소
정답: 2번
해설
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79. CMOS 인버터의 동작 특성으로 틀린 것은?
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1.
nMOS pull-down과 pMOS pull-up 트랜지스터로 구성되어 있다.
2.
입력전압이 high 이면 pMOS 트랜지스터는 전도가 된다.
3.
입력전압이 high 이면 출력 레벨은 low가 된다.
4.
두 개의 FET에 대한 입력은 공통 게이트 단자에 의해 이루어진다.
정답: 2번
해설
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80. 반도체 공정 과정 중 감광막에 대한 설명 으로 틀린 것은?
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1.
점착성의 폴리머(Polymer) 유기용액을 웨이퍼 기판 위에 넓게 발라 감광막을 형성시킨다.
2.
양성 감광막은 빛이 쪼여진 부분이 용해된다.
3.
불순물의 양을 조절하여 적당한 농도 분포를 얻는 단계를 말한다.
4.
에칭과 산화물 에칭 세제, 이온주입에 대한 보호막 역할을 한다.
정답: 3번
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문제 목록
문제 정보
강의: 반도체설계산업기사
연도: 2018-04-28
총 문제: 80문제
현재 문제: 1번
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