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전자기사 2011년 총 100문제
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1. 평면도체 표면에서 d[m]의 거리에 점전하 Q[C]이 있을 때, 이 전하를 무한원까지 운반하는데 필요한 일은 몇 [J]인가?

2. 자기 인덕턴스 L1, L2와 상호 인덕턴스 M일 때, 일반적인 자기 결합 상태에서 결합계수 k는?
① k=0
② k=1
③ 0<k<1
④ 1<k

3. 와전류가 이용되고 있는 것은?
① 수중 음파 탐지기
② 레이더
③ 자기브레이크(magnetic break)
④ 사이클로트론(cyclotron)

4. 단면적 S, 길이 ℓ, 투자율 μ인 자성체의 자기회로에 권선을 N회 감아서 I의 전류를 흐르게 할 때 자속은?

5. 그림과 같은 평행판 콘덴서에 극판의 면적이 S[m2], 진전하밀도를 σ[C/m2], 유전율이 각각 ε1=1, ε2=2인 유전체를 채우고 a, b 양단에 V[V]의 전압을 인가할 때 ε1, ε2인 유전체 내부의 전계의 세기 E1, E2와의 관계식은?
① E1=2E2
③ E1=E2
④ E1=4E2

6. 공기 중에 놓여진 반지름 3[cm]의 구(球)도체에 줄 수 있는 최대 전하는 몇 [C]인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 3×106 [V/m]이다.)
① 1×10-7[C]
② 2×10-7[C]
③ 3×10-7[C]
④ 4×10-7[C]

7. N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?
① 단면적을 2배로 한다.
② 길이를 1/4로 한다.
③ 전류의 세기를 4배로 한다.
④ 비투자율을 2배로 한다.

8. 무한장 원주형 도체에 전류가 표면에만 흐른다면 원주 내부의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가?
① I/2πr
② NI/2πr
③ I/2r

9. 전기력선의 기본성질이 아닌 것은?
① 전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 된다.
② 전기력선은 전위가 높은 점에서 낮은 점으로 향한다.
③ 전기력선은 정전하에서 시작하여 부전하에서 끝난다.
④ 전기력선은 도체표면과 외부공간에 존재한다.

10. 중심이 원점에 있고 z=0인 평면에서 반경 r[m]인 원판에 ρs[C/m2]의 면전하밀도가 진공내에 있을 때 원판의 중심축상 z=h 점에서의 전계 E[V/m]는?

11. 는?
① 발산의 정리
② 가우스의 법칙
③ 스토크스의 정리
④ 암페어의 법칙

12. 반경이 a=10[cm]인 구의 표면전하 밀도를 σ=10-10[C/m2 ]이 되도록 하는 구의 전위는?
① 21.3[V]
② 11.3[V]
③ 2.13[V]
④ 1.13[V]

13. 자극의 세기 8×10-6 [Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm]인가?
① 1.44×10-4[Nㆍm]
② 1.44×10-5[Nㆍm]
③ 3.02×10-4[Nㆍm]
④ 3.02×10-5[Nㆍm]

14. 정전용량 C 인 평행판 콘덴서를 전압 V로 충전하고 전원을 제거한 후 전극 간격을 1/2로 접근시키면 전압은?
③ V
④ 2V

15. 그림과 같은 유전속 분포가 이루어질 때 ε1과 ε2의 관계는 어떻게 성립하는가?
① ε1 > ε2
② ε1 < ε2
③ ε1 = ε2
④ ε1 < 0, ε2 > 0

16. 서로 다른 두 유전체 사이의 경계면에 전하분포가 없다면 경계면 양쪽에서의 전계 및 자속밀도는?
① 전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
② 전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
③ 전계 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
④ 전계 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.

17. 그림과 같이 구리로 된 동축케이블의 반지름 a=1.048[mm], c=3.65[mm]이며, 전류 I가 흐른다고 할 때 반지름 a에서의 자계의 세기 Ha와 반지름 b에서의 자계의 세기 Hb와의 비 즉, 이면 반지름 b는 약 몇 [mm]인가?
① 2.95[mm]
② 3.14[mm]
③ 3.49[mm]
④ 3.62[mm]

18. 다음 중 그 양이 증가함에 따라 무한장 솔레노이드의 자기인덕턴스 값이 증가하지 않는 것은 무엇인가?
① 철심의 투자율
② 철심의 길이
③ 철심의 반경
④ 코일의 권수

