9급 국가직 공무원 전자공학개론

9급 국가직 공무원 전자공학개론 2012년 총 20문제

수험번호

성 명

1. 다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은?

① A'B'C' ＋ ABD ＋ B'CD'

② A'B'C' ＋ BD ＋ B'D'

③ A'B'C'D ＋ A'BD ＋ B'D'

④ A'B'C'D ＋ AB'D' ＋ BD

2. N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)

① MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.

② MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.

③ MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.

④ MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.

3. 테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)

① 2.5 20/3

② 2.5 10

③ 5 20/3

④ 5 10

4. 면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?

① 두 금속판 사이의 거리(d)를 2배로 늘려준다.

② 두 금속판의 면적(A)을 2배로 늘려준다.

③ 두 금속판 사이에 유전율(ℇ)이 1/2인 물질로 채운다.

④ 두 금속판의 면적과 두 판 사이의 거리를 동시에 2배로 늘려준다.

5. 펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은?

① 32

② 9.6

③ 64

④ 50

6. 다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10V일 때, 20KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)

① 0.05

② 0.1

③ 0.5

④ 1

7. 다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는?

8. 논리식 (A＋B)(A＋B')(A'＋B)(A'＋B')을 간단히 한 결과는?

① AB'＋A'B

② AB＋A'B'

④ 1

9. 발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은?

① ㄱ, ㄴ

② ㄴ, ㄷ

③ ㄷ, ㄹ

④ ㄱ, ㄷ

10. 다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다) (순서대로 m, R)

① 0.8, 2/m2+2

② 1.6, 2/m2+2

③ 0.8, m2/m2+2

④ 1.6, m2/m2+2

11. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

① ASK 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.

② FSK 방식의 일종이다.

③ ASK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.

④ FSK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.

12. 다음 발진기의 명칭은?

① 클랩 발진기

② 콜핏츠 발진기

③ 하틀리 발진기

④ 이완 발진기

13. 다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE＝0.7 V, IC≃IE 이다)

① 4

② 5

③ 6

④ 7

14. 다음 회로에서 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

② 5

③ －10

④ 15

15. 다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는?

① 부츠트랩 회로

② 블로킹 발진기

③ 슈미트 트리거

④ LC동조회로

16. 다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

① －2

② －4

③ 2

④ 4

17. D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L"이며, IN에 입력되는 논리값 시간 간격은 CLK 신호주기와 같다고 가정한다)

① "L"→"H"→"L"→"L"→"H"→"L"

② "L"→"L"→"H"→"H"→"L"→"L"

③ "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"

④ "L"→"L"→"L"→"L"→"H"→"L"

18. 다음회로에서출력전압Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다)

① 4

② 8

③ 10

④ 12

19. 다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

① －VREF/2

② －VREF

③ －2 VREF

④ －4 VREF

20. 다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β＝100, VBE＝0.7V, RB＝200 KΩ, C1＝C2＝10㎌, VCC＝10.7 V 이다)

① 0.8

② 1.2

③ 3.3

④ 3.5

답 안 지

9급 국가직 공무원 전자공학개론 | 해당 번호에 동그라미 표시하세요

수험번호

성 명

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	11	1	2	3	4
2	1	2	3	4	12	1	2	3	4
3	1	2	3	4	13	1	2	3	4
4	1	2	3	4	14	1	2	3	4
5	1	2	3	4	15	1	2	3	4
6	1	2	3	4	16	1	2	3	4
7	1	2	3	4	17	1	2	3	4
8	1	2	3	4	18	1	2	3	4
9	1	2	3	4	19	1	2	3	4
10	1	2	3	4	20	1	2	3	4

정 답 표

9급 국가직 공무원 전자공학개론 | 2012년

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
2	2	1	2	4	2	3	3	1	1
11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
3	1	3	3	3	1	4	4	2	1

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	11	1	2	3	4
2	1	2	3	4	12	1	2	3	4
3	1	2	3	4	13	1	2	3	4
4	1	2	3	4	14	1	2	3	4
5	1	2	3	4	15	1	2	3	4
6	1	2	3	4	16	1	2	3	4
7	1	2	3	4	17	1	2	3	4
8	1	2	3	4	18	1	2	3	4
9	1	2	3	4	19	1	2	3	4
10	1	2	3	4	20	1	2	3	4

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	11	1	2	3	4
2	1	2	3	4	12	1	2	3	4
3	1	2	3	4	13	1	2	3	4
4	1	2	3	4	14	1	2	3	4
5	1	2	3	4	15	1	2	3	4
6	1	2	3	4	16	1	2	3	4
7	1	2	3	4	17	1	2	3	4
8	1	2	3	4	18	1	2	3	4
9	1	2	3	4	19	1	2	3	4
10	1	2	3	4	20	1	2	3	4

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	11	1	2	3	4
2	1	2	3	4	12	1	2	3	4
3	1	2	3	4	13	1	2	3	4
4	1	2	3	4	14	1	2	3	4
5	1	2	3	4	15	1	2	3	4
6	1	2	3	4	16	1	2	3	4
7	1	2	3	4	17	1	2	3	4
8	1	2	3	4	18	1	2	3	4
9	1	2	3	4	19	1	2	3	4
10	1	2	3	4	20	1	2	3	4