19. 비투자율 1000인 철심이 든 환상솔레노이드의 권수가 600회, 평균지름 20[cm], 철심의 단면적 10[cm2]이다. 이 솔레노이드에 2A의 전류가 흐를 때 철심내의 자속은 약 몇 [Wb]인가?
① 1.2×10-3[Wb]
② 1.2×10-4[Wb]
③ 2.4×10-3[Wb]
④ 2.4×10-4[Wb]

20. 전자계에 대한 맥스웰의 기본 이론이 아닌 것은?
① 전하에서 전속선이 발산된다.
② 고립 단자극은 존재하지 않는다.
③ 변위전류는 자계를 발생하지 않는다.
④ 자계의 시간적 변화에 따라 전계의 회전이 생긴다.

21. 콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 Vc(t)는?
② Vc(t)=C
④ Vc(t)=Cu(t)

22. 교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?
① L = R2 / (R1C)
② L = CR1R2
③ L = C / (R1R2)
④ L = (R1R2) / C

23. 인 감쇠지수 함수의 진폭 스펙트럼은?

24. 일반적으로 f(t) = -f(-t)의 조건을 만족하는 경우 f(t)를 무슨 함수라 하는가?
① 기함수
② 우함수
③ 삼각함수
④ 초월함수

25. 다음 그림과 같은 삼각파의 파고율은?
① 1.12
② 1.73
③ 1
④ 1.41

26. 다음을 역 Laplace로 변환하면?
① cos 3t
② sin 3t
③ sin 9t +cos 9t
④ sin 3t +cos 3t

27. 100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 20[W]이었다면 이 형광등의 역률은?
① 0.4
② 0.5
③ 0.6
④ 0.8

28. 두 개의 코일 L1과 L2를 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100[mH]이고, 반대방향으로 접속하였더니 합성인덕턴스가 40[mH]이었다. 이 때, L1=60[mH]이면 결합계수 K는 약 얼마인가?
① 0.4
② 0.6
③ 0.8
④ 1.0

29. 저항 R과 리액턴스 X를 직렬로 연결할 때의 역률은?

30. 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?

31. 100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류 전압을 가할 때의 무효전력은 몇 [VAR]인가?
① -40π
② -60π
③ -120π
④ -240π

32. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?
① 원점을 지나는 원
② 원점을 지나는 직선
③ 원점을 지나지 않는 원
④ 원점을 지나지 않는 직선

33. 그림과 같은 4단자 회로망에서 하이브리드 파라미터 h11은?

34. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?

35. e-atcosωt의 라플라스(Laplace) 변환은?

36. 다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A]인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])
① 8.95
② 7.24
③ 4.63
④ 3.52

37. RC 직렬회로에서 t= 2RC일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?
① 13.5
② 36.7
③ 63.3
④ 86.5

38. 다음과 같은 회로에서 저항 RL 양단자(RL을 개방)에서 본 테브난 등가저항[Ω]은?
① 2[Ω]
② 4[Ω]
③ 6[Ω]
④ 8[Ω]

39. 단위계단함수의 라플라스 변환은?
① 1
② S
③ 1/S
④ 1/S-1

40. 다음 회로가 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

41. 다음과 같은 FET 소신호 증폭기 회로에서 입력전압이 10[mV]일 때 출력전압으로 가장 적합한 것은?
① 입력전압과 동위상인 100[mV]
② 입력전압과 역위상인 100[mV]
③ 입력전압과 동위상인 200[mV]
④ 입력전압과 역위상인 200[mV]

42. 공간 전하 용량을 변화시켜 콘덴서 역할을 하도록 설계된 다이오드는?
① 제너 다이오드
② 터널 다이오드
③ 바렉터 다이오드
④ Gunn 다이오드

43. 트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?
① 컬렉터 용량에만 비례한다.
② 컬렉터 인가 전압에 비례한다.
③ 베이스 폭과 컬렉터 용량에 각각 반비례한다.
④ 베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.

44. 전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부궤환을 걸때 전압증폭도 Af= 800이 되었다. 이 때 궤환율 β는 몇 [%]인가?
① 0.105[%]
② 0.205[%]
③ 0.305[%]
④ 0.405[%]

45. 불 방정식 를 간단하게 하면 어떻게 되는가?

46. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
① Early 효과
② Miller 효과
③ Pinchoff 현상
④ Breakdown 현상

47. 다음 중 부궤환에 의한 출력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 전압 직렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
② 전압 병렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.
③ 전류 직렬 궤환시 출력임피던스는 증가한다.
④ 전류 병렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.

48. FET와 BJT의 전기적 특성을 비교했을 때 적합하지 않은 것은?
① FET는 BJT보다 잡음이 적다.
② FET는 BJT보다 입력저항이 작다.
③ FET는 BJT보다 이득대역폭적이 작다.
④ FET는 BJT보다 온도변화에 따른 안정성이 높다.

49. Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 이득 감소
② sensitivity 감소
③ 대역폭 감소
④ 잡음 감소

50. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
① VO = 0일 때 (IB1+IB2) / 2
② VO = ∞일 때 (IB1+IB2) / 2
③ VO = 0일 때 (IB1+IB2)
④ VO = ∞일 때 (IB1+IB2)

51. 다음 회로의 동작에 대한 설명으로 가장 적합한 것은? (단, 입력신호는 진폭이 Vm인 정현파이고, 다이오드는 이상적인 것이며, RC 시정수는 신호파의 주기에 비해 매우 크다.)
① 출력은 Vi이다.
② 출력은 2Vi이다.
③ 출력전압은 VR - Vm인 정현파이다.
④ 부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프한다.

52. 연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
① 주파수 대역폭이 좁다.
② 입력 임피던스가 낮다.
③ 동상신호제거비가 크다.
④ 온도변화에 따른 드리프트가 크다.

53. 펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?
① 1×10-4
② 3×10-4
③ 6×10-4
④ 9×10-4

54. 듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1이고 주기가 30[μs]인 펄스의 폭은 몇 [μs]인가?
① 0.3
② 1
③ 3
④ 10

55. 다음 중 C급 전력 증폭기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
① 유통각은 180도 미만이다.
② 광대역 증폭기로 적합하다.
③ 최대 효율은 78.5[%] 이상이다.
④ RF 전력증폭기, 주파수 체배기 등에 주로 사용된다.

56. 궤환 발진기의 발진 조건을 나타내는 식은? (단, A는 증폭도, β는 궤환율이다.)
① βA = 1
② βA = 0
③ βA = ∞
④ βA = 100

57. 트랜지스터의 직류 증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
① hfe의 온도변화
② hre의 온도변화
③ VBE의 온도변화
④ ICO의 온도변화

58. 전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?
① 감소한다.
② 변화가 없다.
③ 증가한다.
④ 입력신호의 크기에 따라 증가 또는 감소한다.

59. 다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf양단에 걸리는 전압 Vf = (25 If2 +50 If+3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 VO는?
① -3[V]
② -3.2[V]
③ -4.1[V]
④ -5.8[V]

60. 전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?
① X-OR 2개, AND 2개, OR 1개
② X-OR 2개, AND 1개, OR 2개
③ X-OR 1개, AND 2개, OR 2개
④ X-OR 2개, AND 2개, OR 2개

61. 길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?
① 160[m/sec]
② 180[m/sec]
③ 16[m/sec]
④ 18[m/sec]

62. 절대온도 0[K]에서 금속 내 자유전자 평균 온동 에너지는? (단, EF는 페르미 준위이다.)
② EF

63. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)

64. 컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?
① Early 효과
② Tunnel 효과
③ punch-through
④ Miller 효과

65. 절대온도 0[K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?
① E=Ef
③ E>Ef
④ E<Ef

66. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?
① 2.97×107[m/s]
② 9.07×107[m/s]
③ 2.97×106[m/s]
④ 9.07×106[m/s]

67. Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
① Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에
② Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에
③ Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에
④ Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

68. 금속의 2차 전자 방출비에 대하여 가장 옳게 설명한 것은?
① 항상 일정하다.
② 방출비 값은 항상 1보다 작다.
③ 금속의 종류에 따라서 달라진다.
④ 2차 전자는 반사되는 전자를 의미한다.

69. MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 입력 임피던스가 크다.
② 저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
③ 제작이 간편하고, IC화 하기에 적합하다.
④ 사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.

70. 전자와 정공의 이동도가 각각 0.32[m2/Vㆍs], 0.18[m2/Vㆍs]이고 저항률이 0.5[Ωㆍm]인 진성반도체의 캐리어 밀도는? (단, 전자의 전하량은 -1.6×10-19 [C]이다.)
① 1.2×1018 [개/m3]
② 1.8×1018 [개/m3]
③ 2.5×1019 [개/m3]
④ 3.6×1019 [개/m3]

71. 다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)
① n = p
② n > p
③ n < p
④ np = 0

72. 피에조 저항(piezo resistance)은?
① 압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
② 자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
③ 온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
④ 광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.

73. 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?
① TRIAC(트라이액)
② FET(Field Effect Transistor)
③ SCR(Silicon Controlled Rectifier)
④ UJT(Unijunction Junction Transistor)

74. 캐리어의 확산 거리는 무엇에 의존하는가?
① 반도체의 모양
② 캐리어의 이동도에만 의존
③ 캐리어의 수명시간에만 의존
④ 캐리어의 이동도와 수명시간에 의존

75. 실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
① 인듐(In)
② 갈륨(Ga)
③ 인(P)
④ 알루미늄(Al)

76. 다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?
① 광전 효과(photo electric effect)
② 콤프턴 효과(compton effect)
③ 에디슨 효과(Edison effect)
④ 홀 효과(Hole effect)

77. 기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?
① 전리 현상
② 절연 파괴
③ 광전 효과
④ 절연

78. 에너지 준위도에서 0 준위는?
① 페르미 준위
② 이탈 준위
③ 금속내 준위
④ 금속외 준위

79. 열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0이라면, 그 의미는?
① 전위장벽이 없어졌다.
② 접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
③ 접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
④ 접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.

80. 다음 중 반도체 레이저의 일반적인 특징에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 소형화가 가능하다.
② 가스 레이저에 비해 증폭, 발진, 변조가 쉽다.
③ 고체, 기체 및 액체 레이저에 비해 효율이 낮다.
④ 루비 및 기체 레이저에 비해 낮은 전력으로 동작한다.

81. 기억장치에 대한 설명 중 틀린 것은?
① 주기억장치는 CPU와 직접 자료교환이 가능하다.
② 보조기억장치는 CPU와 직접 자료교환이 불가능하다.
③ 주기억장치 소자는 대부분 외부와 직접 자료교환을 할 수 있는 단자가 있다.
④ 기억장치에서 사용하는 정보의 단위는 와트(watt)이다.

82. 마이크로프로세서의 명령어 형식이 OP-code 5비트, Operand 11비트로 이루어져 있다면, 명령어의 최대 개수와 사용할 수 있는 최대 메모리 크기는?
① 32개, 1024워드
② 32개, 2048워드
③ 64개, 1024워드
④ 64개, 2048워드

83. 어셈블러 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?
① 기계어를 사람이 이해할 수 있도록 만든 저급 수준의 언어이다.
② 컴퓨터 하드웨어에 대한 충분한 지식이 없어도 프로그램을 작성하기가 용이하다.
③ 각 컴퓨터는 시스템별로 고유의 어셈블리 언어를 갖는다.
④ 하드웨어와 밀접한 관계를 갖고 있으므로 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.

84. 부동소수점 표현의 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 포함되지 않는 것은?
① 0(zero)인지 여부를 조사한다.
② 가수의 위치를 조정한다.
③ 가수를 곱한다.
④ 결과를 정규화한다.

85. C 언어에서 for문이 무한반복을 실행하는 도중에 빠져 나오기 위한 명령어는?
① break
② while
③ if
④ default

86. 다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)
① Addition
② Subtraction
③ Multiplication
④ Division

87. 주소 명령 형식 중 3-주소 명령의 장점은?
① 비트가 많이 필요하다.
② 연산 후 입력 자료가 변한다.
③ 레지스터의 수가 적게 필요하다.
④ 프로그램의 길이를 짧게 할 수 있다.

88. 다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?
① 제어 버스
② 주소 버스
③ 데이터 버스
④ I/O 버스

89. 일반적으로 컴퓨터가 가지는 CPU의 구조로 틀린 것은?
① 단일 누산기 구조(single accumulator organization)
② 범용 레지스터 구조(general register organization)
③ 특수 레지스터 구조(special register organization)
④ 스택 구조(stack organization)

90. 프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?
① FORTRAN
② ALGOL
③ 어셈블리어
④ C++

91. 전자계산기에서 실행되는 계산 수행 장치는?
① 입력장치
② 연산장치
③ 기억장치
④ 제어장치

92. 65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가요구되는가?
① 6
② 7
③ 8
④ 9

93. 10진수 255.875를 16진수로 변환하면?
① FE.D
② FF.E
③ 9F.8
④ FF.5

94. 컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레그사 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
① LOCK
② STOP
③ IDSEL
④ TRDY

95. 스택(LIFO : Last In First Out)의 용도에 적당하지 않은 것은?
① 수식의 계산
② 서브루틴의 복귀주소 저장
③ 인터럽트 처리
④ 우선순위 결정

96. 다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
① 3-주소지정 방식
② 2-주소지정 방식
③ 1-주소지정 방식
④ 0-주소지정 방식

97. 주기억장치와 I/O장치 사이와의 시간적, 공간적 특성 차이를 나타낸 것이 아닌 것은?
① 동작속도
② 정보의 처리 단위
③ 동작의 자율성
④ 버스구성

98. 부동소수점 표현 방식의 설명으로 잘못된 것은?
① 2의 보수 표현 방법을 많이 사용한다.
② 매우 큰 수와 작은 수를 표시하기에 편리하다.
③ 부호, 지수부, 가수부 등으로 구성되어 있다.
④ 연산이 복잡하고 시간이 많이 걸린다.

99. LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?
① 플라즈마(Plasma)
② CRT(Cathode Ray Tube)
③ TFT(Thin Film Transistor)
④ 터치스크린(Touch Screen)

100. 아래의 C 프로그램을 수행하였을 때, C의 값으로 적절한 것은?
① 3
② 12
③ 15
④ -9

답 안 지

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성 명
번호 1 2 3 4 번호 1 2 3 4
1 1 2 3 4 51 1 2 3 4
2 1 2 3 4 52 1 2 3 4
3 1 2 3 4 53 1 2 3 4
4 1 2 3 4 54 1 2 3 4
5 1 2 3 4 55 1 2 3 4
6 1 2 3 4 56 1 2 3 4
7 1 2 3 4 57 1 2 3 4
8 1 2 3 4 58 1 2 3 4
9 1 2 3 4 59 1 2 3 4
10 1 2 3 4 60 1 2 3 4
11 1 2 3 4 61 1 2 3 4
12 1 2 3 4 62 1 2 3 4
13 1 2 3 4 63 1 2 3 4
14 1 2 3 4 64 1 2 3 4
15 1 2 3 4 65 1 2 3 4
16 1 2 3 4 66 1 2 3 4
17 1 2 3 4 67 1 2 3 4
18 1 2 3 4 68 1 2 3 4
19 1 2 3 4 69 1 2 3 4
20 1 2 3 4 70 1 2 3 4
21 1 2 3 4 71 1 2 3 4
22 1 2 3 4 72 1 2 3 4
23 1 2 3 4 73 1 2 3 4
24 1 2 3 4 74 1 2 3 4
25 1 2 3 4 75 1 2 3 4
26 1 2 3 4 76 1 2 3 4
27 1 2 3 4 77 1 2 3 4
28 1 2 3 4 78 1 2 3 4
29 1 2 3 4 79 1 2 3 4
30 1 2 3 4 80 1 2 3 4
31 1 2 3 4 81 1 2 3 4
32 1 2 3 4 82 1 2 3 4
33 1 2 3 4 83 1 2 3 4
34 1 2 3 4 84 1 2 3 4
35 1 2 3 4 85 1 2 3 4
36 1 2 3 4 86 1 2 3 4
37 1 2 3 4 87 1 2 3 4
38 1 2 3 4 88 1 2 3 4
39 1 2 3 4 89 1 2 3 4
40 1 2 3 4 90 1 2 3 4
41 1 2 3 4 91 1 2 3 4
42 1 2 3 4 92 1 2 3 4
43 1 2 3 4 93 1 2 3 4
44 1 2 3 4 94 1 2 3 4
45 1 2 3 4 95 1 2 3 4
46 1 2 3 4 96 1 2 3 4
47 1 2 3 4 97 1 2 3 4
48 1 2 3 4 98 1 2 3 4
49 1 2 3 4 99 1 2 3 4
50 1 2 3 4 100 1 2 3 4

정 답 표

전자기사 | 2011년

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
3 3 3 4 1 3 2 4 1 1
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
1 4 2 2 1 1 3 2 3 3
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
3 2 2 1 2 4 1 2 2 3
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
3 3 1 4 2 1 1 2 3 1
41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
4 3 4 1 2 1 4 2 3 1
51 52 53 54 55 56 57 58 59 60
3 3 4 3 2 1 2 3 2 1
61 62 63 64 65 66 67 68 69 70
1 4 2 1 1 1 1 3 4 3
71 72 73 74 75 76 77 78 79 80
2 1 2 4 3 2 2 2 4 3
81 82 83 84 85 86 87 88 89 90
4 2 2 2 1 2 4 4 3 4
91 92 93 94 95 96 97 98 99 100
2 2 2 3 4 3 4 1 3 2